集成电路制造工艺 课件 4.4 去胶_第1页
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集成电路制造工艺

--去胶单位：江苏信息职业技术学院微电子教研室湿法刻蚀第四章刻蚀干法刻蚀去胶刻蚀的基本概念本章要点湿法刻蚀第四章刻蚀干法刻蚀去胶本章要点刻蚀的基本概念它是图形制备的最后一道工序，就是将硅片表面的光刻胶去除。溶剂去胶：常用于金属表面的光刻胶层，一般是含有氯的烃化物，如三氯乙烯。氧化剂去胶：用于无金属衬底的光刻胶层，常用的氧化剂为浓硫酸和双氧水的混合液（SPM液）。等离子体去胶：利用等离子体氧化或分解的方式将光刻胶剥除。主要是等离子体氧气去胶。§4.4去胶去胶工艺去胶的方法谢谢！

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