中原工学院《微电子科学与工程（半导体器件制备技术）》2024-2025 学年第一学期期末试卷

班级班级学号姓名本科．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．密．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．封．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．线．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．试卷说明：1、试卷满分100分，120分钟完成试卷；2、钢笔或圆珠笔直接答在试题中（除题目有特殊规定外）；3、答卷前将密封线内的项目填写清楚。题号一二三四五总分合分人复核人满分100得分一、单项选择题(本大题总共15小题，每题2分，共30分）1.以下哪种材料不是常见的半导体材料？A.硅B.锗C.铜D.砷化镓2.半导体器件制备中，光刻技术主要用于？A.掺杂B.图形转移C.氧化D.扩散3.硅的晶体结构属于？A.面心立方B.体心立方C.简单立方D.六方4.半导体中的载流子包括？A.电子和质子B.电子和空穴C.质子和中子D.空穴和中子5.杂质半导体中，P型半导体的多数载流子是？A.电子B.空穴C.离子D.中子6.半导体器件制备过程中，氧化的目的不包括？A.保护器件B.作为绝缘层C.改变器件性能D.增加导电性7.以下哪种方法可用于半导体的掺杂？A.光刻B.氧化C.离子注入D.退火8.集成电路制造中，CMOS工艺的特点不包括？A.低功耗B.高集成度C.速度快D.工艺复杂9.半导体器件的阈值电压与什么有关？A.掺杂浓度B.氧化层厚度C.沟道长度D.以上都是10.对于MOSFET，栅极电压对漏极电流的控制作用基于？A.电场效应B.热效应C.光效应D.磁效应11.半导体发光二极管的发光原理是？A.电致发光B.光致发光C.热致发光D.化学发光12.半导体探测器主要利用半导体的什么特性？A.光电效应B.电离效应C.压阻效应D.霍尔效应13.以下哪种半导体器件常用于数字电路中的开关？A.二极管B.三极管C.MOSFETD.晶闸管14.半导体工艺中，湿法刻蚀的优点不包括？A.选择性好B.图形精度高C.成本低D.对设备要求低15.半导体器件的封装主要目的不包括？A.保护芯片B.便于安装C.提高性能D.散热二、多项选择题(本大题总共5题，每题4分，共20分)1.半导体器件制备中常用的薄膜生长技术有？A.化学气相沉积B.物理气相沉积C.分子束外延D.溅射2.影响半导体器件性能的因素有？A.材料纯度B.工艺精度C.环境温度D.湿度3.以下属于半导体分立器件的有？A.二极管B.三极管C.集成电路D.晶闸管4.半导体工艺中的光刻胶具有哪些特性？A.感光性B.粘附性C.溶解性D.绝缘性5.半导体存储器的分类包括？A.随机存取存储器B.只读存储器C.闪存D.动态存储器三、填空题(本大题总共6题，每题4分，共24分)1.半导体的导电能力介于____和____之间。2.半导体器件制备中，____是形成晶体管等有源器件的关键步骤。3.P型半导体是在本征半导体中掺入____价杂质元素形成的。4.半导体发光二极管发出的光的波长与半导体材料的____有关。5.半导体工艺中，干法刻蚀的主要优点是____高。6.半导体集成电路按照功能可分为____、____、模拟集成电路等。四、简答题(本大题总共2题，每题6分，共12分)1.简述半导体器件制备中光刻技术的