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文档简介

电子专业考试题及答案一、单项选择题(共50题)1.在数字电路中,TTL门电路的输出高电平典型值通常为:A.0.3V

B.0.8V

C.2.4V

D.3.6V

E.5V2.关于RC微分电路,以下描述正确的是:A.输入信号为方波时输出为三角波B.时间常数τ远小于输入信号周期C.电容两端电压为输出信号D.电阻两端电压为输出信号E.适用于高频信号处理3.半导体材料中,本征半导体的载流子浓度主要取决于:A.温度B.掺杂浓度C.外加电场D.光照强度E.材料密度4.在共射极放大电路中,若要提高电压放大倍数,应:A.增大集电极电阻RCB.减小集电极电阻RCC.增大发射极电阻RED.减小发射极电阻REE.增大基极偏置电阻RB5.关于三极管工作状态,以下说法错误的是:A.截止区:IB≈0,IC≈0B.放大区:IC=βIBC.饱和区:VCE≈0.3V(硅管)D.饱和区:IB>IC/βE.放大区:VBE≈0.7V(锗管)6.在整流电路中,桥式整流与全波整流的共同特点是:A.均使用中心抽头变压器B.输出电压脉动频率相同C.二极管承受最大反向电压相同D.整流效率相同E.均需要四个二极管7.关于运算放大器,以下说法正确的是:A.开环增益通常为10^3量级B.输入阻抗约为10^6ΩC.输出阻抗约为75ΩD.虚短特性指V+=V-E.虚断特性指I+=I-≈08.在组合逻辑电路中,竞争冒险现象的主要原因是:A.电源波动B.信号传输延迟C.逻辑门参数差异D.温度变化E.负载电容影响9.关于D触发器,以下描述错误的是:A.特性方程为Qn+1=DB.具有置0和置1功能C.时钟边沿触发D.存在空翻现象E.可用于数据锁存10.在PCM编码中,量化噪声的主要来源是:A.采样频率不足B.量化级数有限C.编码位数不足D.信道噪声叠加E.压缩特性非线性11.关于场效应管,以下说法正确的是:A.JFET为电压控制器件B.MOSFET输入阻抗低于JFETC.增强型MOSFET的VGS可正可负D.耗尽型MOSFET的VGS=0时无导电沟道E.N沟道JFET的VGS应加正电压12.在功率放大电路中,乙类放大器的缺点是:A.效率低B.存在交越失真C.需要偏置电路D.输出功率小E.线性度差13.关于滤波器,以下描述错误的是:

A.低通滤波器允许高频信号通过

B.高通滤波器截止频率由RC决定

C.带通滤波器可由低通和高通串联组成

D.有源滤波器包含运算放大器E.LC滤波器适用于高频场合14.在数字通信中,码元传输速率与信息传输速率的关系是:A.Rb=RsnB.Rb=Rs/nC.Rs=RbnD.Rs=Rb/log2N

E.Rb=Rs·log2N15.关于锁相环(PLL),以下说法错误的是:A.包含鉴相器、环路滤波器和压控振荡器B.用于频率合成和时钟恢复C.锁定时相位差为零D.捕获范围大于同步范围E.环路带宽影响锁定时间16.在半导体存储器中,DRAM需要定期刷新的原因是:A.电容存储电荷会泄漏B.触发器状态不稳定C.读写操作破坏数据D.地址线数量不足E.需要动态调整阈值电压17.关于A/D转换器,以下描述正确的是:A.双积分型抗干扰能力强B.并行比较型速度最慢C.逐次逼近型分辨率最高D.Σ-Δ型适用于高频信号E.采样保持电路不是必需组件18.在电磁兼容设计中,抑制传导干扰的主要措施是:A.增加屏蔽层B.使用滤波器C.优化PCB布局D.采用差分信号E.降低工作频率19.关于传感器,以下说法错误的是:A.热电偶基于塞贝克效应B.应变片电阻变化与应变成正比C.压电传感器只能用于动态测量D.光电编码器可测量位移E.霍尔传感器需要磁场激励20.在微波通信中,波导的作用是:A.产生微波信号B.传输微波能量C.调制微波载波D.检测微波强度E.放大微波功率(以下为剩余30道单项选择题示例,实际出题需补充完整)21.在开关电源中,PWM控制的核心是:A.调整占空比B.改变开关频率C.优化反馈网络D.减小纹波系数E.提高转换效率22.关于EDA设计流程,以下顺序正确的是:A.设计输入→功能仿真→综合→布局布线→时序仿真B.设计输入→综合→功能仿真→布局布线→时序仿真C.设计输入→布局布线→综合→功能仿真→时序仿真D.设计输入→时序仿真→综合→布局布线→功能仿真E.设计输入→功能仿真→布局布线→综合→时序仿真23.在光纤通信中,多模光纤与单模光纤的主要区别是:A.芯径尺寸B.传输距离C.光源类型D.连接器类型E.抗干扰能力24.关于嵌入式系统,以下说法错误的是:A.必须包含操作系统B.具有特定功能C.资源受限D.实时性要求高E.可裁剪性25.在射频电路中,Smith圆图的主要用途是:A.计算阻抗匹配B.分析频率响应C.测量噪声系数D.优化功率分配E.评估线性度二、多项选择题(共30题)1.以下属于模拟电路基本单元的有:A.运算放大器B.D触发器C.三相整流桥D.计数器E.差分放大器2.关于三极管参数,以下说法正确的有:A.特征频率fT越高,高频性能越好B.β值过大会导致温度稳定性变差C.ICBO受温度影响显著D.V(BR)CEO是集电极-发射极反向击穿电压E.PCM指最大集电极耗散功率3.在数字系统中,减小时钟抖动的方法包括:A.使用低相位噪声振荡器B.增加缓冲级C.优化PCB走线D.提高供电电压E.采用差分时钟4.关于EDA工具,以下功能属于逻辑综合阶段的有:A.将HDL代码转换为门级网表B.优化时序路径C.插入测试矢量D.估计芯片面积E.生成时序约束文件5.在无线通信中,影响信道容量的因素有:A.带宽B.信噪比C.调制方式D.天线增益E.多径效应6.关于电源完整性,以下措施有效的有:A.增加电源层铜箔厚度B.放置去耦电容C.采用星型接地D.减小电源环路面积E.提高开关频率7.在半导体制造中,光刻工艺的主要步骤包括:A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀E.去胶8.关于电磁兼容标准,以下属于国际标准的有:A.CISPR

B.FCCC.IECD.GBE.MIL-STD9.在混合信号电路中,隔离数字与模拟部分的主要目的是:A.防止数字噪声干扰模拟信号B.简化接地设计C.降低功耗D.提高集成度E.避免地环路干扰10.关于FPGA结构,以下组件属于的可编程资源有:A.查找表(LUT)B.触发器C.互连资源D.嵌入式块RAME.PLL11.在显示技术中,LCD与OLED的主要区别包括:A.发光方式B.对比度C.响应时间D.视角范围E.功耗特性12.关于电机控制,以下属于闭环控制系统的有:A.步进电机开环定位B.直流电机调速C.伺服电机位置控制D.交流感应电机变频调速E.舵机角度控制13.在热设计中,降低器件结温的方法包括:A.增加散热片面积B.使用导热膏C.强制风冷D.降低工作电压E.优化PCB叠层14.关于信号完整性,以下属于串扰影响因素的有:A.线间距B.介质厚度C.信号上升时间D.负载阻抗E.工作频率15.在安全标准中,以下属于电气安全认证的有:A.CEB.ULC.RoHS

D.FCC

E.TÜV16.关于传感器接口,以下需要信号调理的有:A.热电阻输出B.应变片桥路C.光电二极管输出D.霍尔传感器输出E.开关量输入17.在存储器层次结构中,以下属于易失性存储的有:A.SRAMB.DRAM

C.FlashD.EEPROME.硬盘18.关于微波器件,以下属于无源器件的有:A.功率放大器B.环形器C.混频器D.波导开关E.衰减器19.在软件定义无线电中,以下属于关键技术的有:A.宽带ADC/DACB.数字下变频C.多速率信号处理D.自适应滤波E.现场可编程门阵列20.关于可靠性设计,以下属于降额设计方法的有:A.降低工作电压B.减小负载电流C.提高元件质量等级D.增加冗余电路E.优化热设计21.在光通信中,以下属于光器件的有:A.激光器B.探测器C.耦合器D.隔离器E.光放大器22.关于电磁屏蔽,以下材料有效的有:A.铜箔B.铝箔C.导电涂料D.铁氧体E.玻璃纤维23.在电源管理技术中,以下属于动态调整方法的有:A.DVFSB.时钟门控C.多电压域D.电源关断E.异步设计24.关于信号发生器,以下可以输出调制信号的有:A.函数发生器B.任意波形发生器C.锁相环频率合成器D.直接数字合成器E.射频信号源25.在测试测量中,以下属于时域分析仪器的有:A.示波器B.逻辑分析仪C.频谱分析仪D.网络分析仪E.时间间隔分析仪26.关于半导体工艺,以下属于前道工序的有:A.氧化B.光刻C.刻蚀D.离子注入E.封装27.在无线传感器网络中,以下属于路由协议的有:A.LEACHB.TEENC.AODVD.DSDVE.ZigBee28.

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