培育钻石分级师岗位招聘考试试卷及答案

培育钻石分级师岗位招聘考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分）1.培育钻石最常用的两种生长方法是高压高温法和______法。2.培育钻石颜色分级的起始色是字母______。3.净度分级中“内部无瑕”的缩写是______。4.CVD培育钻石的生长基底通常是______片。5.培育钻石切工分级的最高等级英文缩写是______。6.培育钻石与天然钻石的化学成分均为______。7.净度分级观察瑕疵的标准放大倍数是______倍。8.HPHT培育钻石的主要原料是______。9.培育钻石常见荧光颜色包括蓝色、黄色和______色。10.培育钻石分级证书核心参数含克拉重量、颜色、净度和______。二、单项选择题（共10题，每题2分）1.培育钻石最常用生长方法是（）A.HPHT和CVDB.PVD和熔融法C.激光烧结和气相沉积D.化学沉积和物理沉积2.培育钻石颜色分级起始色是（）A.AB.DC.ED.F3.净度“内部无瑕”缩写是（）A.FlB.VVS1C.VS1D.SI14.CVD培育钻石生长环境是（）A.高压腔B.真空腔C.常压炉D.低温低压腔5.切工最高等级是（）A.ExcellentB.VeryGoodC.GoodD.Fair6.培育与天然钻石相同点是（）A.生长环境B.瑕疵类型C.硬度D.产地7.10倍镜下看不到瑕疵的等级是（）A.FlB.VVS1C.VS1D.SI18.克拉重量单位符号是（）A.ctB.gC.mgD.kg9.HPHT培育钻石常见颜色偏向（）A.近无色B.黄色系C.褐色D.粉色10.证书必须标注的是（）A.产地B.生长方法C.荧光强度D.价格三、多项选择题（共10题，每题2分）1.培育钻石主要生长方法（）A.HPHTB.CVDC.PVDD.熔融法2.净度分级考量因素（）A.瑕疵类型B.大小C.位置D.数量3.颜色分级标准光源（）A.D65B.A光源C.F光源D.C光源4.切工分级三大要素（）A.比例B.对称性C.抛光度D.台宽比5.培育钻石常见瑕疵（）A.针状包体B.云状包体C.生长纹D.解理6.证书核心参数（）A.克拉重量B.颜色C.净度D.切工7.CVD培育钻石特点（）A.硅片基底B.真空生长C.近无色为主D.生长慢8.HPHT培育钻石特点（）A.高温高压B.石墨原料C.黄色系为主D.生长快9.荧光分级等级（）A.NoneB.FaintC.MediumD.Strong10.培育与天然钻石相同点（）A.化学成分（C）B.晶体结构C.硬度（10）D.折射率（2.42）四、判断题（共10题，每题2分）1.培育钻石化学成分与天然完全相同（）2.HPHT一定比CVD便宜（）3.切工分级标准与天然一致（）4.所有培育钻石无荧光（）5.VS1比SI1瑕疵更少（）6.CVD生长无需高温（）7.颜色分级从D到Z（）8.培育钻石硬度低于天然（）9.证书必须标注生长方法（）10.净度用20倍镜观察（）五、简答题（共4题，每题5分）1.简述培育钻石两种主要生长方法的核心区别。2.培育钻石颜色分级的基本流程是什么？3.培育钻石净度分级的观察要点有哪些？4.培育钻石切工分级的三大要素及含义？六、讨论题（共2题，每题5分）1.培育钻石分级与天然钻石分级的异同点是什么？2.如何辨别培育钻石分级证书的真伪？---答案部分一、填空题答案1.化学气相沉积（CVD）2.D3.Fl4.硅5.EX6.碳（C）7.108.石墨9.绿10.切工二、单项选择题答案1.A2.B3.A4.B5.A6.C7.A8.A9.B10.B三、多项选择题答案1.AB2.ABCD3.AB4.ABC5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABCD10.ABCD四、判断题答案1.√2.×3.√4.×5.√6.×7.√8.×9.√10.×五、简答题答案1.核心区别：①生长环境：HPHT需高温（1300-1800℃）高压（5-6GPa），CVD需真空（低压）高温（800-1200℃）；②基底：HPHT无特定基底，CVD以硅片为基底；③颜色：HPHT多黄色系，CVD多近无色至褐色；④速度：HPHT较快，CVD较慢。2.流程：①清洁钻石；②置于D65/A光源下；③与D-Z天然比色石对比；④排除荧光干扰（无荧光光源复核）；⑤调整角度观察体色；⑥确定颜色等级（D最高）。3.观察要点：①瑕疵类型（包体、生长纹等）；②大小（10倍镜可见度）；③位置（靠近台面影响大）；④数量（多寡）；⑤多角度（台、亭、侧）观察，判断对外观的影响。4.三大要素：①比例：各部分尺寸比例（台宽、冠高、亭深），影响光线反射；②对称性：刻面对称程度（台面居中、刻面对齐）；③抛光度：表面光滑度，影响亮度闪烁。三者决定切工等级（EX至Poor）。六、讨论题答案1.异同：①相同：化学成分（C）、晶体结构、分级标准（色/净/切/克拉）一致；②不同：培育需标生长方法，天然可能标产地；培育瑕疵有特征（CVD硅残留、HPHT金属包体），天然瑕疵更多样；培育荧光类型有差异（部