2026工艺整合招聘真题及答案

2026工艺整合招聘真题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）1.光刻工艺中，对准精度主要影响（）。A.图形尺寸B.套刻精度C.光刻胶厚度D.曝光能量2.以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）？（）A.氧气B.氮气C.硅烷D.氩气3.氧化工艺可提高硅片的（）。A.导电性B.绝缘性C.硬度D.韧性4.蚀刻工艺中，选择比是指（）。A.蚀刻速率之比B.蚀刻面积之比C.蚀刻深度之比D.蚀刻时间之比5.外延生长与沉积的主要区别是（）。A.生长温度B.原子排列方式C.气体种类D.反应压力6.用于衡量光刻分辨率的指标是（）。A.波长B.数值孔径C.瑞利判据D.相干度7.离子注入工艺后的退火目的是（）。A.去除杂质B.修复晶格损伤C.改变晶向D.降低表面粗糙度8.化学机械抛光（CMP）主要用于（）。A.表面清洗B.去除氧化层C.全局平坦化D.图形转移9.MOS器件中，栅氧化层的作用是（）。A.提供载流子B.隔离栅极和沟道C.增加电容D.降低电阻10.在半导体制造中，湿法清洗常用的试剂是（）。A.酒精B.氢氧化钠溶液C.去离子水D.硫酸-双氧水混合液多项选择题（每题2分，共10题）1.影响光刻线条宽度的因素有（）。A.曝光波长B.数值孔径C.光刻胶性能D.衬底材料2.化学气相沉积（CVD）可分为（）。A.常压CVDB.低压CVDC.等离子体增强CVDD.激光辅助CVD3.离子注入工艺的优点有（）。A.精确控制杂质浓度B.低温工艺C.均匀性好D.设备简单4.蚀刻工艺可分为（）。A.湿法蚀刻B.干法蚀刻C.化学蚀刻D.物理蚀刻5.半导体工艺中，常用的清洗方法有（）。A.湿法清洗B.干洗C.超声清洗D.兆声波清洗6.以下哪些因素会影响氧化速率（）。A.温度B.氧气分压C.硅片晶向D.硅片表面粗糙度7.外延生长的方法有（）。A.气相外延B.液相外延C.分子束外延D.离子束外延8.化学机械抛光（CMP）的关键参数有（）。A.压力B.抛光垫转速C.抛光液流量D.背压9.MOS器件的性能参数包括（）。A.阈值电压B.跨导C.漏极电流D.击穿电压10.半导体制造中的光刻工艺包括（）。A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀判断题（每题2分，共10题）1.光刻工艺中，曝光波长越短，分辨率越高。（）2.化学气相沉积（CVD）只能在高温下进行。（）3.离子注入后的杂质分布是均匀的。（）4.湿法蚀刻比干法蚀刻的选择性好。（）5.氧化工艺会使硅片表面的杂质浓度降低。（）6.外延生长时，衬底和外延层的晶格常数必须完全相同。（）7.化学机械抛光（CMP）可以实现全局平坦化，但不能提高表面平整度。（）8.MOS器件的阈值电压只与栅氧化层厚度有关。（）9.光刻胶的敏感度越高，曝光时间越短。（）10.半导体制造中的清洗工艺主要是为了去除有机物。（）简答题（每题5分，共4题）1.简述光刻工艺的基本流程。-答：光刻基本流程为涂胶，在硅片表面均匀涂光刻胶；曝光，用特定波长光照使光刻胶感光；显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶；坚膜，增强光刻胶与硅片附着力。2.离子注入工艺后为什么要进行退火处理？-答：离子注入会造成晶格损伤。退火可修复晶格损伤，使杂质原子进入晶格替代位置，达到电激活，恢复半导体材料电学性能和晶体结构。3.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？-答：CMP原理是通过化学反应和机械研磨共同作用。抛光液中的化学物质与硅片表面材料化学反应，形成易去除层，抛光垫机械摩擦去除该层，实现平坦化。4.简述MOS器件的工作原理。-答：MOS器件由栅、源、漏极和衬底等组成。在栅极加电压产生电场，调控半导体表面沟道形成与载流子浓度，改变源漏间电流导通状态，实现开关或放大功能。讨论题（每题5分，共4题）1.讨论光刻工艺对半导体制造的重要性。-答：光刻是半导体制造核心工艺。它决定芯片图形精度和尺寸，影响芯片性能、集成度和功能。高精度光刻可实现更小尺寸芯片，提升性能降低成本，推动半导体技术发展。2.分析离子注入和扩散工艺在杂质引入方面的优缺点。-答：离子注入优点是精确控制杂质浓度和深度、低温处理，缺点是设备复杂、有晶格损伤。扩散工艺优点是设备简单、能实现均匀掺杂，缺点是难以精确控制杂质分布和深度，高温易影响其他层。3.探讨化学机械抛光（CMP）在先进制程中的挑战及解决方案。-答：挑战有表面划伤、材料去除不均匀等。解决方案可优化抛光液配方和抛光垫性能，精确控制工艺参数如压力、转速等，还可通过在线监测及时调整工艺。4.谈谈你对工艺整合在半导体制造中作用的理解。-答：工艺整合将各单元工艺有效组合，确保芯片性能和良率。它协调光刻、蚀刻、沉积等工艺顺序和参数，使各工艺相互配合，提高生产效率，降低成本，是实现高性能芯片制造的关键。答案单项选择题答案1.B2.C3.B4.A5.B6.C7.B8.C9.B10.D多项选择题答案1.