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第一章:有源区,源区和漏区一般是通过___和___方式形成。NMOS或者CMOS中的N+区是注入_____形成的,PMOS或者CMOS中的P+区是注入_____形成的。业界常采用的金属互连线为______互连和______互连。在n阱硅栅CMOS工艺中,NMOS管需要做在内。芯片级设计分为展平式设计、硅虚拟原型设计和三种。设计不用进行边界约束,能够在芯片的全局范围内进行优化;设计能够将串行作业转变为并行实施,很大程度上能够缩短设计周期,从而缩短芯片产品的面市时间。层次化物理设计中,如果某些模块设计指标(如时序)不能达到要求,在顶层再作或,也可以采用局部的重新物理综合。调用预先完成设计并进行优化的库单元,进行和,可以极大地提高设计效率,加快产品进入市场的时间。芯片的低功耗设计贯穿于芯片设计的整个过程中,在不同的设计层次进行功耗优化。具体层级包括、、和。工艺级低功耗技术主要有降低器件的工作电压、、多阈值器件使用等技术。cdb噪声库采用二进制的数据形式,内容主要包括三方面:每个单元的输入噪声限值、、单元端口的电容值。版图实现可以分为、半定制(semi-custom)设计和全定制(full-custom)设计三类。晶体管的尺寸的发展从早期的微米、深亚微米级发展到今天的。标准单元通常采用静态互补CMOS电路结构实现,这种结构具有互补对偶的网络与网络,其特点是每一时间每个门的输出总是通过电阻连至Vdd或Vss。门级电路设计在芯片后端物理设计中需要调用标准单元库,常见的标准单元可分为和。时序电路具有记忆功能。它包括:锁存器和。两大类存储模块单元可分为和。模块级设计中,电路设计不公开,被越来越多地用在SoC设计中,称为“黑盒子”的是模块。后端设计主要从指到GDSII的整个过程,也被称之为后端物理设计。在后端全定制设计流程中,不同的设计阶段需要用到多种相对应的工具,比如版图设计工具、特征化提取工具、物理验证工具和寄生参数提取工具等。简述CMOS工艺流程?数字电路的设计分为哪几个级别?标准单元库都有哪几种?后端物理设计主要包括几个大的方面?物理版图布局布线主要包括哪些步骤?物理验证主要包括哪些方面的检查?简述等价性检查的主要
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