2025中国电科五十五所校园招聘笔试历年典型考点题库附带答案详解试卷2套

2025中国电科五十五所校园招聘笔试历年典型考点题库附带答案详解（第1套）一、单项选择题下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共30题）1、某半导体器件中，载流子的扩散长度主要取决于以下哪个参数？A.载流子迁移率和寿命B.电场强度和掺杂浓度C.温度和禁带宽度D.表面复合速率和器件尺寸2、在CMOS电路中，下列哪种情况会导致静态功耗显著增加？A.输入信号切换频率升高B.电源电压波动C.PN结漏电流增大D.负载电容增大3、在雷达信号处理中，脉冲压缩技术主要用于提高以下哪项性能？A.距离分辨率和探测灵敏度B.方位分辨率和抗干扰能力C.多普勒频移测量精度D.信号传输带宽效率4、某放大电路的输入电阻为10kΩ，输出电阻为1kΩ。若希望获得较高的电压增益稳定性，应采用哪种负反馈组态？A.电压串联负反馈B.电流串联负反馈C.电压并联负反馈D.电流并联负反馈5、在数字基带传输系统中，奈奎斯特第一准则用于解决下列哪种问题？A.信道带宽受限下的码间串扰B.高斯白噪声引起的误码C.载波同步失准D.信号非线性失真6、在CMOS反相器中，当输入电压为低电平时，下列关于MOS管工作状态的描述正确的是？A.NMOS导通，PMOS截止B.NMOS截止，PMOS导通C.NMOS和PMOS均导通D.NMOS和PMOS均截止7、设某线性时不变系统的单位冲激响应为h(t)=e^(-2t)u(t)，则该系统的频率响应H(jω)为？A.1/(2+jω)B.1/(1+j2ω)C.2/(2+jω)D.1/(jω-2)8、在N型半导体中，以下关于载流子浓度关系的描述正确的是？A.自由电子浓度远大于空穴浓度B.空穴浓度远大于自由电子浓度C.自由电子与空穴浓度相等D.无自由载流子存在9、某放大电路的电压增益为40dB，则其对应的电压放大倍数为？A.40B.100C.400D.100010、若某数字系统采用8位二进制补码表示整数，则其能表示的最小十进制数值为？A.-127B.-128C.-255D.011、在N型半导体中，主要的载流子是？A.空穴B.自由电子C.正离子D.负离子12、某放大电路的电压增益为40dB，则其电压放大倍数约为？A.10B.100C.1000D.400013、在CMOS电路中，P沟道MOSFET通常工作在哪种区域时导通？A.漏极电压高于源极B.栅极电压低于源极一定阈值C.栅极电压高于源极D.漏极电流为零14、若某系统传递函数为G(s)=1/(s²+2s+10)，则该系统的阻尼比为？A.0.1B.0.316C.0.5D.0.70715、在理想运算放大器构成的反相放大电路中，输入电阻主要由？A.运放的开环输入电阻决定B.反馈电阻决定C.输入端外接电阻决定D.负载电阻决定16、在模拟放大电路中，引入负反馈后，下列哪项性能通常会变差？A．增益稳定性

B．通频带宽度

C．非线性失真

D．电压增益17、某N沟道增强型MOSFET的阈值电压为2V，若其栅极电压为5V，源极接地，漏极电压为3V，则该MOSFET工作在哪个区域？A．截止区

B．饱和区

C．线性区

D．击穿区18、在数字电路中，下列哪种触发器具有“空翻”现象？A．主从JK触发器

B．边沿D触发器

C．基本RS触发器

D．同步RS触发器19、已知某二进制数为11010110，若将其视为8位有符号数（补码表示），其对应的十进制数值是多少？A．-42

B．-86

C．42

D．8620、在理想运算放大器构成的同相输入比例放大电路中，若反馈电阻为100kΩ，输入电阻为10kΩ，则电压增益为多少？A．10

B．11

C．100

D．-1021、在CMOS数字电路中，以下关于功耗的说法哪一项是正确的？A.动态功耗主要由晶体管漏电流引起B.静态功耗在时钟频率为零时仍可能存在C.功耗与电源电压的平方成反比D.提高阈值电压会显著增加动态功耗22、在理想运算放大器构成的负反馈电路中，下列哪项是“虚断”特性的正确描述？A.两输入端电压相等B.输入电流近似为零C.输出阻抗趋近于无穷大D.增益与反馈电阻无关23、某数字系统采用8位二进制补码表示整数，则其能表示的最小整数是？A.-127B.-128C.-255D.-25624、在奈奎斯特采样定理中，若要无失真恢复原始模拟信号，采样频率至少应为信号最高频率的多少倍？A.1倍B.1.5倍C.2倍D.4倍25、下列关于光纤通信中单模光纤与多模光纤的比较，哪一项是正确的？A.多模光纤的纤芯直径通常小于单模光纤B.单模光纤适用于短距离、低成本场景C.多模光纤因模式色散导致带宽较低D.单模光纤使用LED作为常用光源26、在CMOS逻辑门电路中，若输入端悬空，其输入电平状态通常被视为：A.高电平B.低电平C.不确定状态D.固定为逻辑127、某理想运算放大器构成同相放大电路，反馈电阻为10kΩ，输入电阻为1kΩ，则电压增益为：A.10B.11C.-10D.-1128、在N型半导体中，主要载流子是：A.空穴B.正离子C.自由电子D.负离子29、某数字系统中采用奇校验机制，若传输数据为10101100，则校验位应为：A.0B.1C.2D.无须校验位30、在RLC串联谐振电路中，当电路发生谐振时，以下描述正确的是：A.阻抗最大，电流最小B.感抗与容抗相等，相互抵消C.电路呈容性D.品质因数Q越低，选择性越好二、多项选择题下列各题有多个正确答案，请选出所有正确选项（共15题）31、在半导体材料特性中，关于载流子迁移率的影响因素，下列说法正确的是：A.温度升高通常导致迁移率下降B.晶格缺陷会增加载流子散射，降低迁移率C.掺杂浓度越高，迁移率一定越高D.电场强度增大时，迁移率保持不变32、在模拟集成电路设计中，差分放大器的关键性能指标包括：A.共模抑制比（CMRR）B.输入失调电压C.增益带宽积D.静态功耗33、关于CMOS工艺中的短沟道效应，下列现象中属于其典型表现的是：A.阈值电压随沟道长度减小而降低B.载流子速度饱和C.漏极感应势垒降低（DIBL）D.栅极氧化层厚度增加34、在雷达信号处理中，脉冲压缩技术常用的目的包括：A.提高距离分辨率B.增强抗干扰能力C.提高发射功率D.改善信噪比35、关于锁相环（PLL）电路的基本组成模块，以下哪些是必需的：A.压控振荡器（VCO）B.低通滤波器（LPF）C.分频器D.相位比较器36、在半导体材料特性分析中，下列关于载流子迁移率的说法哪些是正确的？A.迁移率随温度升高而单调增加B.杂质浓度越高，迁移率通常越低C.空穴的迁移率一般低于电子D.电场强度增大时，迁移率始终保持不变37、在模拟集成电路设计中，差分放大器常用于抑制共模信号，下列哪些措施可有效提高共模抑制比（CMRR）？A.提高尾电流源的输出阻抗B.增大输入管的跨导C.改善差分对管的匹配性D.减小负载电阻38、下列关于CMOS工艺中闩锁效应（Latch-up）的描述，哪些是正确的？A.由寄生双极晶体管形成正反馈回路引起B.可通过增加衬底接触和阱接触来缓解C.通常发生在NMOS输入端过压时D.高掺杂衬底有助于抑制该效应39、在数字信号处理中，关于有限冲激响应（FIR）滤波器的特性，下列说法正确的是？A.系统始终为稳定系统B.可实现线性相位特性C.存在反馈结构D.极点位于单位圆内40、在射频电路设计中，关于史密斯圆图的应用，下列说法正确的是？A.可用于阻抗匹配网络的设计B.能直观表示反射系数的模和相位C.圆图上等电阻圆与等电抗弧线正交D.可直接读取网络的S参数41、在半导体材料中，下列关于载流子运动的描述正确的是：A.扩散电流是由载流子浓度梯度引起的B.漂移电流是由电场作用下载流子定向运动形成的C.空穴的运动本质上是价带电子的反向运动D.温度升高会降低本征载流子浓度42、下列关于放大电路频率响应的说法中，正确的是：A.低频段增益下降主要受耦合电容影响B.高频段增益下降主要由晶体管结电容和分布电容引起C.带宽定义为增益下降3dB时的频率范围D.共射放大电路的高频响应优于共基电路43、下列关于CMOS集成电路特性的描述，正确的是：A.静态功耗极低B.抗干扰能力强C.输入阻抗高D.速度与TTL电路相当44、关于数字系统中的时序逻辑电路，下列说法正确的是：A.触发器是构成时序电路的基本单元B.同步时序电路中所有触发器共用同一时钟信号C.异步计数器的各级触发器时钟信号不同D.状态转移仅由当前输入决定45、在信号处理系统中，下列关于采样定理的描述正确的是：A.采样频率必须大于信号最高频率的两倍B.采样后信号频谱是原信号频谱的周期延拓C.满足采样定理可避免频谱混叠D.低通滤波器可用于重建原始信号三、判断题判断下列说法是否正确（共10题）46、在MOSFET器件中，阈值电压是指使沟道开始形成反型层所需的最小栅源电压。A.正确B.错误47、在理想运算放大器中，输入阻抗为无穷大，输出阻抗为零。A.正确B.错误48、奈奎斯特采样定理指出，采样频率必须大于信号最高频率的两倍才能无失真恢复原信号。A.正确B.错误49、在CMOS电路中，P管通常构建在N型衬底上。A.正确B.错误50、二进制数1111转换为十进制数等于15。A.正确B.错误51、在CMOS电路中，当输入电压处于高电平时，PMOS管导通，NMOS管截止。A.正确B.错误52、奈奎斯特采样定理指出，采样频率至少应为信号最高频率的两倍，才能无失真恢复原信号。A.正确B.错误53、在理想运算放大器的负反馈电路中，可以认为其“虚短”和“虚断”特性同时成立。A.正确B.错误54、二进制数1101的十进制表示为14。A.正确B.错误55、在一个线性时不变系统中，系统对输入信号的微分响应等于该系统对原输入响应的微分。A.正确B.错误

参考答案及解析1.【参考答案】A【解析】扩散长度表示少数载流子在复合前扩散的平均距离，其计算公式为$L=\sqrt{D\tau}$，其中$D$为扩散系数，$\tau$为载流子寿命。而扩散系数$D$与迁移率$\mu$成正比（爱因斯坦关系：$D/\mu=kT/q$）。因此，扩散长度由载流子迁移率和寿命共同决定。其他选项中的电场强度影响漂移运动，温度和禁带宽度影响本征载流子浓度，表面复合速率影响表面行为，但不直接决定体内的扩散长度。2.【参考答案】C【解析】CMOS电路的静态功耗主要来源于漏电流，包括亚阈值漏电、栅极漏电和PN结反向漏电。当工艺尺寸缩小，漏电流增大，静态功耗随之上升。而输入频率升高（A）和负载电容增大（D）影响的是动态功耗（与$CV^2f$成正比）。电源波动可能影响稳定性，但不直接导致静态功耗增加。因此，PN结漏电流增大是静态功耗上升的主因。3.【参考答案】A【解析】脉冲压缩通过发射宽脉冲（高能量）并利用匹配滤波接收实现窄脉冲输出，兼顾了探测距离（能量）和距离分辨率（脉冲宽度）。因此，它在不牺牲探测灵敏度的前提下提升距离分辨率。方位分辨率由天线波束宽度决定，多普勒精度与相干处理时间相关，带宽效率并非其主要优化目标。故正确答案为A。4.【参考答案】A【解析】电压串联负反馈能稳定输出电压，降低输出电阻，提高输入电阻，且电压增益稳定性好。本题中要求增益稳定，且原输入电阻较高，采用电压串联反馈可进一步提升输入阻抗并稳定电压增益。其他反馈形式：电压并联降低输入电阻，电流反馈稳定输出电流，不适用于电压增益稳定需求。因此A为最优选择。5.【参考答案】A【解析】奈奎斯特第一准则指出：在无码间串扰条件下，系统最高传码率可达信道带宽的两倍。通过设计满足“奈奎斯特脉冲形状”的传输特性（如升余弦滚降），可在采样时刻消除相邻码元的干扰。该准则主要用于解决带宽受限系统中的码间串扰问题。误码率受噪声影响（B），载波同步属于载波恢复问题（C），非线性失真需通过线性化技术处理，不在其考虑范围内。6.【参考答案】B【解析】CMOS反相器由一个NMOS和一个PMOS构成。当输入为低电平时，NMOS的栅源电压低于阈值，处于截止状态；而PMOS的栅源电压为负且绝对值大于阈值，因此导通。此时输出通过PMOS连接到电源，输出高电平。该工作状态实现了反相器的逻辑功能，且静态功耗极低。7.【参考答案】A【解析】频率响应H(jω)是冲激响应h(t)的傅里叶变换。已知e^(-at)u(t)的傅里叶变换为1/(a+jω)。本题中a=2，因此H(jω)=1/(2+jω)。该系统为一阶低通滤波器，具有衰减高频分量的特性，广泛应用于信号调理电路中。8.【参考答案】A【解析】N型半导体通过掺杂V族元素（如磷）引入大量自由电子，使其成为多数载流子，而空穴为少数载流子。因此自由电子浓度远高于空穴浓度。这种载流子分布特性决定了N型半导体的导电机制以电子导电为主，广泛应用于各类晶体管和集成电路中。9.【参考答案】B【解析】分贝与放大倍数的关系为：Av(dB)=20log₁₀(Av)。由40=20log₁₀(Av)，解得log₁₀(Av)=2，故Av=10²=100。即电压放大倍数为100倍。该换算常用于分析多级放大器的总增益，是模拟电路设计中的基本计算技能。10.【参考答案】B【解析】8位补码中，最高位为符号位。正数范围为0~127，负数范围为-1~-128。最小值为10000000，对应十进制-128。补码表示法的优点是零的表示唯一，且加减法可统一处理，广泛应用于计算机和数字信号处理系统中。11.【参考答案】B【解析】N型半导体是通过在纯净半导体（如硅）中掺入五价元素（如磷）形成的。五价元素提供一个额外的自由电子，因此主要载流子为自由电子，空穴为少数载流子。这一特性是半导体物理中的基础知识点，广泛应用于二极管、晶体管等器件设计中。12.【参考答案】B【解析】分贝（dB）与放大倍数的关系为：G(dB)=20log₁₀(Av)，代入40=20log₁₀(Av)，得log₁₀(Av)=2，故Av=10²=100。该计算是模拟电路分析中的基本技能，常用于评估放大器性能。13.【参考答案】B【解析】P沟道MOSFET在栅极电压低于源极电压且差值超过阈值电压（Vth）时形成导电沟道，从而导通。CMOS电路利用NMOS和PMOS互补工作，是数字集成电路的核心结构，理解其导通条件对电路设计至关重要。14.【参考答案】B【解析】标准二阶系统形式为ωₙ²/(s²+2ζωₙs+ωₙ²)，对比得ωₙ²=10，故ωₙ=√10，2ζωₙ=2，解得ζ=1/√10≈0.316。阻尼比影响系统响应特性，是自动控制中的核心参数。15.【参考答案】C【解析】反相放大电路中，由于“虚断”特性，输入电流几乎全部流经输入电阻，因此输入电阻约等于外接输入电阻。反馈电阻影响电压增益但不决定输入电阻。这是模拟电路设计中的关键概念。16.【参考答案】D【解析】负反馈会降低电路的电压增益，但能提高增益稳定性、展宽通频带、减小非线性失真。这是负反馈放大电路的基本特性。虽然增益下降，但电路整体性能更优，因此在实际应用中广泛使用。本题考查负反馈对放大器性能的综合影响，D项为唯一变差的指标。17.【参考答案】C【解析】V_GS=5V>V_th=2V，器件导通；V_DS=3V，V_GS-V_th=3V，故V_DS=V_GS-V_th，处于饱和与线性区边界，通常认为进入饱和区前属线性区。但V_DS≤V_GS-V_th，满足线性区条件，因此工作在线性区。本题考查MOSFET工作区域判断。18.【参考答案】D【解析】“空翻”是指在时钟脉冲作用期间，输出状态发生多次翻转的现象。同步RS触发器在时钟有效电平持续期间，输入变化会直接引起输出变化，容易产生空翻。而边沿触发器（如边沿D、主从JK）只在时钟边沿响应，可避免空翻。本题考查触发器的动态特性与抗干扰能力。19.【参考答案】A【解析】最高位为1，表示负数。求其补码的真值：先对11010110求补码的原码，即减1取反得原码10101010，对应十进制为-(64+16+2)=-82？错。正确方法：补码=11010110，反码=11010101，原码=10101010→数值部分1010110=86，故为-86？再验算：-128+64+16+4+2=-128+94=-34？误。正确：11010110=-128+64+16+4+2=-128+94=-34？错。实际：64+32+4+2=102？误。位权：128被减，64+16+4+2=94→-128+94=-34？错。正确：11010110=-128+64+0+16+0+4+2+0=-128+86=-42。故为-42。选A。20.【参考答案】B【解析】同相放大器的电压增益公式为：A_u=1+R_f/R₁=1+100/10=11。增益为正，表示同相放大。该电路输入阻抗高，常用于信号调理。本题考查运放基本电路增益计算，注意与反相比例电路（增益为负）区分。21.【参考答案】B【解析】CMOS电路的静态功耗主要来源于亚阈值漏电流和结漏电流，即使在无信号切换（时钟频率为零）时也存在，尤其在深亚微米工艺下更为显著。动态功耗由充放电电容引起，与电源电压平方、频率和负载电容成正比。降低电源电压可显著降低动态功耗。提高阈值电压会减小漏电流，从而降低静态功耗，但可能影响速度。因此，B项正确，其他选项表述错误。22.【参考答案】B【解析】“虚断”是指理想运放的输入端不吸收电流，即输入电流近似为零，这是由其无限大的输入阻抗决定的。“虚短”才指两输入端电压相等。输出阻抗应趋近于零，增益由外接反馈网络决定。选项A是“虚短”的特征，C、D明显错误。因此正确答案为B。23.【参考答案】B【解析】8位补码的表示范围为：-2⁷到2⁷-1，即-128到+127。最高位为符号位，当为1且其余位为0时（10000000），表示-128。注意-0在补码中不存在，因此-128有唯一编码。A项-127是-128+1，C、D超出了8位范围。故正确答案为B。24.【参考答案】C【解析】奈奎斯特采样定理指出：为避免混叠并实现无失真重建，采样频率必须不低于信号最高频率的2倍，即fs≥2fmax。此最低频率称为奈奎斯特频率。若采样率低于此值，高频成分将折叠到低频区，造成失真。因此，正确答案为C。25.【参考答案】C【解析】单模光纤纤芯更细（约8~10μm），仅允许一种模式传播，避免模式色散，适合长距离高速传输；多模光纤纤芯较粗（50或62.5μm），允许多种模式，导致模式色散，限制带宽和传输距离。LED常用于多模光纤，因耦合效率高；单模通常用激光器。故C项正确，其余均相反。26.【参考答案】C【解析】CMOS电路的输入端具有极高的输入阻抗，悬空时容易受到外界电磁干扰，导致电平不稳定，既可能被感应为高电平，也可能为低电平，因此处于不确定状态。为保证电路可靠性，CMOS输入端严禁悬空，必须接上拉或下拉电阻以确定其逻辑状态。这一点与TTL电路不同，TTL悬空通常视为高电平。27.【参考答案】B【解析】同相放大电路的电压增益公式为：Av=1+(Rf/Rin)。代入Rf=10kΩ，Rin=1kΩ，得Av=1+10=11。增益为正值，表示输出与输入同相。注意区分同相与反相放大器结构，反相放大器增益为-Rf/Rin。本题考查运放基本电路分析能力。28.【参考答案】C【解析】N型半导体通过掺杂五价元素（如磷）形成，其外层五个价电子中有一个易被激发为自由电子，因此自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。导电主要依靠自由电子完成，这是半导体物理的基础概念，掌握掺杂类型与载流子关系是分析器件特性的前提。29.【参考答案】B【解析】奇校验要求数据位中“1”的个数加上校验位后为奇数。数据10101100中有4个“1”（偶数），因此校验位应为1，使总“1”数变为5（奇数）。奇偶校验是基础的差错检测方法，常用于串行通信和存储系统中，考查对校验机制的理解与应用。30.【参考答案】B【解析】RLC串联电路谐振时，感抗XL等于容抗XC，二者相位相反，相互抵消，总电抗为零，电路呈纯阻性，阻抗最小，电流最大。谐振频率f₀=1/(2π√LC)。品质因数Q越高，选择性越好，通频带越窄。本题考查谐振特性及电路行为，是模拟电路中的重点内容。31.【参考答案】AB【解析】载流子迁移率受多种因素影响。温度升高加剧晶格振动，增强载流子散射，导致迁移率下降，A正确。晶格缺陷和杂质是主要散射源，缺陷越多，迁移率越低，B正确。掺杂浓度升高会引入更多电离杂质散射，高掺杂下迁移率反而下降，C错误。强电场下载流子速度饱和，迁移率实际下降，D错误。32.【参考答案】AB【解析】差分放大器的核心功能是放大差模信号、抑制共模信号，因此共模抑制比（CMRR）是关键指标，A正确。输入失调电压反映匹配精度，直接影响精度，B正确。增益带宽积更多用于运算放大器整体频率响应评估，C不专属于差分级。静态功耗虽重要，但不属于核心性能指标，D排除。33.【参考答案】ABC【解析】短沟道效应指当MOSFET沟道长度过短时出现的非理想现象。阈值电压随沟道缩短而下降（A正确），漏极电压影响源极势垒，导致DIBL（C正确）。载流子在强电场下速度饱和，是短沟道下的典型特征（B正确）。栅氧厚度与工艺相关，不随沟道长度变化，D错误。34.【参考答案】AD【解析】脉冲压缩通过宽脉冲发射、压缩接收，实现长脉冲的能量优势与短脉冲的分辨率优势结合。A正确，压缩后主瓣变窄，提升距离分辨率。D正确，匹配滤波可提升输出信噪比。该技术不直接增强抗干扰（B错误），也不提高发射功率（C错误）。35.【参考答案】ABD【解析】锁相环基本结构包括相位比较器（检测相位差）、低通滤波器（滤除高频分量）和压控振荡器（输出频率受控），三者构成闭环系统，ABD正确。分频器用于频率合成型PLL，但在基本锁相环中非必需，C排除。36.【参考答案】B、C【解析】迁移率受温度和杂质散射影响显著。低温时杂质散射为主，杂质浓度越高，迁移率越低（B正确）。高温时晶格振动增强，迁移率下降，故迁移率与温度呈非单调关系（A错误）。由于空穴有效质量较大，其迁移率通常低于电子（C正确）。强电场下会发生速度饱和或热载流子效应，迁移率下降（D错误）。37.【参考答案】A、C【解析】CMRR=Ad/Ac，提高差模增益Ad或降低共模增益Ac均可提升CMRR。高阻尾电流源可有效抑制共模信号传递（A正确）。差分对管匹配性越好，共模抑制能力越强（C正确）。增大跨导可提升Ad，但对Ac也有影响，不单独决定CMRR（B错误）。减小负载电阻会降低Ad，不利于CMRR（D错误）。38.【参考答案】A、B【解析】闩锁效应由寄生PNPN结构（如N-well/P-substrate）形成晶闸管机制，一旦触发即产生低阻通路（A正确）。通过密集布置衬底/阱接触降低电阻，可阻止触发电压建立（B正确）。该效应与电源或I/O电压波动相关，但不仅限于NMOS过压（C错误）。低掺杂衬底更易引发闩锁，高掺杂反而不利（D错误）。39.【参考答案】A、B【解析】FIR滤波器的单位冲激响应有限，系统函数仅有零点，无反馈结构（C错误），极点均在原点（属于单位圆内，但并非“位于单位圆内”即保证稳定性的一般IIR情况）。由于无反馈，FIR系统总是稳定（A正确）。通过设计对称或反对称系数，可实现严格线性相位（B正确）。D表述模糊，原点极点虽在单位圆内，但非其稳定性的判据核心，不严谨。40.【参考答案】A、B、C【解析】史密斯圆图是阻抗与反射系数之间的图形化映射工具，广泛用于匹配网络设计（A正确）。其极坐标形式直接表示反射系数的模与相位（B正确）。等电阻圆与等电抗弧线相互正交，构成正交坐标系（C正确）。S参数需通过测量或仿真获得，圆图可辅助分析但不能直接读取所有S参数（D错误）。41.【参考答案】A、B、C【解析】扩散电流源于非均匀掺杂或非平衡载流子分布导致的浓度梯度，A正确；漂移电流是电场驱动下电子和空穴的定向移动，B正确；空穴是价带中电子跃迁留下的等效正电荷，其运动为相邻电子填补空位的集体行为，C正确；温度升高会增强本征激发，导致本征载流子浓度显著上升，D错误。42.【参考答案】A、B、C【解析】耦合电容在低频时容抗增大，导致信号衰减，A正确；高频时晶体管的极间电容（如Cπ、Cμ）形成分流，降低增益，B正确；带宽指-3dB频率点之间的范围，C正确；共基电路因密勒效应小，实际高频响应优于共射电路，D错误。43.【参考答案】A、B、C【解析】CMOS在静态时上下管一截止一导通，几乎无电流，静态功耗极低，A正确；其噪声容限可达电源电压的30%~40%，抗干扰强，B正确；MOS管栅极绝缘，输入阻抗可达10^12Ω以上，C正确；传统CMOS速度曾低于TTL，现代工艺已大幅提升，但“相当”不具普适性，D不严谨，错误。44.【参考答案】A、B、C【解析】触发器具有记忆功能，是时序电路核心，A正确；同步电路中所有触发器受同一时钟控制，B正确；异步计数器中前一级输出作为下一级时钟，时钟不同步，C正确；时序电路状态由当前状态和输入共同决定，D错误，混淆了组合逻辑。45.【参考答案】A、B、C、D【解析】奈奎斯特采样定理要求fs>2fmax，A正确；采样在时域为脉冲序列相乘，频域表现为频谱周期复制，B正确；满足条件时复制谱不重叠，避免混叠，C正确；理想低通滤波器可滤除高频复制分量，恢复原信号，D正确。46.【参考答案】A【解析】阈值电压（Vth）是MOSFET的关键参数之一，当栅极施加的电压达到该值时，半导体表面形成反型层，源漏之间导通。这一定义在微电子器件原理中具有明确理论基础，适用于NMOS和PMOS器件，因此表述正确。47.【参考答案】A【解析】理想运放的五大特性包括：开环增益无穷大、输入阻抗无穷大、输出阻抗为零、带宽无限、无输入失调电压。这些假设是分析运放线性应用电路（如放大、加法、积分等）的基础，因此该说法科学准确。48.【参考答案】A【解析】奈奎斯特采样定理是数字信号处理的核心理论之一。若采样频率fs>2fmax，可避免混叠现象，通过低通滤波器完整重构原始连续信号。该条件是充分且必要的，因此题干表述正确。49.【参考答案】B【解析】标准CMOS工艺中，NMOS管制作在P型衬底上，而PMOS管则制作在N型阱（N-well）中，该N-well嵌入于P型衬底之上。因此P管并非直接构建在N型衬底上，题干描述错误。50.【参考答案】A【解析】二进制数1111从右至左各位权重分别为2⁰、2¹、2²、2³，计算得1×(8+4+2+1)=15。该转换符合二进制到十进制的基本规则，结果准确，故判断正确。51.【参考答案】B【解析】在CMOS反相器中，当输入为高电平时，NMOS管因栅极电压高于阈值而导通，PMOS管因栅极电压较低而截止，此时输出接地，呈现低电平。因此原题说法错误，应选B。52.【参考答案】A【解析】奈奎斯特采样定理是数字信号处理的基础，明确指出为避免混叠，采样频率必须不低于信号最高频率分量的两倍。该条件是信号可重构的必要条件，因此选项A正确。53.【参考答案】A【解析】理想运放工作于线性区时，负反馈使其两输入端电压近似相等（虚短），输入电流近似为零（虚断）。这两个特性是分析负反馈电路的核心依据，因此说法正确。54.【参考答案】B【解析】二进制数1101从右至左各位权重分别为1、2、4、8，计算为1×1+0×2+1×4+1×8=13。因此其十进制值为13，不是14，原题错误。55.【参考答案】A【解析】线性时不变（LTI）系统满足微分特性：若输入x(t)产生输出y(t)，则dx(t)/dt产生dy(t)/dt。这是LTI系统的重要性质之一，适用于连续时间系统，因此说法正确。

2025中国电科五十五所校园招聘笔试历年典型考点题库附带答案详解（第2套）一、单项选择题下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共30题）1、在半导体材料中，掺入五价元素形成的杂质半导体主要依靠哪种载流子导电？A．空穴

B．电子

C．离子

D．中子2、某放大电路的输入电压为10mV，输出电压为1V，则该电路的电压增益为多少分贝？A．20dB

B．40dB

C．60dB

D．80dB3、下列哪项不属于数字电路中的基本逻辑门？A．与门

B．或门

C．非门

D．加法门4、在理想运算放大器中，其“虚短”特性的成立基于下列哪项前提？A．输入电阻为零

B．开环增益无穷大

C．输出电阻无穷大

D．带宽为零5、采用二进制补码表示法，8位二进制数能表示的整数范围是？A．0到255

B．-127到127

C．-128到127

D．-256到2556、在模拟电路中，若某负反馈放大电路的开环增益为1000，反馈系数为0.01，则其闭环增益近似为（）。A．100

B．90.9

C．50

D．107、某CMOS反相器的电源电压为5V，当输入为高电平（约5V）时，下列关于其输出状态的描述正确的是（）。A．NMOS截止，PMOS导通，输出高电平

B．NMOS导通，PMOS截止，输出低电平

C．NMOS和PMOS均导通，输出为高阻态

D．NMOS和PMOS均截止，输出为0V8、在数字信号处理中，一个离散时间系统若满足“输入有界则输出有界”的性质，则该系统称为（）。A．因果系统

B．线性系统

C．时不变系统

D．稳定系统9、在半导体物理中，N型硅材料的主要多数载流子是（）。A．空穴

B．正离子

C．自由电子

D．负离子10、在理想运算放大器构成的同相放大电路中，若反馈电阻为9kΩ，接地电阻为1kΩ，则电压增益为（）。A．9

B．10

C．8

D．0.911、在N型半导体中，主要的载流子是什么？A.空穴B.自由电子C.正离子D.负离子12、某放大电路的电压增益为40dB，则其对应的电压放大倍数是多少？A.40B.100C.400D.100013、若某系统的开环传递函数为G(s)=K/(s(s+1))，则该系统稳定的条件是？A.K>0B.K>1C.K<0D.K<114、在PCM数字通信系统中，若信号最高频率为4kHz，按照奈奎斯特采样定理，最低采样频率应为？A.4kHzB.6kHzC.8kHzD.16kHz15、某CMOS反相器在输入低电平时，其PMOS和NMOS晶体管的工作状态分别是？A.PMOS截止，NMOS导通B.PMOS导通，NMOS截止C.均导通D.均截止16、在半导体材料中，掺入五价元素形成的杂质半导体主要依靠哪种载流子导电？A．空穴

B．电子

C．离子

D．中子17、某放大电路中，若输入信号频率升高导致增益下降，主要原因是下列哪项？A．电源电压不足

B．耦合电容容抗增大

C．晶体管极间电容影响

D．负载电阻太小18、在数字电路中，下列哪种逻辑门可实现“有0出1，全1出0”的功能？A．与门

B．或门

C．与非门

D．异或门19、使用万用表测量二极管正向电阻时，若测得阻值极小，可能表明二极管处于何种状态？A．正常工作

B．开路损坏

C．反接测量

D．击穿短路20、在理想运算放大器构成的反相放大器中，同相输入端通常接地，这是基于运放的哪项特性？A．高输入阻抗

B．高输出阻抗

C．虚短与虚断

D．宽频带特性21、在半导体材料中，掺入五价元素形成的杂质半导体主要依靠哪种载流子导电？A．空穴

B．电子

C．离子

D．声子22、某放大电路中，输入电压为10mV时输出电压为1V，则该电路的电压增益为多少分贝？A．20dB

B．40dB

C．60dB

D．80dB23、在CMOS逻辑门电路中，P沟道MOS管通常工作在哪种区域以实现高电平输出？A．截止区

B．线性区

C．饱和区

D．击穿区24、若某系统的传递函数为G(s)=1/(s²+2s+10)，则该系统的阻尼比为？A．0.1

B．0.316

C．0.5

D．0.70725、在ADC转换过程中，采样频率至少应为输入信号最高频率的多少倍才能无失真恢复原信号？A．1倍

B．1.5倍

C．2倍

D．4倍26、在CMOS电路中，若输入电压逐渐从0V上升至电源电压VDD，N沟道MOSFET的导通状态变化过程是：A.截止→线性区→饱和区B.线性区→截止→饱和区C.截止→饱和区→线性区D.饱和区→线性区→截止27、在理想运算放大器构成的反相比例放大电路中，输入电阻主要由：A.运放的开环输入电阻决定B.反馈电阻与输入电阻的并联值决定C.输入电阻本身决定D.负载电阻决定28、下列哪种滤波器具有最陡峭的过渡带特性？A.巴特沃斯滤波器B.切比雪夫滤波器C.贝塞尔滤波器D.FIR滤波器29、在数字基带传输系统中，奈奎斯特第一准则用于消除：A.高频衰减B.码间串扰C.相位抖动D.噪声累积30、若某ADC的采样频率为10MHz，根据奈奎斯特采样定理，其能无失真恢复的最高输入信号频率为：A.20MHzB.10MHzC.5MHzD.2.5MHz二、多项选择题下列各题有多个正确答案，请选出所有正确选项（共15题）31、在半导体材料中，下列关于载流子迁移率的说法哪些是正确的？A.迁移率随温度升高而单调增加B.电子迁移率通常高于空穴迁移率C.杂质浓度越高，迁移率越高D.晶格散射是限制高温下迁移率的主要因素32、下列关于CMOS反相器特性的描述，哪些是正确的？A.静态功耗接近于零B.输入阻抗高C.输出高电平时，NMOS管导通D.噪声容限在高低电平均有良好表现33、在模拟集成电路设计中，差分放大器常用于抑制共模信号，以下说法正确的是？A.差分增益取决于负载电阻和跨导B.共模抑制比越高，性能越好C.尾电流源提高共模负反馈D.输入失调电压不影响放大精度34、关于锁相环（PLL）的基本组成和功能，下列说法正确的是？A.包含鉴相器、环路滤波器和压控振荡器B.可用于频率合成C.环路带宽越宽，锁定速度越慢D.可实现时钟恢复功能35、下列关于傅里叶变换性质的应用，哪些是正确的？A.时域卷积对应频域相乘B.信号时移不改变幅频特性C.实信号的频谱是实偶函数D.频域微分对应时域乘以-jt36、在半导体材料的能带结构中，关于禁带宽度的说法正确的是哪些？A.禁带宽度越大，材料越容易导电B.硅的禁带宽度小于锗C.禁带宽度随温度升高略有减小D.室温下，砷化镓的禁带宽度大于硅37、下列关于运算放大器理想特性的描述中，哪些是正确的？A.输入阻抗为无穷大B.输出阻抗为零C.开环增益为有限值D.共模抑制比趋近于无穷大38、在数字电路中，关于触发器的描述正确的是哪些？A.D触发器在时钟上升沿锁存输入数据B.JK触发器存在不确定状态C.T触发器可用于构成二进制计数器D.基本RS触发器由时钟信号控制39、关于傅里叶变换的性质，以下哪些说法是正确的？A.时域信号的压缩对应频域的扩展B.信号的卷积在频域表现为乘积C.实偶信号的傅里叶变换为纯虚函数D.时移会导致频谱幅度发生变化40、在嵌入式系统开发中，以下哪些是常见降低功耗的措施？A.降低工作电压B.提高时钟频率以加快任务完成C.采用动态电压频率调节（DVFS）D.将空闲外设置于休眠模式41、在半导体材料中，影响载流子迁移率的主要因素包括哪些？A.晶格振动散射B.杂质电离散射C.材料的禁带宽度D.载流子浓度42、以下关于CMOS电路特性的描述，正确的是哪些？A.静态功耗极低B.抗干扰能力强C.集成度受限于NMOS与PMOS匹配D.工作速度与负载电容无关43、在模拟集成电路设计中，差分放大器常用于抑制共模信号，其性能指标包括哪些？A.共模抑制比（CMRR）B.输入失调电压C.增益带宽积D.输出阻抗44、关于锁相环（PLL）的基本组成模块，下列哪些是必需的？A.压控振荡器（VCO）B.低通滤波器（LPF）C.分频器D.鉴相器（PD）45、在高频电路中，传输线效应显著时需考虑阻抗匹配，以下哪些方法可用于实现？A.串联终端电阻B.并联终端电阻C.使用λ/4阻抗变换器D.增加驱动电流三、判断题判断下列说法是否正确（共10题）46、在CMOS电路中，静态功耗主要来源于MOS管的漏电流。A.正确B.错误47、在数字信号处理中，线性时不变系统满足叠加性和时不变性。A.正确B.错误48、运算放大器在开环状态下通常用于实现精确的线性放大功能。A.正确B.错误49、奈奎斯特采样定理指出，采样频率必须大于信号最高频率的两倍才能无失真恢复原信号。A.正确B.错误50、在RLC串联谐振电路中，谐振时电路呈纯阻性，且电流达到最小值。A.正确B.错误51、在CMOS电路中，当输入电压处于高电平时，PMOS管导通而NMOS管截止。A.正确B.错误52、在理想运算放大器构成的负反馈电路中，可以认为其“虚短”和“虚断”特性同时成立。A.正确B.错误53、二进制数11010110转换为十六进制数是D6H。A.正确B.错误54、在RLC串联谐振电路中，谐振频率仅由电感和电容决定，与电阻无关。A.正确B.错误55、在C语言中，数组名在大多数表达式中代表该数组首元素的地址。A.正确B.错误

参考答案及解析1.【参考答案】B【解析】掺入五价元素（如磷、砷）会提供额外的自由电子，形成N型半导体。其导电主要依靠电子，空穴为少数载流子。因此，正确答案为B。2.【参考答案】B【解析】电压增益计算公式为：20log₁₀(输出/输入)=20log₁₀(100)=20×2=40dB。故该电路电压增益为40dB，正确答案为B。3.【参考答案】D【解析】基本逻辑门包括与门、或门、非门，是构成数字电路的基础。加法门并非基本逻辑门，而是由多个基本门组合实现的复合逻辑电路。因此D选项错误，为正确答案。4.【参考答案】B【解析】“虚短”指运放同相与反相输入端电位近似相等，其成立条件是开环增益极大（理想为无穷大），使输入差模电压趋近于零。因此正确答案为B。5.【参考答案】C【解析】8位补码中，最高位为符号位，可表示2⁸=256个数。负数范围从-128（10000000）到-1，正数从0到127，故范围为-128到127。正确答案为C。6.【参考答案】B【解析】闭环增益公式为：Af=A/(1+A×F)，其中A为开环增益，F为反馈系数。代入A=1000，F=0.01，得Af=1000/(1+1000×0.01)=1000/(1+10)=1000/11≈90.9。由于负反馈深度较大，系统趋于稳定，增益由反馈网络主导。因此，闭环增益近似为90.9，选B。7.【参考答案】B【解析】CMOS反相器中，输入为高电平时，NMOS管栅极电压高，形成导电沟道而导通；PMOS管栅源电压为负，处于截止状态。因此，输出通过NMOS接地，输出低电平（接近0V）。CMOS结构功耗低，抗干扰强，此为基本工作原理，故选B。8.【参考答案】D【解析】系统的稳定性定义为：对于任意有界输入，系统输出也有界，即BIBO（Bounded-InputBounded-Output）稳定性。因果性指输出不依赖未来输入；线性指满足叠加性；时不变指系统特性不随时间变化。本题描述的是BIBO稳定，故属于稳定系统，选D。9.【参考答案】C【解析】N型半导体通过掺入五价元素（如磷）形成，每个掺杂原子提供一个自由电子，因此多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴。导电主要由电子承担。P型半导体则相反，多数载流子为空穴。本题考查半导体基本掺杂原理，故选C。10.【参考答案】B【解析】同相放大器的电压增益公式为：Av=1+(Rf/Rg)，其中Rf为反馈电阻，Rg为接地电阻。代入Rf=9kΩ，Rg=1kΩ，得Av=1+(9/1)=10。理想运放满足“虚短”和“虚断”，同相端电压等于输入电压，反馈网络决定增益。故选B。11.【参考答案】B【解析】N型半导体是通过在本征半导体中掺入五价杂质元素（如磷）形成的，这些杂质原子提供额外的自由电子，从而显著增加电子浓度。此时，自由电子成为多数载流子，空穴为少数载流子。因此，N型半导体的主要导电载流子是自由电子。该知识点是半导体物理的基础内容，常出现在电子类岗位笔试中。12.【参考答案】B【解析】分贝（dB）与电压放大倍数的关系为：Av(dB)=20log₁₀(Av)。由40=20log₁₀(Av)，可得log₁₀(Av)=2，因此Av=10²=100。掌握dB与线性增益的换算对模拟电路分析至关重要，是电子类笔试高频考点。13.【参考答案】A【解析】使用劳斯判据或根轨迹分析可知，该二阶系统特征方程为s²+s+K=0，各项系数均为正时系统稳定，即K>0。这是自动控制原理中的典型稳定性判断问题，常见于电子信息类岗位基础理论考查。14.【参考答案】C【解析】奈奎斯特采样定理规定：采样频率应不小于信号最高频率的两倍，即fs≥2fm。此处fm=4kHz，故fs≥8kHz。这是数字通信和信号处理中的核心概念，常用于判断信号无失真采样条件。15.【参考答案】B【解析】当输入为低电平时，PMOS管栅源电压为负（增强型PMOS导通），NMOS管栅源电压为零（截止）。因此PMOS导通，NMOS截止，输出被拉至高电平。这是CMOS逻辑电路基本工作原理，属于数字电路必考知识点。16.【参考答案】B【解析】掺入五价元素（如磷、砷）会提供多余电子，形成N型半导体，其多数载流子为自由电子。五价原子与四价硅原子结合时，四个价电子参与共价键，多余一个电子易被激发进入导带导电。因此，导电主要依靠电子完成，空穴为少数载流子。该知识点属于半导体物理基础，常出现在电子类企业招聘笔试中。17.【参考答案】C【解析】高频时晶体管的极间电容（如基极-集电极电容）形成负反馈，分流高频信号，导致增益下降。耦合电容在低频时影响显著，高频影响可忽略。电源和负载电阻不直接引起频率相关增益变化。此题考查放大电路频率响应特性，是模拟电子技术核心考点。18.【参考答案】C【解析】与非门（NAND）先执行与运算再取反：当所有输入为1时输出0，任一输入为0则输出1，符合“有0出1，全1出0”的逻辑。与门全1才出1，或门有1就出1，异或门输入不同时出1。该题为基础逻辑门识别，常见于数字电路笔试题。19.【参考答案】D【解析】正常二极管正向电阻为几百欧至几千欧，反向电阻极大。若正向测得极小电阻，可能是PN结已击穿导致短路。开路时正反向电阻均无穷大；反接应测得高阻值。该题考查电子元器件检测常识，属实践类高频考点。20.【参考答案】C【解析】理想运放工作在线性区时，因开环增益极大，两输入端电位几乎相等（虚短），且输入电流为零（虚断）。反相放大器中同相端接地，则反相端电位也为零，形成“虚地”。此为分析运放电路的核心基础，必考知识点。21.【参考答案】B【解析】掺入五价元素（如磷、砷）会提供多余的自由电子，形成N型半导体，其主要导电载流子为电子。五价元素有五个价电子，其中四个与硅原子形成共价键，多余的一个电子容易脱离成为自由电子，因此导电以电子为主。22.【参考答案】B【解析】电压增益分贝计算公式为：20log₁₀(输出/输入)=20log₁₀(100)=20×2=40dB。输入10mV，输出1V即放大100倍，对应40dB增益，属于中高频放大电路典型参数。23.【参考答案】B【解析】当输入为低电平时，P沟道MOS管导通，需工作在线性区（也称三极管区）以实现低阻通路，将输出拉至接近电源电压，形成稳定高电平。NMOS此时截止，构成反相器的高电平输出状态。24.【参考答案】B【解析】标准二阶系统形式为ωₙ²/(s²+2ζωₙs+ωₙ²)，对比得ωₙ²=10，2ζωₙ=2，故ωₙ=√10≈3.16，ζ=2/(2×3.16)=0.316，属欠阻尼系统，有振荡响应。25.【参考答案】C【解析】根据奈奎斯特采样定理，采样频率必须大于信号最高频率的2倍，才能完整保留信息并重建原信号。低于此值将产生混叠失真，因此最低要求为2倍，即奈奎斯特频率。26.【参考答案】C【解析】当输入电压较低时，VGS<Vth，NMOS截止；随着电压升高超过阈值电压Vth，进入饱和区（此时VDS>VGS-Vth）；继续增大输入电压，漏源电压相对减小，进入线性（欧姆）区。因此正确顺序为截止→饱和→线性。该过程是MOSFET基本工作原理的核心内容，常用于数字电路开关特性分析。27.【参考答案】C【解析】理想运放具有“虚短”和“虚断”特性，反相端为虚地，输入电流仅由输入电阻决定，因此输入电阻近似等于外接的输入电阻Rin。反馈电阻影响电压增益，但不直接影响输入电阻。该考点常用于模拟电路设计分析，是运放基础应用的核心知识。28.【参考答案】B【解析】切比雪夫滤波器通过允许通带或阻带内有一定的波动，换取更陡峭的过渡带衰减特性。相比之下，巴特沃斯通带平坦但过渡较缓，贝塞尔注重相位线性，FIR虽可设计陡峭但需高阶实现。在相同阶数下，切比雪夫滤波器过渡带最陡，广泛应用于对频率选择性要求高的通信系统。29.【参考答案】B【解析】奈奎斯特第一准则指出：若系统传输函数在波特率的奇数倍处满足等效矩形条件，则可在抽样时刻消除码间串扰（ISI）。这是数字通信中实现无失真传输的关键理论，常用于设计升余弦滚降滤波器等基带系统，确保符号间不相互干扰。30.【参考答案】C【解析】奈奎斯特采样定理要求采样频率至少为信号最高频率的两倍。因此，能恢复的最高频率为采样频率的一半，即10MHz÷2=5MHz。该原理是模数转换的基础，广泛应用于信号采集系统设计，确保频谱不发生混叠。31.【参考答案】B、D【解析】迁移率受多种因素影响。温度升高时，晶格振动加剧，晶格散射增强，导致迁移率下降，故A错误。电子在相同条件下迁移能力优于空穴，因此电子迁移率通常更高，B正确。杂质浓度增加会增强电离杂质散射，反而降低迁移率，C错误。在高温区域，晶格散射占主导地位，是限制迁移率的主要机制，D正确。32.【参考答案】A、B、D【解析】CMOS反相器在稳态时上下管不会同时导通，因此静态功耗极低，A正确。其输入端接MOS管栅极，绝缘性好，输入阻抗高，B正确。输出高电平时应为PMOS导通、NMOS截止，C错误。CMOS具有较好的噪声容限，尤其在理想情况下高低电平噪声容限均接近0.5倍电源电压，D正确。33.【参考答案】A、B、C【解析】差分增益近似为gm×Rload，与负载和跨导相关，A正确。共模抑制比（CMRR）反映抑制共模信号能力，越高越好，B正确。尾电流源提供高动态电阻，增强共模抑制能力，相当于引入强共模负反馈，C正确。输入失调电压会导致输出误差，影响精度，D错误。34.【参考答案】A、B、D【解析】PLL由鉴相器、环路滤波器和压控振荡器（VCO）构成，A正确。通过分频反馈可实现频率合成，B正确。环路带宽越宽，系统响应越快，锁定速度越快，C错误。在通信系统中，PLL可从数据流中提取时钟，实现时钟恢复，D正确。35.【参考答案】A、B【解析】傅里叶变换中，时域卷积等于频域乘积，A正确。时移引入相位变化，但不改变幅度谱，B正确。实信号的频谱具有共轭对称性，幅频为偶函数，相频为奇函数，但整体非实偶函数，C错误。频域微分对应时域乘以jt，而非-jt，D错误。36.【参考答案】C、D【解析】禁带宽度越大，电子跃迁至导带越困难，导电性越差，A错误；硅的禁带宽度约为1.12eV，锗约为0.67eV，B错误；温度升高使晶格振动加剧，导致禁带宽度轻微减小，C正确；砷化镓室温下禁带宽度约为1.43eV，大于硅，D正确。因此选C、D。37.【参考答案】A、B、D【解析】理想运算放大器具有：输入阻抗无穷大（无输入电流），A正确；输出阻抗为零（可驱动任意负载），B正确；开环增益应为无穷大而非有限值，C错