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文档简介

以赛促学

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以智赋能

｜

智创未来助力模拟芯片新时代模拟电子技术与实践

2.4晶体管的主要参数主讲人：电子信息工程技术专业翁芸项目二信号放大电路的分析与制作模拟电子技术与实践虚实结合学习指南任务实施能力拓展预备知识项目总结

情境引入当我们要选用晶体管时，要考虑哪些主要参数呢？了解三极管电流放大系数、极间反向电流等特性参数

掌握三极管极限参数的应用

学习目标虚实结合学习指南任务实施能力拓展预备知识项目总结学习目标

三极管的主要参数虚实结合学习指南任务实施能力拓展预备知识项目总结1.三极管电流放大系数共发射极电流放大系数—直流电流放大系数

—交流电流放大系数一般为几十

几百QiC

/mAuCE

/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321

≈

有时用hfe表示

三极管的主要参数虚实结合学习指南任务实施能力拓展预备知识项目总结iC

/mAuCE

/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321Q

共基极电流放大系数

1一般在0.98以上。

1.电流放大系数

三极管的主要参数虚实结合学习指南任务实施能力拓展预备知识项目总结2.极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流ICBO，CE极间反向饱和电流ICEO。ICEO=（1+β）ICBO室温下，小功率硅管的ICBO小于1微安，锗管约为几微安到几十微安。ICEO、ICBO均随温度的上升而增大，所以其大小反映了晶体管的温度稳定性，其值越小，受温度的影响越小，晶体管的工作越稳定。

三极管的主要参数虚实结合学习指南任务实施能力拓展预备知识项目总结3.极限参数

ICM

—集电极最大允许电流，超过时

值明显降低。

PCM—集电极最大允许功率损耗PC=iC

uCEiCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区

PC将使集电结温度升高而使晶体管发热。

PCM是最大集电极功耗，它是由允许的最高集电结温度决定的,工作时的集电极功率PC必须小于PCM。

三极管的主要参数虚实结合学习指南任务实施能力拓展预备知识项目总结3.极限参数iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区

U(BR)CEO

—基极开路时C、E极间反向击穿电压。U(BR)EBO

—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。U(BR)CBO

—C发射极开路时,C、B极间反向击穿电压。U(BR)CBO

>U

(BR)CEO

>U(BR)EBO

三极管的主要参数虚实结合学习指南任务实施能力拓展预备知识项目总结iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区

试分析三极管的特性参数：已知:ICM

=20mA,PCM

=100mW，U(BR)CEO

=20V，当UCE

=

10V时，IC<

mA当UCE

=

1V，则IC<

mA当IC

=

2mA，则UCE

<

V102020求解：

小结三极管电流放大系数、极间反向

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