太阳能电池原理与设计 课件 第6章 铜铟镓硒太阳能电池原理和设计

主讲：第6章铜铟镓硒太阳能电池原理和设计CONTENTS目录铜铟镓硒太阳能电池的发展史PART01铜铟镓硒太阳能电池的特点PART02铜铟镓硒太阳能电池的制备方法PART03高效铜铟镓硒太阳能电池技术PART04学习目标：（1）了解CIGS太阳能电池的发展历程，CIGS太阳能电池物理化学性能、结构特点及性能特点。（2）掌握CIGS太阳能电池工作原理、CIGS太阳能电池（衬底、背电极板、吸收层、缓冲层、减反层及顶电极）的制备方法。（3）掌握高效CIGS太阳能电池的三种技术：碱金属掺杂技术、低温沉积技术和建筑一体化技术。学习重点：（1）CIGS太阳能电池物理化学性能、结构特点及其工作原理。（2）CIGS太阳能电池中衬底、吸收层和缓冲层的制备方法。（3）CIGS太阳能电池碱金属掺杂技术和低温沉积技术。学习难点：（1）CIGS太阳能电池结构特点及其工作原理。（2）CIGS太阳能电池中吸收层的制备方法。（3）CIGS太阳能电池碱金属掺杂技术及其原理。铜铟镓硒太阳能电池的发展史Part.01作为第二代太阳能电池，CIGS（铜铟镓硒）太阳能电池已有70多年的研究历史。CIGS材料最早是由Hahn等人研究发现的，1953年他们首次人工合成出CuInSe2（CISe）晶体，发现该材料为直接带隙半导体且带隙宽度为1.01eV，为后续的CIGS太阳能电池奠定了理论基础。CIGS太阳能电池的发展如要分为以下三个阶段：

（1）实验萌芽开发阶段

（2）小面积效率提升阶段

（3）大面积组件试产阶段01铜铟镓硒太阳能电池的发展史铜铟镓硒太阳能电池的发展史01（1）实验萌芽开发阶段（1974~1981年）1974年，CISe单晶/CdS异质结太阳能电池第一次被发表出刊，文章中首次提出的黄铜矿类P型半导体作为吸收层与带隙大的N型半导体进行组合制备CIS太阳能电池，实验验证其转化效率达12.0%。1976年，Kazmerski等人在过量的Se蒸气条件下共蒸发CuInSe2粉末，制备出了第一个CuInSe2/CdS薄膜太阳能电池，其转换效率达到了4.5%。几年后，波音公司采用共蒸发技术，制备出转换效率为11.2%的CIS薄膜太阳能电池。与此同时，Kazmerski和Sanborn报道了转换效率为3.6%的铜铟硒（CuInSe2）同质结太阳能电池。1981年，Mickelsenand等采用各个元素的共蒸发制备出转换效率为9.4%的CIS太阳能电池。01（2）小面积效率提升阶段（1986~2015年）铜铟镓硒太阳能电池的发展史1986年，ARCOSolar公司Potter等人采用厚度小于50nm的致密CdS和1~2μm的ZnO透明导电层代替厚度为6μm的(Cd1-xIn)S层，提出了经典的ZnO/CdS/CuInSe2的太阳能电池结构，这种结构被广大研究者们认可，并被广泛应用。Boeing公司的Chen等人通过在CIS薄膜中掺入Ga替代一部分In得到铜铟镓硒（CIGS）薄膜，使得禁带宽度（Eg）由1.02eV提高至1.6eV，大大提高了太阳能电池的开路电压和转换效率。1994年，波音公司实现了CIGS电池15.9%转化效率的突破。随后2008年美国可再生能源实验室（NREL）又进一步将CIGS电池的转化效率提高到了19.9%。2010年，德国太阳能和氢能源研究中心（ZSW）使CIGS电池达到了20.3%的转化效率，这大大缩短了CIGS薄膜太阳能电池与多晶硅太阳能电池之间的差距。2013年瑞士联邦材料科学与技术实验室（EMPA）采用重碱金属掺杂处理后，将柔性CIGS薄膜太阳能电池的转化效率提升到了20.4%。2019年Nakamura采用无Cd缓冲层（Zn0.8Mg0.2）O/Zn（O,S,OH）制备出了小面积CIGS电池，其转化效率达到23.35%，也是目前CIGS领域的最高效率。（2）小面积效率提升阶段（1986~2019年）01铜铟镓硒太阳能电池的发展史铜铟镓硒太阳能电池的发展史01（3）大面积组件试产阶段（1995~年）德国氢能和可再生能源研究中心(ZSW)与斯图加特大学合作研究，采用共蒸发工艺制备吸收层CIGS薄膜，电池组件效率逐年提高。1995年，100cm²组件效率达到10%。到1998年，面积为1000cm²的组件效率达到12%。2000年，ZSW与德国Würth公司合作建立了60cm×120cm大面积组件中试线，年产量达到1MWp。到2005年，该公司60cm×120cm大面积组件的最高效率达到13%，平均转换效率为11.5%，是大面积玻璃衬底CIGS薄膜电池的最高水平。2005年是CIGS薄膜电池产业化快速发展的一年。日本的ShowaShell和HondaMotor分别建立了20MW/a和27.5MW/a的生产线。德国Würth公司的15MW生产线也宣布投产，到2007年CIGS电池全球产能达到了70MW。2010年美国公司（Miasolé）制备的大面积CIGS电池（0.97m2）效率达到了15.7%，该效率经过了NREL认证，在很长时间内保持了世界纪录。直到2012年，才由该公司再次突破，效率达到了17.3%。并且大规模生产的组件也达到14%（1m2）的光电转换效率。以上研究结果均表明CIGS薄膜太阳能电池组件发展也十分迅速。（3）大面积组件试产阶段（1995~年）01铜铟镓硒太阳能电池的发展史铜铟镓硒太阳能电池的特点Part.02（1）CIGS的物理化学性能02铜铟镓硒太阳能电池的特点图6-1CIS/CIGS黄铜矿晶胞结构CIGS是在CuInSe2（CIS）的基础上发展起来的，CIS是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物，属于四方晶系的黄铜矿结构。在黄铜矿晶体结构中，每个Cu原子或In原子都与四个Se原子键合，而每个Se原子都与两个Cu原子和两个In原子键合。当Ga原子取代CIS中的部分In原子时，形成CIGS，因此CIGS也属于黄铜矿结构。CIS晶体的晶格常数分别为a=5.789Å，c=11.62Å，其晶格常数比值c/a为2.0059，略大于标准值2。如果Ga原子替换In原子即可得到CIGS晶体，晶体会发生晶格收缩，使得晶格常数比值c/a略小于标准值。图6-2In2Se3-Cu2Se伪二元平衡相图（α是CIS黄铜矿相；β是ODC；δ是闪锌矿）02铜铟镓硒太阳能电池的特点当温度较低（100~200℃）时，α+β混合相占据了大部分的区域，且α单相的区域很小。当Cu含量在24%~25%范围内时，呈现α单相区域，且当温度逐渐升高，α单相区域也随之变大。当温度升高到520℃时，α+β混合相向α+δ混合相发生转变。当Cu含量在25%-30%范围时，α+Cu2Se混合相为主要相。这表明，当CIS处于富Cu态时，体系易生成Cu2Se相。（1）CIGS的物理化学性能图6-3Cu2Se-In2Se3-Ga2Se3室温三元相图02铜铟镓硒太阳能电池的特点（1）CIGS的物理化学性能当Ga替代部分In时，随着Ga含量的增多，相图中α单相区域变宽。CIGS生成α单相所需要的Ⅰ/Ⅲ族原子比例范围比CIS的更宽。当Ga含量为10~25%范围时，α+β+δ混合相的区域相对较小，通常此类的CIGS太阳能电池具有很高转换效率。CIGS薄膜主要利用Ga元素取代In元素后形成Cu(In1-xGax)Se2晶体作为电池的吸光层，且CIGS吸收层的禁带宽度会随着晶体内Ga/(Ga+In)比值的变化，其禁带宽度一般在1.02~1.68eV范围内。CIGS禁带宽度依赖于Ga元素含量的经验公式如下：02铜铟镓硒太阳能电池的特点（1）CIGS的物理化学性能式中，x=Ga/(Ga+In)，表示Ga元素在III族元素的含量比例；b为弯曲系数，其取值范围为0.11~0.26，一般取值为0.21；EgCIS和EgCGS分别表示CuInSe2和CuGaSe2的禁带宽度。当x=0时，CIGS薄膜（CIS）的带隙为1.04eV，当x=1时CIGS薄膜（CGS）的带隙为1.65eV。图6-4CIGS薄膜太阳能电池结构示意图（2）CIGS太阳能电池的结构特点02铜铟镓硒太阳能电池的特点CIGS薄膜太阳能电池通常是由多层化合物叠加构成的半导体电池，各层材料由下往上依次是衬底材料、背电极（Mo）、吸收层（CIGS）、缓冲层（CdS、ZnS、ZnSe等材料）、窗口层（i-ZnO和ZnO、AZO、ITO）、减反射层以及栅电极。CIGS吸收层薄膜作为CIGS薄膜太阳能电池的主要吸光层，呈现出弱掺杂的P型半导体特性。硫化镉（CdS）缓冲层位于吸收层和窗口层之间，呈N型半导体特性。（2）CIGS太阳能电池的结构特点02铜铟镓硒太阳能电池的特点CIGS薄膜太阳能电池的工作原理主要是n型CdS缓冲层（Eg＜2.4eV）透过小于2.4eV的光子到吸收层，从而在吸收层中产生电子-空穴对。而对于Eg≥2.4eV的高能光子则被CdS薄膜吸收，对光电流没有贡献，即异质结的“窗口效应”。当缓冲层和窗口层很薄时，仍会有部分高能光子穿过窗口层和缓冲层后进入到CIGS吸收层中，在CIGS太阳能电池起到窗口作用。由于p-n结界面（在CIGS/CdS之间）贯穿内置电场中，扩散长度区域内的电子从p型吸收层漂移到n型缓冲层，并被n型电极收集。同样地，空穴从n型层漂移到p型层，并被p型电极收集。通过调节Ga梯度（靠近Mo背电极）在CIGS层中产生的背表电场是一种额外的机制，它将电子漂移向p-n结处，最终由n型电极收集。背表电场降低了电池器件背面的少数载流子复合。02铜铟镓硒太阳能电池的特点（3）CIGS太阳能电池的性能特点与非晶硅、碲镉（CdTe）等其他类型的薄膜太阳能电池相比，CIGS薄膜太阳能电池具有以下特点：（1）光吸收能力强，光电转换效率高（2）性能稳定，无光致衰减效应（3）光学带隙可调控，弱光性能好（4）可在柔性基底上制备，最适合光伏组件用（5）能源回收周期短铜铟镓硒太阳能电池的制备方法Part.0303铜铟镓硒太阳能电池的制备方法1.衬底的选择CIGS太阳能电池的衬底材料通常分为刚性衬底和柔性衬底两类。A.刚性衬底一般选择钠钙玻璃和FTO玻璃等不可弯曲的材料，B.柔性衬底一般选择聚合物和金属材料，金属材料包括不锈钢箔、铜箔、钼箔和铝合金等具有可弯曲性的金属箔。成本低廉；SLG热膨胀系数与Mo和CIGS热膨胀系数相近；SLG中的Na+在加热时会穿过上层的Mo扩散到CIGS吸光层中，促进CIGS晶体生长，且Na掺杂还能提高CIGS的P型掺杂浓度，钝化晶界缺陷态、修饰晶界的电场性质，从而提高CIGS的电学性质。1.1玻璃衬底03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法1.2

聚合物衬底PI相比于金属衬底，PI具有轻便、无杂质离子扩散、耐较高温度等优点，且其更适合用于内联式CIGS电池组件的卷对卷生产，常被作为CIGS的柔性衬底材料。缺点：PI的耐高温极限为450℃，CIGS吸收层在这一温度下的结晶性不够好；PI衬底自身不含Na元素，因此需要对CIGS吸收层进行碱金属掺杂1.3

不锈钢衬底不锈钢衬底是柔性金属衬底材料研究最多的材料。它不但具有质量轻、可弯曲、不怕摔碰、重量比功率高、显著降低发射成本等优点，而且在空间高能粒子的辐照下具有很好的稳定性。作为柔性衬底，后续可进行绕带式沉积，利于实现大规模生产，并显著降低生产成本。03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法2.背电极板的制备作为CIGS太阳能电池的正极，背电极主要负责收集空穴，最常用的背电极材料为金属Mo。实验室及工业化生产线上，一般使用溅射法制备Mo电极，为满足实际需求，Mo电极一般会采用多层或者双层的结构。图6-5Mo背电极制备流程图03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法3.CIGS吸收层的制备CIGS吸收层的制备方法有很多种，主要可以分为真空法和非真空法。真空法主要包括真空蒸发法和磁控溅射法。非真空法主要包括电沉积法、喷涂热分解法和溶液法。3.1真空蒸发法图6-6真空蒸发法装置真空蒸发法是在真空条件下，通过加热源对金属源物质（Cu、In、Ga、Se）进行加热，使得其原子或分子蒸发，后经气相传输到衬底表面沉积。03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法根据制备工艺的阶段数，真空蒸发法可分为一步法，二步法和三步法。一步法是将金属源物质Cu、In、Ga、Se四种元素按照一定比例同步沉积到衬底上。此方法操作简单，但薄膜中元素成分可控性差，薄膜表面易呈富Cu状态，内部缺陷较多。薄膜晶体质量相对较差。二步法是波音公司首次提出的，具体工艺为在衬底温度400-450℃条件下，第一阶段先蒸发沉积Cu、In、Ga、Se四种元素的CIGS预制层，此阶段保持薄膜富Cu状态，第二阶段提高In、Ga、Se三种混合元素的沉积速率，降低Cu的蒸发速率，最终得到贫Cu成分的薄膜。3.1真空蒸发法03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法三步法的制备过程是在Se或H2Se氛围中，衬底温度在300~400℃时，第一阶段先蒸发In、Ga、Se元素制备(In，Ga)xSey预制层，第二阶段提高衬底温度为500~600℃时，蒸发沉积Cu、Se制备稍微富Cu的薄膜，第三阶段继续蒸发In、Ga、Se，最终得到贫铜成分的CIGS薄膜，形成夹心结构，使薄膜贫Cu，最后通过硒化处理使其满足理想CIGS薄膜的化学计量比，从而制出CIGS吸收层薄膜。图6-7三步法制备CIGS薄膜的工艺示意图03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法3.2磁控溅射法图6-8磁控溅射装置（1-电源；2-进水口；3-水出口；4-氩气进口；5-真空泵连接口；6基片架；7-靶材；8-铜背靶；9-磁铁；10-极板；11-基片偏压）磁控溅射法是在真空条件下，在阴极和阳极之间加入电场，氩原子被电离产生高能粒子Ar+和e-，在电场作用下，高能粒子Ar+轰击靶材表面，使靶材发生溅射逸出靶材原子或分子，靶材原子或分子沉积到基片上形成薄膜。先采用单靶溅射制备Cu、In、Ga元素的预制层，后在高温的Se气氛下高温退火硒化，使铜铟镓（Cu-In-Ga）预制层经过硒化处理后转换为具有黄铜矿相结构的CIGS吸收层，从而得到满足化学计量比的CIGS薄膜。03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法3.3电沉积法电沉积法是电解液中金属离子，在电场作用下，向阴极移动，并在阴极附近得到电子发生还原反应生成金属单质，最终在阴极表面上沉积得到薄膜。电沉积法包括一步法和分步法。一步法是在一个电解槽内，使用同步沉积方法，使Cu，In、Ga和Se元素同步沉积，得到CIGS薄膜。分步法是按照Cu，In、Ga和Se元素的顺序，先后沉积得到Cu，In、Ga预制层，精准控制每一层的厚度和元素含量，后经过高温硒化退火工艺制备出CIGS薄膜。03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法溶液法，也称液相法，主要是通过将原料（金属盐、金属氧化物、金属单质、硫族化合物）溶解于溶剂（有机、无机溶剂）中，形成前驱体溶液或溶胶，再通过刮涂、丝网印刷、旋涂等手段制备成膜，经退火硫化等处理得到CIGS吸收层。此法主要包括油墨法，联氨法（肼溶液），喷雾热解法，印刷法等。3.4溶液法图6-9油墨法制备CIGS薄膜的主要步骤03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法3.5其它方法制备CIGS薄膜的方法还有喷涂热解法、分子束外延法。喷涂热解法是将含有预沉积的金属Cu、In、Ga元素的金属盐加热熔化，之后用高速喷枪将溶液喷涂到基片上，得到预制层，之后再进行硒化退火，最终制备出CIGS薄膜。分子束外延法是在真空条件下，通过分子激光器轰击靶材，使靶材中的原子、分子激发出来，在等离子羽辉的作用下在衬底上沉积成膜。03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法表6-1CIGS薄膜的制备方法及其优缺点方法优点缺点共蒸发对于实验室小电池是一种良好的制备技术同时控制不同蒸发源是困难和化学计量变化大，重现性低和大面积均匀性差磁控溅射较好地控制沉积速度和获得较好结晶性，有利于工业化生产运行成本较高，容易产生多相，带隙梯度调控困难电沉积低成本、室温沉积工艺优化困难丝网印刷术材料损耗低，堆积密度大，高产能在喷涂过程中原材料损耗大旋涂法实验室制备薄膜均匀性，设备成本低，操作方便大面积不均匀，卷对卷工艺不兼容刮涂法材料浪费少，卷对卷工艺兼容，更好的化学计量控制溶剂蒸发速度慢，容易堆积分子束外延超高真空沉积造成污染最小，该方法有利于基础研究，如缺陷和相分离研究不适合工业化生产，大面积沉积尚未报道，高效率尚未报道气相外延生长对基础研究有用，生长速度比分子束外延快不适合工业化生产，大面积器件未报道，工业化生产不兼容电子束沉积良好的化学计量比和高纯相薄膜大面积沉积未见报道，工业生产不兼容脉冲激光淀积靶材组分可以直接转移到薄膜上，可产良率的化学计量，可以避免CuSe二元相不适合大面积应用，大面积薄膜尚未见报道喷墨印刷简化了工艺生产步骤，卷对卷技术兼容低转换效率03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法4.缓冲层的作用与制备CdS是缓冲层备选材料中最受瞩目的材料之一，主要是因为立方相CdS的晶格常数a约为0.583nm，与CIGS的晶格失配约1%。硫化镉的导带能级Ec=-0.52eV，价带能级Ev＝1.88eV，禁带宽度2.40eV，能很好缓冲CIGS吸收层和ZnO窗口层的能带差异。CIGS薄膜太阳能电池核心部分是以N型窗口层和P型CIGS吸收层共同构成的PN结。窗口材料常采用ZnO材料，其晶格常数约为0.325nm，而黄铜矿结构CIGS的晶格常数约为0.577nm，两者晶格失配达到44%。为了调节带隙，充分释放CIGS/ZnO的界面应力，保护CIGS薄膜表层的微观结构，钝化界面缺陷，需要在CIGS和ZnO之间加入缓冲层，即一层晶格常数合适、禁带宽度适中的N型半导体材料，即为缓冲层。4.1CdS缓冲层03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法图6-11化学水浴法制备CdS缓冲层工艺流程CdS缓冲层通常首选化学水浴法进行制备。化学水浴法制备CdS缓冲层主要是先配制不同浓度的硫脲和CdSO4溶液作为S源和Cd源，然后再取入氨水和去离子水配制反应混合溶液，随后将待沉积的衬底或CIGS吸收层垂直置于混合溶液中，在合适温度（80℃）下进行搅拌反应，沉积得到一定厚度的CdS薄膜，最后将得到的CdS薄膜加热烘干。03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法4.1CdS缓冲层材料功能a/nm带隙/eV晶格失配△Ec/eVCIGS吸收层0.5771.20

ZnO窗口层0.3253.2044%0.09CdS缓冲层0.5832.401%0.3ZnS缓冲层0.5413.656%0.8In2S3缓冲层0.5362.07%0.58表6-2几种基于CIGS吸收层的缓冲层晶体结构及电学性质对比ZnS和In2S3薄膜的制备方法主要有脉冲激光沉积法、射频磁控溅射法、化学气相沉积法、化学水浴沉积法。03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法5.窗口层的制备窗口层主要由宽带隙N型半导体和透明导电氧化物（TCO）组成，作用在于最大限度地使完整的太阳光谱透过后到达CIGS吸引层，即收集电流。宽带隙N型半导体材料一般为本征ZnO，它的禁带宽度达3.2eV，具有良好的透光、耐高温和化学稳定性，且其电阻率高，能防止缓冲层中短路通道的形成。i-ZnO/ITO窗口层常采用射频溅射沉积法进行制备。03铜铟镓硒太阳能电池的制备方法6.减反层及顶电极的制备图6-12前电极Ni-Al与低阻ZnO之间的欧姆接触顶电极是电池的负极，起收集电子的作用，一般为金属Ni-Al栅状电极。通常采用真空热蒸镀法制备，Ni的厚度约为50nm，Al的厚度约为300nm。Ni可以提高Al与窗口层之间的欧姆接触，并抑制Al进入窗口层。为了减少电池的反光率，增加电流密度，在电池上面通常还会用蒸发或溅射的方法蒸镀一层减反射层。在CIGS薄膜电池中，ZnO窗口层的折射率为1.9左右，所以减反层折射率约为1.4，MgF2材料的折射率为1.39，CIGS薄膜电池常采用MgF2材料作其减反层。高效铜铟镓硒太阳能电池技术Part.0404高效铜铟镓硒太阳能电池技术1.CIGS太阳能电池碱金属掺杂技术碱金属掺杂被认为是一种可以有效提升CIGS电池效率的手段。1993年，Hedström等人发现，使用钠钙玻璃做衬底制备出的CIGS太阳能电池，由于Na元素的引入，导致其开路电压Voc、填充因子FF、电池效率η均有明显提升，同时也改变了CIGS吸收层的形貌。1997年美国NREL实验室的Contreras等人分别向CIGS吸收层中掺入了Na、K、Cs，发现三种元素的掺入都可以提升器件电学性能，主要表现为开路电压Voc提升，且Na对于电池开路电压的提升最为明显，结果如下表6-3所示。掺杂试样Voc（mV）Jse（mA/cm²）FF（%）Efficiency（%）-52031.267.210.9NaF60230.872.713.5KF55132.666.011.9CsF53732.365.711.6表6-3不同碱金属掺杂对器件性能的影响04高效铜铟镓硒太阳能电池技术1.1碱金属掺杂机理碱金属掺杂可以通过钝化CIGS吸收层内部或表面的施主缺陷，提高薄膜中空穴的浓度，降低费米能级，进而抑制了吸收层内部和界面的载流子复合，最终提升太阳能电池的VOC和FF。当GIGS薄膜内Na元素浓度高时，Na将取代CuInSe2中的Cu而形成新的NaInSe2相，发生如下反应：Na+CuInSe2→NaInSe2+Cu（6-4）（1）相分离调控带隙新形成的NaInSe2相的带隙大于CuInSe2。经计算，当CuInSe2相中的1/8的Cu替换为Na，则带隙将增加0.11eV，带隙的增大有利于开路电压的提升。04高效铜铟镓硒太阳能电池技术（2）浅能级掺杂调控载流子GIGS薄膜内引入低浓度Na元素后，Na会取代CIGS中Cu和In形成NaCu和NaIn替位缺陷，NaCu缺陷在电学上不活泼，对薄膜性能影响较小。而NaIn形成的受主能级要比CuIn形成的能级浅，NaIn缺陷的引入可以提高CIGS的空穴密度。（3）掺杂钝化硒空位缺陷VSe空位缺陷VSe属于施主缺陷，会降低CIGS吸收层的有效受主掺杂。且作为光生电子与空穴的复合中心，VSe缺陷会损耗器件中的光生载流子，降低电池效率。因此在CIGS电池要尽量减少VSe。Na元素的掺杂可以有效减少VSe。主要是因为，Na元素的掺杂能够降低薄膜表面功，从而减弱氧分子键力，进一步形成能进入CIGS薄膜晶格的活性氧原子。这些活性氧原子能够与VSe发生如下反应：O+CunInnSe2n-1VSe→CunInnSe2n-1O（6-6）04高效铜铟镓硒太阳能电池技术1.2碱金属掺杂方法图6-13CIGS吸收层的碱金属掺杂方法（MF为碱金属氟化物）根据薄膜制备的不同阶段，碱金属掺杂方法可分为前掺法、中掺