2026年机械行业投资策略分析报告：星星之火国之重器国产算力生产配套

聚四海星火，淬国之重器——全面为国产算力生产配套-2026年机械行业年度投资策略2025年12月8日核心结论AI驱动全球半导体大周期，中国大陆半导体产业同样受惠于此，叠加政策引导，国内集成电路有望实现全产业链自主可控。AI发展方兴未艾，IDC预计全球生成式AI市场五年复合增长率或达56.3%，而芯片是AI产业链的核心上游环节之一，SEMI预测AI驱动下2030年全球半导体市场规模将突破1万亿美元，其中，服务器、数据中心和存储领域的市场规模复合增速达到18%，领先下游其他领域。而半导体设备作为芯片产业链上游同步受益，LAM预计未来5年全球数据中心累计2.5万亿美元的资本开支将催生2000亿美元的半导体设备需求。行业评级前次评级评级变动超配超配维持国内AI产业链投资同样旺盛，同时，算力、存储芯片仍然面临较高的海外依赖度，进口受限叠加国内政策引导，国内芯片产业链有望实现从上游设备到下游设计环节的全链条自主可控。近一年行业走势先进逻辑方面，国产算力突破，带动国内先进逻辑代工需求。与非网指出，国产AI芯片核心应用场景包括智专用设备沪深300算、智驾、机器人和端侧AI等。我们测算了中期维度（2028年）国内智能算力、智能驾驶的AI芯片和手29%22%15%8%机SOC芯片产生的先进逻辑代工需求，合计需求有望达到7.12万片，当前国内14nm及以下的先进制程产能约为3.25万片/月，7nm及以下制程产能预计更少，因此本土先进逻辑代工产能存在明显的供需缺口，将带动设备投资。1%存储方面，AI驱动全球新一轮涨价周期，国产存储厂商成为主力扩产方，全球产能格局有望在本轮周期中重塑。2025年三季度，需求旺盛叠加产出有限，全球存储产业迎来涨价潮，明年来看，CFM闪存预测DRAM/NAND位元需求量增速分别为20%/20%，而供给端来看，国际大厂应对措施从以往的大规模扩产变成了专注技术节点升级和结构性产能扩张，国内两家存储厂商已经取得了一定的技术进展，我们预计2025年底长鑫/长存在各自领域的产能市占率为15%/9%，近期长存三期的成立和长鑫IPO进展都指向两存有望继续规模化扩产，中长期维度看好两存重塑全球存储产能格局。-6%-13%2024-122025-042025-08相对表现专用设备1个月3个月

12个月投资建议：先进节点扩产景气度提升，叠加政策引导，看好国产半导体设备投资机会，建议关注：1）扩产受益高确定性：北方华创、中微公司、拓荆科技、盛美上海、华海清科、京仪装备；2）低国产化率：中科-0.38-2.325.392.7831.1015.39飞测（已覆盖）、芯源微、精测电子；3）后道设备：长川科技、华峰测控、精智达、骄成超声（已覆盖）。沪深300风险提示:下游扩产进度和规模不及预期风险，行业竞争加剧，毛利率提升不及预期风险，地缘政治风险。20102AI为矛，政策引导，集成电路全产业链自主可控国产AI芯片突围，带动本土先进逻辑扩产需求AI驱动全球存储周期，看好国产存储厂商扩产扩产景气与自主可控共振，设备深度受益目

录030405CONTENTS投资建议及风险提示需求端：AI引领全新半导体产业周期全球来看，海外四大云厂商不断增加AI资本开支，推高算力芯片需求量，IDC数据显示，2024年全球人工智能（AI）IT总投资规模为3,159亿美元，并有望在2029年增至12,619亿美元，五年复合增长率（CAGR）为31.9%。聚焦生成式AI（Generative

AI），IDC预测，全球生成式AI市场五年复合增长率或达56.3%，到2029年全球生成式AI市场规模将达6,071亿美元，占AI市场投资总规模的48.1%。国内来看，IDC基于《IDC中国加速计算服务器半年度市场跟踪报告》及智能加速卡半精度（FP16）相当运算能力数据，测算了中国智能算力规模。结果显示，2025年中国智能算力规模将达到1,037.3

EFLOPS，预计到2028年将达到2,781.9EFLOPS，2023-2028年期间，中国智能算力规模的五年年复合增长率预计达到46.2%，相比之下，通用算力规模复合增速预计仅为18.8%。图：海外CSP厂商资本开支（亿美元）图：国内智能算力规模预测（EFLOPS）MicrosoftGoogleAWSMeta350300250200150100503000.02500.02000.01500.01000.0500.00.02781.92019.91460.31037.3725.30416.7259.9155.2202175.020202022202320242025202620272028资料：Bloomberg，IDC，浪潮信息，

西部证券研发中心4需求端：AI引领全新半导体产业周期AI将引领下一个半导体大周期的发展。半导体产业链包括上游的半导体设备和材料，中游的半导体制造产业和下游的半导体应用，AI作为半导体的应用领域之一，未来将成为半导体产业的主要驱动力。最新WSTS公布数据显示，2024年全球半导体销售额同比增长19.7%至6,305亿美元，预估2025年全球半导体市场销售额将继续保持强势增长，突破7,000亿美元，同比增长11.2%。在AI的推动下，预测2030年全球半导体市场规模将达突破1万亿美元，服务器、数据中心和存储领域的市场规模将会达到3610亿美元，占比达到34.32%，2024-2030年复合增速达到了18%，是成长速度最为领先的细分领域。LAM指出，未来5年全球数据中心累计2.5万亿美元的资本开支将催生2000亿美元的半导体设备需求。图：半导体产业链资料：拓荆科技招股书，ASML，wind，

西部证券研发中心5供给端——我国半导体设计、制造、上游设备均存在海外依赖设计端：预计2025年算力芯片外采比率约42%。Trend

Force数据显示，2024年中国AI

Server市场预计外购NVIDIA（英伟达）、AMD（超威）等芯片比例约63%，预计2025年会下降至约42%，而中国本土芯片供应商(如等)在国有AI芯片政策支持下，预期2025年占比将提升至40%，几乎与外购芯片比例平分秋色。制造端：2025Q2，国产逻辑代工和存储器厂商全球市占率不足10%（上市公司收入口径），但是国内需求占比达到全球的30%，自给率不足。我们以2025年Q2作为统计窗口，在代工端，台积电以302亿美元的收入居于市占率第一，占比70.2%，中国大陆的三家厂商（、华虹集团和合肥晶合）的合计市占率约8.4%。DRAM领域，SK

海力士、三星和美光合计市占率93.7%，NAND

FLASH领域，三星、Sk集团、铠侠、美光和闪迪合计市占率接近93%。从需求端来看，2025年Q2中国大陆半导体销售额约505.4亿美元，全球占比28.74%，对比国内供给端和需求端的市场占有率，国内半导体自给率仍然存在不足，尤其在先进节点。设备端：2025H1，国内半导体设备综合国产化率不足25%。我们以2025年上半年为统计时间窗口，国内主要半导体设备公司的半导体业务销售额合计约354亿元，而上半年中国大陆半导体设备销售额约1513亿元人民币（中美汇率按7：1计算），可见半导体设备的国产化率不足25%。图：国内半导体产业链不同环节的海外依赖程度资料：TrendForce，CFM闪存市场，Wind，西部证券研发中心6外围摩擦，政策引导集成电路全产业链自主可控1）外围来看，美国政府频频对我国半导体产业实施限制以遏制我国人工智能产业发展。在设计端，不允许我国进口高端算力芯片，并且对国产设计厂商流片实施限制；制造端，限制高端半导体设备进口以削弱国内的尖端半导体代工能力，设备端，将诸多设备公司加入清单，实施关键零部件。2）政策端引导尖端半导体全链路国产化。大基金三期持续“补链强链”引领产业发展，2025年1月，大基金三期的三支子基金（华芯鼎新、国投集新、国家人工智能产业投资基金）先后完成备案，2025年9月，国投集新以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元，交易完成后持股比例约12.7137%。如果进展顺利，拓荆键科或将成为大基金三期投向的首个半导体项目。战略角度来看，2025年10月二十届四中全会审议通过了《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议》，文中（11）条指出将加强原始创新和关键核心技术攻关。完善新型举国体制，采取超常规措施，全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。科技领域，集成电路被放在首位

，我们认为集成电路全产业链自主可控必然实现。表：美国对我国半导体产业限制措施环节限制措施一方面，限制美国高端算力芯片出口至美国，另一方面，对于不在美国商务部白名单中的设计公司，要么向美国商务部提交申请，要么最终的封测要由白名单当中的封测企业来进行封测，这些OSTA需要对不在白名单内的相关芯片设计企业设计的芯片进行审查，需要满足以下条件才能够对华出口：设计企业

（a）最终封装IC的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管，或（b）最终封装的IC不包含高带宽存储器（HBM），并且最终封装的集成电路的“聚合估计晶体管数量”在2027年完成的任何出口、再出口或转移（国内）中低于350亿个晶体管；或（c）2029年或之后完成的任何出口、再出口或转让（国内）芯片晶体管数量低于400亿个晶体管。制造企业

限制制造企业获取尖端半导体生产设备。设备企业

对使用了美国技术的关键零部件进行管控。资料：芯智讯，金杜律师事务所，

西部证券研发中心70102AI为矛，政策引导，集成电路全产业链自主可控国产AI芯片突围，带动本土先进逻辑扩产需求AI驱动全球存储周期，看好国产存储厂商扩产扩产景气与自主可控共振，设备深度受益目

录030405CONTENTS投资建议及风险提示从需求端看国内AI芯片将拉动多少先进逻辑（7nm及以下）代工需求根据与非网《2025年度国产AI芯片产业白皮书》，国产AI芯片核心应用场景包括智算、智驾、机器人和端侧AI。我们测算了中期维度（2028年）国内智能算力、智能驾驶的AI芯片和望达到7.12万片，总表如下。手机SOC芯片产生的先进逻辑代工需求，合计需求有ퟏ

年度芯片出货量需求（万颗）后续展开不同细分领域的测算需求，核心测算逻辑为月产量需求（万片）=

*，DPW（每片可切DPW（颗/片）∗良率ퟏퟐퟐ풅흅∗흅∗풅割的芯片数量）=

ퟐ

−，其中，

흅表示圆周率，풅表示晶圆直径，푾表示晶粒宽度，푯表示晶粒长度，푾

∗

푯表示晶粒푊∗H2∗푊∗퐻面积。表：国内智能算力芯片、智能驾驶芯片、手机SOC芯片中期代工（2028年）需求领域晶圆消耗量（万片/月）核心假设智能算力芯片智能驾驶芯片手机SOC合计2.144.200.777.12国内需要500万颗算力芯片（等效H20)国内智能驾驶芯片需求量为2530万颗手机销量4750万台资料：与非网，

西部证券研发中心9智能算力：国产半导体设计公司本地代工需求旺盛基于以下核心假设，我们测算得到国内中期算力芯片晶圆消耗量为2.1万片/月1）预计2028年国内智能算力芯片需求500万颗（等效H20）。IDC及浪潮信息发布的《2025年中国人工智能计算力发展评估报告》显示，2024年国内智能算力需求为725.3EFLOPS，新增需求为308.6EFLOPS，H20单卡算力为148TFLOPS（FP16），对应2024年算力芯片（等效H20）需求量209万颗，若2028年国内智能算力需求达到2781.9

EFLOPS，当年将新增515万颗算力芯片需求（等效H20）；2)

根据Semianalysis，H20的芯片面积为814푚푚2，测算DPW时按800푚푚2计算；3）国内无法进口EUV，通过多重曝光实现先进工艺生产，预计良率较低，假设为30%；4）不考虑算力利用率和业务冗余。表：国内智能算力需求（EFLOPS，FP16）及需要的算力卡数量（等效H20)表：中期国内AI芯片月度晶圆消耗量测算智能算力规模（EFOPS)75.0新增智能算力规模需要的算力卡（等效H20，单位：万颗)项目数值（EFLOPS）202020212022202320242025202620272028Die

Size（平方毫米）DPW（颗/片）80065155.2259.9416.7725.31037.31460.32019.92781.980.25471104.7156.8308.6312.0423.0559.6762.0良率30%19106209211286378515单片晶圆可以产出的良好芯片数量（颗/片）芯片出货量需求（万颗/年）晶圆消耗量需求（万片/年）月度晶圆消耗量（万片/月）500262.1资料：IDC，浪潮信息，Semianalysis，英创力科技，

西部证券研发中心10智能驾驶：需求不低于智能算力卡基于以下核心假设，我们测算得到国内2028年智能驾驶（L2+/L2++）芯片晶圆消耗量为4.2万片/月1）2024年国内乘用车销量2289万辆，不考虑增长，我们假设国内乘用车销量保持在2300万辆左右。根据盖世汽车研究院，2024年，国内L2/L2+/L2++级别智能辅助驾驶渗透率为36.6%/4.0%/3.7%，Canalys预测2025

年中国市场

L2

级及以上功能渗透率将达62%，高速

NOA

与城市

NOA

分别达到

10.8%

和

9.9%，预计

2027–2028

年，城市

NOA

增速将反超高速

NOA

，可以预见，智能驾驶渗透率提升的过程中内部结构也会发生变化，我们假设L2++的渗透率从2025年的9.9%提升至2028年的45%，L2+的渗透率从2025年的10.8%提升至2028年的20%，由于智能驾驶向更高阶技术演进，L2渗透率下滑至2028年的30%。

L2+/L2++标配域控制器，假设L2+级自动辅助驾驶不考虑冗余配置，L2++考虑双冗余配置，得到2028年国内智能驾驶（L2+/L2++）产生的智能驾驶芯片需求为2530万颗；2）Ascend610的面积为401푚푚2，测算按400

푚푚2进行；3）国内无法进口EUV，通过多重曝光实现先进工艺生产，预计良率较低，假设良率为35%。表：国内智能驾驶芯片出货量需求测算表：中期国内智能驾驶芯片月度晶圆消耗量测算202422892025E23002026E23002027E23002028E2300项目Die

Size（平方毫米）DPW（颗/片）良率数值400国内乘用车销量（万辆）渗透率L2L2+（高速NOA)L2++(城市NOA)合计14336.6%4.0%7.3%41.3%10.8%9.9%50%13%20%40%18%33%30%20%45%35%单片晶圆可以产出的良好芯片数量（颗/片）5047.9%62.0%83.0%91.0%95.0%SOC芯片需求量（万颗）L2+（高速NOA)L2++(城市NOA)合计2028年芯片出货量需求（万颗/年）晶圆消耗量需求（万片/年）月度晶圆消耗量（万片/月）25305092334426248455704299920121941415181932460207025304.2资料：盖世汽车研究院，Canalys，NE新能源时代，英创力科技，

西部证券研发中心11端侧：

手机SOC芯片代工需求确定性较强基于以下核心假设，我们测算得到国内2028年手机SOC芯片晶圆消耗量为0.8万片/月（不区分中高端手机品牌）手机占比达到16.6%，对应销量约4748万台，我们假设2028年1）2024年国内智能手机销量2.86亿台，其中4750万台，并且全部在国内代工；手机销量为2）手机SOC芯片面积一般在100

푚푚2左右；3）2020年台积电5nm工艺良率大概为80%，峰值大概能到90%，我们假设手机SOC总体良率在80%。表：中期手机SOC芯片月度晶圆消耗量测算项目数值10064080%51247509Die

Size（平方毫米）DPW（颗/片）良率单片晶圆可以产出的良好芯片数量（颗/片）2028年芯片出货量需求（万颗/年）晶圆消耗量需求（万片/年）月度晶圆消耗量（万片/月）0.8资料：IT之家，半导体产业纵横，芯智讯，鸿蒙开发者社区，

西部证券研发中心12供给端来看，存在供需缺口，设备有望受益扩产需求中期存在供需缺口。根据爱集微，截至2025年7月，国内12英寸月产能约197.1万片，按工艺划分，110nm及以上成熟制程产能占比约30%，28-90nm制程为主要构成部分，而14nm及以下先进制程产能占比仅1.7%，也就是说，国内当前14nm及以下的先进制程产能约为3.25万片/月，预计7nm及以下节点产能小于该值，按照2028年智能算力、智能驾驶的AI芯片和手机SOC芯片产生的7.12万片/月的先进逻辑代工需求，国内先进逻辑存在一定的供需缺口。按照7nm节点的每万片月产能的设备投资额23亿美元计算，国内至少需要89亿美元的设备投资。图：不同技术节点对应的设备投资额（亿美元/每万片月产能）504540353025201510542.9931.1122.8416.9012.549.497.906.165.014.27090nm65nm45nm28nm20nm16/14nm10nm7nm5nm3nm资料：招股说明书，IBS，

西部证券研发中心130102AI为矛，政策引导，集成电路全产业链自主可控国产AI芯片突围，带动本土先进逻辑扩产需求AI驱动全球存储周期，看好国产存储厂商扩产扩产景气与自主可控共振，设备深度受益目

录030405CONTENTS投资建议及风险提示存储兼备高成长性和高波动性，AI驱动新一轮涨价周期AI驱动新一轮涨价周期。存储器是集成电路的一种，由于产品相对标准化，周期性属性显著强于整体集成电路市场。2010年以来，存储行业经历了三轮周期，每轮周期持续3-4年，会经历需求拉动+产能受限而引起的涨价，伴随原厂扩产产能释放行业进入下行周期，此循环周而复始。进入2024年，在AI驱动下存储行业开启新一轮涨价周期，具体而言，DRAM方面，

AI服务器需求带动叠加HBM导致的产能排挤效应，Trendforce预计四季度通用DRAM价格涨幅为18-23%。NAND方面，AI需求激增叠加HDD供应受限，CSP采购转向企业级SSD，而原厂在供应上保持保守，导致价格上涨。图：存储涨价周期（销售额单位：百万亿美元）资料：wind，半导体产业纵横，

西部证券研发中心15结构性需求拉动，原厂控产导致出现供需缺口每一轮存储涨价周期都沿着存储涨价->原厂盈利能力提升->出现供需缺口->原厂进行产能扩张->供给增多->存储价格下跌的循环演绎。而供需缺口出现的原因，一方面是因为需求提升，另一方面是因为行业集中度高，几大原厂形成的存储“卡特尔”组织会主动控制产能以谋求高利润。供给端，大厂主动控产，TrendForce预计2026年行业Capex增速有限。DRAM大厂基本都将重点放在制程升级和HBM产能的扩充上，TrendForce预计2026年资本开支增速14%，显著低于24-25年资本开支增速。NAND端，大厂在看到涨价之后纷纷实施主动减产，TrendForce预计明年的资本开支主要来自铠侠/闪迪，预计投入45亿美元，年增41%，总体增长仍然有限，预计2026年NAND行业资本支出增速大约5%左右。表：存储原厂关于涨价的表述及各自对资本支出和产能扩张情况图：2022-2026年DRAM和NAND资本支出（亿美元）及增速涨价表述

资本开支展望11月，某些内存芯片价格较9月份上涨

将通过现有

DRAM产线的工艺转型和位DRAMCapexNANDCapexDRAMHBMDRAMCapexyoyNANDCapexyoy幅度高达60%工厂的新投资来实现1cDRAM的20万片的产能7006005004003002001000100%80%60%40%20%0%/四季度预计移动端NAND价格上调5-10%；与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调

20%至

30%以上三星81%NANDDRAM从507万片下调至472万片，降幅约7%49%/HBM4涨价50%正在推动价格提升9月通知客户涨价20-30%投资主要是应对HBM4的产能扩张从201万片降至约180万片9%7%SK海力士

HBM14%5%7%8%NANDDRAMHBM专注于1gamma制程渗透和TSV设备建置-20%-40%-60%镁光-33%-44%2026年目标是微幅增加NANDFlash产能并专注于G9制程和EnterpriseSSD业务从480万片减至469万片，明年预计加速BiCS8生产并投资BiCS9研发NAND闪迪/铠侠

NAND11月将NAND合约价上调50%2022202320242025F2026F资料：TrendForce，半导体产业纵横，

CFM

闪存市场，电子工程特辑，IT之家，澎湃网，西部证券研发中心16结构性需求拉动，原厂控产导致出现供需缺口需求端来看，AI服务器成为主要驱动力。在服务器方面，随着人工智能由训练向推理的转变令并发用户和Token数量急剧增加，AI服务器的工作负载正在向通用服务器和边缘设备中转移。同时由于键值缓存（Key-value

Cache）从HBM到传统DRAM和SSD的顺序卸载，以及多个请求的并行处理，memory使用量呈指数级增长。DRAM（HBM、高性能DDR5）和NAND（eSSD）的需求都在发生结构性转变。在PC/智能手机方面，SK海力士预计2026年PC和智能手机的出货量都将温和增长，但人工智能功能的日益普及将推动其单机容量的增长。综合来看，CFM闪存预计2025-2026年，全球DRAM位元需求量增速将分别达到17-19%/20%，全球NAND位元需求量增速将分别达到18%/20%。而前文提到大厂主动控产，明年DRAM/NAND行业资本支出增速在14%/5%，预计对位元产出贡献较少，因此明年供需缺口可能进一步拉大。图：全球DRAM位元需求量及增速图：全球NAND位元需求及增速NAND(EB）yoyDRAM(BillionGb）yoy140012001000800600400200021%21%20%20%19%19%18%18%17%4003503002502001501005021%20%20%19%19%18%18%17%123720%35420%102729586925018%18%020242025E2026E20242025E2026E资料：集微咨询，SK

海力士，CFM闪存，闪迪

西部证券研发中心17大厂供给策略专注技术节点升级，国产存储厂商有望成为扩产主力DRAM领域：三星等巨头此前宣布减产DDR4，并且将重点放在先进技术节点转产上，根据TrendForce，海外大厂目前重点在于HBM产能的扩充，从产能统计可以看出，三星、SK海力士和美光的TSV产能占比在逐年提升，而在技术节点上，大厂专注1b/1훽和1c/1훾制程的开发，相比之下，长鑫存储和南亚科因为在HBM上处在落后地位，大厂转产释出空间，因此产能扩张较快。图：全球主要的DRAM参与者的技术节点长鑫存储逐步具备竞争力，EUV光刻机难以获取背景下有望率先开启4F2

DRAM

量

产

落

地

。

2024

年

，

长

鑫

使

用

具

备

成

本

优

势

的DDR3/DDR4获取市场份额，当年底，公司启动DDR5的生产，目前其基于G4的DDR5性能基本可以和三个大厂的1y/1z制程产品媲美。HBM方面，

2026-2027年，长鑫有望实现HBM3的量产。此外，由于制程微缩，更高阶产品需要使用EUV完成，国内进口EUV受限情况下，长鑫存储有望率先开启4F2

DRAM产品的量产落地。图：全球主要参与者的DRAM及HBM（TSV）产能（KWPM）图：DRAM技术路线8007006005004003002001000680670655600545460360340305253002028010200605765120

150

150

120

150

200551002024

2025

2026

2024

2025

2026

2024

2025

2026

2024

2025

2026

2024

2025

2026SAMSUNGSKHynixMicronCXMTNANYATSVDRAM（通用）资料：Trendforce，Yole，

西部证券研发中心18大厂供给策略专注技术节点升级，国产存储厂商有望成为扩产主力NAND

FLASH领域：大厂实施主动减产以控制供给，业务相对单一的长江存储和铠侠成为产能扩充的主力。根据SEMI，2025年全球NAND产能为450万片/月（8英寸当量），折合12英寸大约为164万片/月，其中铠侠/长江存储分别为50/15万片，今年来看，大厂都在主动减产以控制供给，明年资本开支增速有限，三星以转产V8（286L）为主，美光没有明确的资本支出计划，而铠侠和长江存储因为只有NAND单一业务，因此扩充产能较为激进，根据铠侠此前规划，2026年上半年之前会再新增3万片/月的产能，产品为V8（218L）。而长江存储的扩产预计会更加激进，预计2026年产能可达到20万片/月。技术领域，长江存储基本处在世界第一梯队，伴随三期扩产，全球NAND产能格局有望重塑。根据Techinsights，2025年，长江存储已经实现

267L

3D

NAND

TLC产品的量产，和国际大厂进一步缩小差距，更高阶产品在研中。此外，大厂规划在NAND制造过程中导入混合键合，而该工艺中长江存储应用具备先发优势，追平和国际巨头的技术差距指日可待。伴随三期产能落地，全球NAND产能格局有望得到重塑。图：全球主要参与者的NAND产能（万片/月，按实际可产出而非设备容图：3D

NAND技术节点发展趋势量）2025602026E60三星铠侠/闪迪SK海力士美光505321211111长江存储其他152077合计164172资料：CSIA，Omdia，KIOXIA，超能网，CFM闪存市场，

西部证券研发中心19周期上行，设备受惠于下游资本支出提升，高存储敞口标的跑赢我们认为本轮周期和2012年Q3由智能手机引起的存储成长周期类似，因此选择该段时间复盘存储涨价周期对于设备股价的影响，得到的核心结论为：高存储敞口的标的显著跑赢：LAM2012年存储收入占比高达45%，其在2012Q3到那一轮周期的高点实现了144%的涨幅，高于AMAT和ASML。图：2012Q3-2015年底美股设备公司股价表现（美元/股）LAMAMATASML（右轴）LAM144%AMAT78%ASML49%3227221712712010080604020022012-01-032012-07-032013-01-032013-07-032014-01-032014-07-032015-01-032015-07-032016-01-032016-07-03图：LAM的PE-TTM及净利润同比增速200150100504000%3000%2000%1000%0%PE-TTM（左轴）净利润-yoy0-1000%2012-01-032012-07-032013-01-032013-07-032014-01-032014-07-032015-01-032015-07-032016-01-032016-07-03资料：wind，

西部证券研发中心200102AI为矛，政策引导，集成电路全产业链自主可控国产AI芯片突围，带动本土先进逻辑扩产需求AI驱动全球存储周期，看好国产存储厂商扩产扩产景气与自主可控共振，半导体设备深度受益目

录030405CONTENTS投资建议及风险提示AI引领本轮半导体创新大周期，带动上游设备支出增长AI继续成为全球半导体行业的变革力量，推动先进制造产能的显著扩张。SEMI报告指出，全球前端半导体供应商正在加速扩张，以支持生成式人工智能（AI）应用的激增需求。预计从2024年底到2028年，产能将以7%的复合年增长率增长，达到每月1110万片晶圆。推动这一增长的关键因素是先进工艺产能（7纳米及以下）的持续扩张，预计将从2024年的每月85万片晶圆增长到2028年的历史新高140万片晶圆，增长约69%，复合年增长率约为14%，是行业平均水平的两倍。按照下游领域来讲，Logic/代工、DRAM、NAND在2026年的设备资本开支中有望达到691/233/150亿美元，同步增速分别为6.6%/12.10%/9.7%，比重有望预计分别为50%/17%/11%。7nm及以下产能（WPM）及增速图：全球不同领域半导体设备市场规模（亿美元）图：全球7nm及以下产能7nm以上产能yoy-7nm及以下yoy-7nm以上nanddramlogic/foundry其他1,20020%18%16%14%12%10%8%6%4%2%0%14001200100080060040020001,0008006004002000307.36262.52272.95690.77232.59648.00207.48607.31195.002023202485.0761.89%2025E97.82026E115.3864.018%2027E125.7915.99%2028E143.3966.714%7nm及以下产能7nm以上产能yoy-7nm及以下yoy-7nm以上78.0705.4815.115%7%137.002025E150.292026E96.1420248%6%6%6%资料：wind，SEMI，

西部证券研发中心22中国大陆半导体设备规模领跑全球，先进节点扩产预计进入高景气区间国内先进节点扩产景气度持续提升，资本支出领跑全球。SEMI数据显示，2025年，全球半导体设备市场规模预计为1225亿美元，中国大陆半导体设备市场规模预计为389亿美元，市场规模占比为31%。Semi预计从2026年到2028年，全球300mm晶圆厂设备支出将达到3,740亿美元，中国大陆将继续领先全球300mm设备支出，2026至2028年间投资总额将达940亿美元。国内主要FAB的扩产规划如下表格所示，预计国内先进工艺扩产节点扩产将进入高景气区间。表：国内主要FAB厂的扩产规划（截至2025年11月）图：全球及国内半导体设备市场规模（十亿美元）公司主体及规划全球中国大陆中国大陆占比129.06B2工厂目前正在扩建中，现有产能6.2万片/月，扩建中芯北方中芯南方1401201008045%40%35%后10万片/月125.5038.39%SN2工厂建设目前正在规划中，计划新增3.5万片/月109.18106.79105.3134.27%中芯东方工厂目前正在建设中，三阶段产能规划共10万片/月上海市最新公开消息显示，6月份华力康桥二期生产线配套大宗气站项目获得节能审查的许可31.00%87.2930%25%20%28.13%25.89%华虹公司64.9922.64%21.45%57.9020.70%60市场分析机构Counterpoint预测，长鑫存储今年将在去年大幅增产的基础上产能进一步同比增长近50%。TrendForce预测，到2025年49.5438.91

15%36.604029.6228.272022长鑫存储

底，其月产能有望达到30万片，届时将占据全球DRAM总产能的约15%；10%5%18.722013.1113.45目前长鑫存储已启动IPO工作，预计公司将持续扩产00%长江存储

2025年9月，长存三期成立，注册资本达到207.2亿元2018201920202021202320242025E资料：恒运昌IPO回复函，上海市官网，风鸟，wind，

西部证券研发中心23扩产高景气叠加自主可控，国产半导体设备深度受益细分设备国产化进展不同。我们以2025年的国内总体半导体设备规模为基础测算了不同细分品类的市场规模，考虑数据可得性，以2024年各个上市公司的收入口径测算了国产化情况，预计2025年国产化率情况比表格中更高。当前来看，光刻、量测检测、涂胶显影和离子注入国产化率仅为个位数，空间广阔。表：国内细分设备市场规模及国产化率情况（美元兑人民币汇率按1：7计算）国内细分设备市场规模（亿美元，2025年）主要竞争者国产化率（以2024年收入口径）环节占比89%17.0%22.0%规模346.2166.1385.58海外国内前道设备光刻机ASML、Nikon、CanonLAM、TEL、AMAT上海微电子几乎为020.8%刻蚀设备北方华创、中微公司、屹唐股份北方华创、拓荆科技、微导纳米、中微公司、盛美上海薄膜设备22.0%12.0%85.5846.68AMAT、TEL、LAM18.8%5.0%KLA、AMAT、日立、ONTO、量测检测设备清洗设备中科飞测、精测电子Camtek6.0%4.0%3.0%23.3415.5611.67DNS、L