T-CESA《半导体集成电路 串行NOR型快闪存储器测试方法》编制说明

中国电子工业标准化技术协会

团体标准《半导体集成电路串行NOR型

快闪存储器测试方法》编制说明

一、工作简况

1、项目来源和工作单位

2023年5月9日，根据中国电子工业标准化协会下达《关于公布2023年第四批

团体标准制修订项目的通知》(中电标通[2023]013号)，团体标准《半导体集成

电路串行NOR型快闪存储器测试方法》制定项目正式立项，该项目计划号为CESA-

2023-048。该标准由无锡中微腾芯电子有限公司和中国电子技术标准化研究院牵

头，由中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子技术标准化研究院、江

苏华存电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司等公司联合起草，归口于中

国电子工业标准化技术协会、无锡中微腾芯电子有限公司和中国电子技术标准化

研究院。

2、主要工作过程：

（一）标准预研

NORFlash是除DRAM和NANDFlash之外最大规模的利基型存储，目前凭借着

其“芯片内执行”的特点在物联网、TWS耳机、5G、车载电子等领域广泛应用，

并在这些下游领域的推动下，NORFlash将进入新的增长期。因此，为保证芯片

质量、缩短芯片上市时间、提高公司利润，NORFlash芯片的晶圆测试与封装后

的成品测试在整个芯片生产流程中占据重要位置。

2023年6月由无锡中微腾芯电子有限公司、中国电子技术标准化研究院牵头，

联合参与中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子技术标准化研究院、

江苏华存电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司等公司对NORFlash芯片

的电学性能测试进行了调研和分析，初步确定了NORFlash芯片的电学性能测试

标准方案。

（二）标准立项

2023年5月，无锡中微腾芯电子有限公司联合中国电子技术标准化研究院、

中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子技术标准化研究院、江苏华存

中国电子工业标准化技术协会

电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司等多家单位，向中国电子工业标准

化技术协会申请立项，经协会评审，同年5月正式下达计划。

（三）标准编制过程

2023年6月，标准编制工作组组织参编单位启动第一轮标准编制工作。具体

工作包括确定研讨方向，制定标准框架，邀请相关单位和参会人员，确定研讨会

召开方式，线上或线下会议时间和频次，根据参会人员背景分组以便进行细化讨

论。

2023年6月-2023年12月，标准编制工作组组织开展了多次NORFlash芯片电

性能测试方法的方案讨论，并针对会议讨论问题对标准草案进行了修订，基本形

成了征求意见稿。具体讨论内容包括：静态参数（静态工作电流、漏电、输入/

输出高低电平）测试方法；功能（擦除、页编程）测试方法；动态参数（保持时

间、建立时间、延迟时间、擦除时间等动态时间）测试方法。

3、主要起草人及其所做的工作

本标准由无锡中微腾芯电子有限公司和中国电子技术标准化研究院牵头组

织编制，参与标准编制的成员单位有中国电子科技集团公司第五十八研究所、江

苏华存电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司。无锡中微腾芯电子有限公

司提供了串行时钟高低脉宽时间，片选信号有效/失效建立与保持时间、片选信

号有效/失效保持时间、写保护建立/保持时间、扇区/块/片擦除时间等具体动态

参数测试项的测试目的、原理、条件以及程序步骤。中国电子技术标准化研究院

牵头负责标准化工作的组织、协调和标准文本的编制工作，其余单位全程参与了

详细的技术讨论。

二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题

1、编制原则

在编制标准过程中，遵循了以下三项原则。

一是遵循国家法律、法规等相关规定，制定过程严格按照程序执行。本标准

的编制过程经历了标准编制筹备阶段、标准草案编制阶段（草案讨论、编制、内

部征求意见、修改、再征求意见等环节），制定过程严格按照国家标准制定程序

要求。目前是到审定稿的意见征求。本标准的编制严格遵循GB/T1.1-2020《标

中国电子工业标准化技术协会

准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草，并使用中

国标准编辑器进行文本的编辑。

二是充分借鉴和吸收国外相关文献和经验。本标准编制过程中，吸收借鉴了

一些国外的技术文献和经验，这些内容部分已经成为国际标准，其余虽然没有正

式成为国际标准，但已经成为了业内广泛使用的方法、规范。

三是本标准规定了非易失性快闪存储器的功能、静态参数和动态参数测试方

法，主要解决了NOR型快闪存储器的典型应用场景性能测试问题，也可为产品的

设计研制及验证提供技术参考，使标准发挥最大的作用。在标准的技术内容编写

上充分考虑了业界对于可靠、有效、全面的电性能测试方法诉求，从多个方面进

行了详细的研究与论证，以便于标准能够在实际的应用中得到贯彻实施。

2、确定主要内容的依据

本标准规定了NORFlash的串行时钟高低脉宽时间，片选信号有效/失效建立

与保持时间、片选信号有效/失效保持时间、写保护建立/保持时间、扇区/块/片

擦除时间等具体动态参数测试项的测试目的、原理、条件以及程序步骤。

本标准适用于NORFlash的电学性能测试。编制过程中，工作组参考了国内

相关标准，包括《串行NOR型快闪存储器接口规范》、《半导体集成电路快闪存

储器测试方法》、《串行NAND型快闪存储器接口规范》等。在标准内容确定过程

中，组织标准编制单位的代表对调研的材料进行讨论、征求意见，最终形成该送

审稿。

3、编制过程中解决的主要问题

在标准的编制过程中主要解决的问题如下：

针对NOR型快闪存储器，本标准详细给出了串行时钟高低脉宽时间，片选信

号有效/失效建立与保持时间、片选信号有效/失效保持时间、写保护建立/保持

时间、扇区/块/片擦除时间等具体动态参数测试项的测试目的、原理、条件以及

程序步骤。

4、标准未解决的问题

由于串行NOR型快闪存储器测试方法的标准所涵盖的范围较广，因此目前标

准内容的相关技术讨论仍在进行中，还有一些问题尚未确定和解决，包括但不限

于如下内容：

中国电子工业标准化技术协会

针对Flash等存贮单元的各类故障类型，都有对应的多种算法进行测试，来

保证Flash等存储器件的性能正常，但无论哪种算法，对于大容量存储器来说，

测试向量的深度会随其容量的增加而递增，相应的测试时间也会随之变长。如何

压缩测试向量的同时保证故障覆盖率，需要进一步研究。

随着制备工艺的改进，NORFlash的结构可能会随之变化，当前的测试方法

可能无法满足器件的电性能测试需求。信号完整性相关测试要求目前在探讨过程

中，需要进一步进行明确。

三、主要验证情况分析

本标准中所选取的测试方法、测试设备与器件的光学与电学参数，均为业内

通用，认可度较高，因此主要讨论NORFlash的电性能测试方法，为准确测量

NORFlash的电学性能提供合理的测试方案。

本标准因涉及的各项内容的讨论与研究工作已经完成。针对标准中已经明确

的内容，如：静态参数、串行时钟高低脉宽时间、片选信号有效/失效建立与保

持时间、片选信号有效/失效保持时间、写保护建立/保持时间、扇区/块/片擦除

时间等具体动态参数测试项的测试方法，目前已经组织了多家单位正在进行技术

验证。

四、知识产权情况说明

本标准不涉及知识产权问题。

五、产业化情况、推广应用论证和预期达到的经济效果

国内在集成电路测试领域暂无与本团体标准相同的标准，也没有对应的国际

标准。相较于有相关性的国标，本标准详细给出了具体化的拓展，主要包含NOR

型快闪存储器的功能、动静态参数测试方法。本标准适用于非易失性快闪存储器

的典型应用场景性能测试，为规范国内NORFlash产品的研制、检测具有重要意

义。此外，经过更新、迭代测试模型，完善测试方法，通过测试的NORFlash可

广泛应用于物联网、TWS耳机、5G、车载电子等领域，推动部件与整机厂商、用

户的联动和产业发展。

六、转化国际标准和国外先进标准情况

目前尚无相关国际标准。

七、与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性

中国电子工业标准化技术协会

本标准编制文本格式遵循GB/T1.1-2020。

本标准编制文本格式遵循GB/T1.1-2020。与现行相关法律、法规、规章及

相关标准协调配套。

八、重大分歧意见的处理经过和依据

无重大分歧。

九、贯彻标准的要求和措施建议

建议列为推荐性标准。

十、替代或废止现行相关标准的建议

无需要替代或废止的现行相关标准。

十一、其它