存储行业深度报告：AI时代存储需求推动周期上行涨价浪潮下厂商盈利能力逐季提升

正文目录一AI时下储求发推周上，需张态下格速涨 5二、外厂利力断增，内储组商等润续放 12三、资议 17图表目录图1：数中对储强劲求 5图2：多态用存需求长 6图3：AI动NANDFlash位需增（位：EB） 6图4：华电CUBE3D叠结构 8图5：CBA构造艺 8图6：存单和CMOS电路合一起 8图7：HBF品态 9图8：部存原季资本支亿元） 10图9：NAND备本支（美） 11图10：DXI指数 11图11：DRAM现价美金） 12图12：NANDFlash价格美） 12图13：外储头额（美）增速 13图14：外储头率 13图15：外储头率 13图16：内分储公司利率 13图17：内分储公司非利率 13图18：内分储公司货百元） 14图19：联子度（10月亿台） 14图20：见息度（10月亿台） 14图21：刚控度（10月亿台） 15图22：国湾基厂商度收亿台） 15图23：内基储厂商利率 16图24：内基储厂商利率 16表1：HBM产规比较 7表2：存原资支规划 10表3：2025年10月现货价 12表4：国存及套业链市的 17一、一、AI时代下存储需求爆发推动周期上行，供需紧张态势下价格加速上涨我们在今年3月发布《储 ：需善下NAND价格拐点趋高端存储和端侧创带增量需求》详述存行拐点逻辑，并在6-10月半体月报中对存储上趋进行持续跟踪进入25Q3以来存储行业全面入上行周期不同于此前给侧减产或退出带的格短暂上行本轮存储业行周期主要系AI时代下存储需求爆发推动，时给侧产能开出有限因业供需缺口持续扩，格加速上涨。存储行业具有强周期性，AI时代下存储需求推动本轮价格周期持续上行。20102025年3月以来利基DRAM25Q2-25Q3以来NANDFlash、DDR525Q426H12024AI26H12026从需求端来看，AIAIEBZBAI2020年的600EB（1EB=1024PB）20282.4ZB（1ZB=1024EB）心驱动力从手机、互联网厂商等转变为生成式AI。图1：数据中心对存储的强劲需求希捷投资者日材料多模态应用推动存储需求增长，Sora2代表着从视频生成的"GPT-1时刻"向"GPT-3.5时刻"Sora2104K100MBKB级存储需求提升数百甚至数千倍。图2：多模态应用对存储需求增长希捷投资者日材料AI推理增加冷数据和温数据需求，SSD有望接力HDD成为万卡集群主流存储器。根据闪迪预估，2026年全球NANDFlash位元需求有望增长超200EB至1237EB，到2029年需求有望增至2236EB。AI推理存储需求一般分为热数据、温数据、冷数据三种，热数据一般存储在HBM或DRAM中，以满足实时推理需求；温数据一般使用SSD存储，以实现较快的读写速度；冷数据一般使用HDD，用来进行大规模数据备份。尽管HDD读写速度较慢，但相较于SSD成本低廉，因此目前万卡集群存储解决方案中，常见40%SSD+60%HDD的混合模式。不过考虑到AI推理工作负载涉及大量小型数据的随机读取，以及对模型参数的快速调用，从效能角度分析，SSD的IOPS（每秒读写次数）是HDD的数百甚至数千倍，其微秒级的延迟（Latency）相较HDD毫秒级延迟缩短数倍。同时SSD在运作时无需马达驱动磁盘，每TB的功耗远低于HDD。对于大型数据中心而言，改用SSD所节省的电费、冷却成本以及机柜空间，长期足以抵销其较高的初始购置成本，未来SSD有望接力HDD成为数据中心万卡集群主流存储器。图3：AI推动NANDFlash位元需求增长（单位：EB）闪迪投资者日材料下游PC2025系ows系统迭代和AIPCPC2025年新款AIPC16GB容量32-64GB20252024DRAM手机DRAM12-16GBAI车载及智驾系统发展，内存和存储容量持续增加；④可穿戴产品方面，根据维深XRRaybanStories512MBLPDDR3+4GBeMMC5.0的eMCPRaybanMeta2GBLPDDR4X+32GBeMMC5.1eMCPAIOlaFriend2128MbNORFlash，容量较普通TWS64-128MbNOR和NANDCBAHBF等催生增量需求。HBM三大原厂HBM4产品将在2026年批量出货，美光2026年HBM产能售罄。1）SK海力士：公司于25Q4启动出货HBM4，2026年扩大HBM4产能，同时指引2027年HBM产品仍供不应求；2）三星：公司HBM3E产品占比扩大至超80H2BE销售占比超90B4FY25Q4HBM20HBMHBM4HBM42026产品发布时间核心die容量层数产品发布时间核心die容量层数速度（Gbps）I/OHBM42026F24Gb12,168-102048HBM3E202424Gb8,12,168-9.81024HBM3202216Gb8,125.6-6.41024HBM2E202016Gb4,83.2-3.61024HBM220188Gb4,82-2.41024Trendforce，各公司公告CUBE、3DDRAM等发展。AIAIHBMAIHBMJEDEC因此无法直接用于各类AI端侧场景。考虑到AIAI华邦电率先推出CUBEAI华20239CUBE（）HBM3Dchip-on-wafer（CoW）2.5D/3Dchip-on-Si-interposer（Fanout）CUBE可大幅优化内存技术，主要与SoC实现在混合云和边缘云应用中运行生成式AI的性能，适用于可穿戴设备、边缘服务器设备、监控设备、ADAS及协作机器人等高级应用。图4：华邦电CUBE3D堆叠结构华邦电官网CBA架构CBA架构将存储单元和CMOSCMOSCBACMOS图5：CBA架构制造工艺 图6：存储单元和CMOS电路键合在一起闪迪投资者日材料 闪迪投资者日材料CBACBA3D密度。例如，铠侠的第八代BiCSFLASH21815%-20%；CBACMOSBiCSFLASH为例，与其前代产品（第六代）相比，写入性能提升约20%，读取速度提10%30%3.6Gbps。基于NAND架构的基于NAND堆叠架构的用于解决数据中心和边缘AI应用的内存墙问题，提升互联速度和带宽。HBFHBMHBFTSVNANDI/OBiCS94.8Gb/sHBFNANDHBFHBF可在数据中心中可增强HBMTBGPUHBFHBM8-16倍。图7：HBF产品形态闪迪投资者日材料BMD产能开出非常有限。海外存储原厂资本开支聚焦BMD由于HBMNAND1-2NANDNANDHBM2025HBMHBMFY20251381γnmDRAMHBMFY2026DRAMHBM25Q42026图8：部分存储原厂季度资本开支（亿美元）美光 SK海力士 西部数据 yoy0

200%150%100%50%0%-50%16Q116Q216Q116Q216Q316Q417Q117Q217Q317Q418Q118Q218Q318Q419Q119Q219Q319Q420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q2Bloomberg存储原厂2023年2024存储原厂2023年2024年2025年规划三星电子53.1万亿韩元，其中48.4万亿韩元用于DS部门，2.4万亿韩元用于显示增加2.5倍及以上HBM产能，其他非HBM产量增长有限，并减产NAND优化产品产量，HBM位元供应量同比400V10NAND263月建设SK海力士2023年资本支出同比减少50%以上HBMTSV提升有限超此前指引，用于HBM新产线的支出同比显著增长美光130亿美元，同比减少38%81亿美元1381β1γnmDRAMNAND支公告NANDFlash2017-20212017-2018NAND20222022-2023NANDFlashNANDFlash20242025AIADFhSK海力士、闪迪均无明确NANDFlash2026年NANDFlash2026图9：NAND设备资本开支（亿美元）闪迪投资者日材料10年101040-100%AI10DDR48G16G25Q2910DDR3DDR4产品，造成DDR3月40.4%；NANDFlashAI7-8图10：DXI指数350000300000250000200000150000100000500000类别现货价（美元）环比涨跌幅DDR516G（2G*8）15.6类别现货价（美元）环比涨跌幅DDR516G（2G*8）15.6+102.6%DDR416G（2G*8）25.5+96.8%DDR48G（1G*8）10.2+60.4%DDR34G（512M*8）3.3+40.4%TLCNANDFlashWafer512Gb5.0+42.9%Digitimes图11：DRAM现货价格（美金） 图12：NANDFlash现货价格（美元）DDR5(16Gb(2Gx8)) DDR4(16Gb(1Gx16))DDR4(16Gb(2Gx8)) DDR4(8Gb(1Gx8))DDR4(8Gb(512Mx16)) 73563052542031510 2

NANDFlash(64Gb8Gx8MLC)NANDFlash(32Gb4Gx8MLC)502023-05-03 2024-05-03 2025-05-03

102023-05-03 2024-05-03 2025-05-03等利润持续释放存储业务收入同比加速增长，盈利能力持续增强。①三星：25Q3存储业务在HBM3ESSD19%业务通过扩大HBM3E26.7（18726%，K3收入5；毛利率为57%，同比+5pcts/环比+3pcts；净利率为52%，同比+6pcts/环比+21pcts25Q3113.2+46%/环比+22%45.7%，同比+9.2pcts/环比+6.7pcts31%+14pcts/环比+7.6pcts1营收823环比s；1.81331%NANDbit15%图13：海外存储龙头销售额（亿美元）及增速三星电子（存储业务） 美光 SK海力士 yoy0

80%60%40%20%0%-20%-40%10Q110Q310Q110Q311Q111Q312Q112Q313Q113Q314Q114Q315Q115Q316Q116Q317Q117Q318Q118Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q3财报图14：海外存储龙头毛利率 图15：海外存储龙头净利率10Q110Q410Q110Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q1-20%-40%

三星电子 美光 SK海力士 西部数据

10Q110Q410Q110Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q1-20%-40%-60%-80%

三星电子 美光 SK海力士 西部数据财报 财报25Q4中国大陆模组厂商25Q325Q325Q4图16：国内部分存储模组公司毛利率 图17：国内部分存储模组公司扣非净利率江波龙 佰维存储 德明利 江波龙 佰维存储 德明利

30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%财报 财报图18：国内部分存储模组公司存货（百万元）江波龙 佰维存储 德明利10000900080007000600050004000300020001000022Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4 24Q1 24Q2 24Q3 24Q4 25Q1 25Q2 25Q3财报1070.65+90%/DRAM25Q41017.2+119.6%/环比1044.6+31%/-14.9%2026图19：群联电子月度收入（10月，亿新台币） 图20：创见信息月度收入（10月，亿新台币）群联电子 yoy807060504030201017M117M617M117M617M1118M418M919M219M719M1220M520M1021M321M822M122M622M1123M423M924M224M724M1225M525M10

100% 2580%60% 2040% 1520%0% 10-20%-40% 5-60% 0

创见信息 yoy

150.0%100.0%50.0%0.0%17M117M717M117M718M118M719M119M720M120M721M121M722M122M723M123M724M124M725M125M7财报 财报图21：威刚工控月度收入（10月，亿新台币）威刚 yoy60504030201017M117M517M117M517M918M118M518M919M119M519M920M120M520M921M121M521M922M122M522M923M123M523M924M124M524M925M125M525M9

120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%财报利基、SLCNANDDDR4DDR5等主流产品迁移，逐步淡出利基DRAM3季度以来价格呈现加速上升态势，NOR、SLCNAND等品类价格维持温和增长态势。1026.5+24%ROMSLCNANDAINOR979.2+9.5%DDR425Q40792D450，DDR3LPDDR3DDR5DDR425Q3（25Q2259138天）图22：中国台湾利基存储厂商月度营收（亿新台币）旺宏 华邦电 南亚科 yoy25020015010050

60%40%20%0%-20%-40%22M122M222M122M222M322M422M522M622M722M822M922M1022M1122M1223M123M223M323M423M523M623M723M823M923M1023M1123M1224M124M224M324M424M524M624M724M824M924M1024M1124M1225M125M225M325M425M525M625M725M825M9财报2DRAM进一步上行，并在明年维持相对较好的水平；兆易表示，海外大厂在将重心从2DNAND3DNAND2DNANDSLCNANDFlash图23：国内利基存