半导体光刻胶应用工程师岗位招聘考试试卷及答案

半导体光刻胶应用工程师岗位招聘考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分）1.光刻胶按曝光后显影特性分为______和负性光刻胶。2.光刻分辨率的经典公式（瑞利判据）为______（用λ、NA表示）。3.ArF沉浸式光刻的曝光光源波长为______nm。4.光刻胶的核心组成成分包括树脂、光敏剂和______。5.显影液中常用的碱性显影剂是______（化学式）。6.晶圆光刻前的表面预处理常用______（如HMDS）增强黏附性。7.曝光剂量的常用单位是______。8.抗反射涂层（ARC）按位置分为底部ARC（BARC）和______ARC（TARC）。9.光刻工艺中，曝光后进行的热工艺称为______（PEB）。10.刻蚀时光刻胶作为掩模，需满足较高的______（刻蚀速率与晶圆材料的比值）。二、单项选择题（共10题，每题2分）1.正性光刻胶曝光区域在显影液中会______。A.溶解B.不溶解C.膨胀D.交联2.EUV光刻胶的分辨率极限目前可达到______nm以下。A.10B.14C.7D.53.光刻胶软烘的主要作用是______。A.去除溶剂B.增强黏附C.交联反应D.显影4.显影后“桥连”缺陷的常见原因是______。A.曝光剂量过高B.曝光剂量过低C.显影时间过短D.软烘温度过低5.ArF光刻胶常用的树脂体系是______。A.酚醛树脂B.丙烯酸酯树脂C.聚酰亚胺D.聚苯乙烯6.底部抗反射涂层（BARC）的主要作用是______。A.减少光反射B.增强黏附C.提高分辨率D.降低缺陷7.光刻胶厚度测量常用的方法是______。A.SEMB.椭偏仪C.AFMD.台阶仪8.晶圆清洗常用化学品不包括______。A.氨水B.双氧水C.氢氟酸D.丙酮9.负性光刻胶曝光区域会发生______反应。A.溶解B.交联C.分解D.挥发10.先进制程光刻胶的关键指标不包括______。A.分辨率B.敏感度C.刻蚀选择性D.颜色三、多项选择题（共10题，每题2分，多选/少选不得分）1.光刻胶的组成成分包括______。A.树脂B.光敏剂C.溶剂D.添加剂E.金属离子2.常用光刻曝光光源波长有______。A.436nm（G线）B.365nm（I线）C.248nm（KrF）D.193nm（ArF）E.13.5nm（EUV）3.显影工艺的关键参数包括______。A.显影液浓度B.显影温度C.显影时间D.曝光剂量E.软烘温度4.光刻缺陷的常见类型有______。A.桥连B.缺失C.边缘粗糙D.图形偏移E.厚度不均5.抗反射涂层（ARC）的类型包括______。A.BARC（底部）B.TARC（顶部）C.金属ARCD.有机ARCE.无机ARC6.晶圆光刻前预处理步骤包括______。A.清洗B.脱水烘烤C.HMDS涂覆D.抛光E.刻蚀7.光刻核心工艺步骤包括______。A.涂胶B.软烘C.曝光D.PEBE.显影8.刻蚀对光刻胶的要求包括______。A.高刻蚀选择性B.高分辨率C.低缺陷D.热稳定性好E.高透明度9.EUV光刻面临的挑战包括______。A.光源功率低B.胶敏感度低C.缺陷控制难D.成本高E.分辨率不足10.正性光刻胶的特点包括______。A.曝光区域溶解B.图形对比度高C.适合小尺寸图形D.敏感度低E.刻蚀选择性差四、判断题（共10题，每题2分，√/×）1.负性光刻胶曝光区域在显影液中溶解。（）2.EUV光刻不需要抗反射涂层。（）3.显影液pH值影响光刻胶图形质量。（）4.PEB温度越高，光刻胶性能越好。（）5.光刻胶厚度与分辨率呈正相关。（）6.HMDS增强晶圆与光刻胶的黏附性。（）7.刻蚀选择性越高，晶圆损伤越小。（）8.正性光刻胶对曝光剂量敏感度比负性高。（）9.EUV光刻胶通常不含金属杂质。（）10.显影时间越长，图形越清晰。（）五、简答题（共4题，每题5分）1.简述正性与负性光刻胶的原理及应用差异。2.光刻胶应用中PEB工艺的作用及影响因素。3.显影后图形边缘粗糙的可能原因及解决方法。4.如何选择抗反射涂层（ARC）优化光刻分辨率？六、讨论题（共2题，每题5分）1.7nm及以下制程中，EUV光刻胶应用面临哪些挑战？如何应对？2.若光刻工艺出现大面积显影缺陷（桥连、缺失），作为应用工程师如何排查解决？---答案一、填空题答案1.正性光刻胶2.R=0.61λ/NA3.1934.溶剂5.TMAH（四甲基氢氧化铵，化学式C₄H₁₃NO）6.黏附促进剂7.mJ/cm²8.顶部9.曝光后烘烤10.刻蚀选择性二、单项选择题答案1.A2.C3.A4.B5.B6.A7.B8.D9.B10.D三、多项选择题答案1.ABCD2.ABCDE3.ABC4.ABCDE5.ABDE6.ABC7.ABCDE8.ACD9.ABCD10.ABC四、判断题答案1.×2.×3.√4.×5.×6.√7.√8.×9.√10.×五、简答题答案1.正性与负性光刻胶原理及应用差异正性原理：曝光区域光敏剂分解，树脂溶于碱性显影液，未曝光区域保留；负性反之，曝光区域交联，显影时不溶解。应用差异：正性适合7nm以下小尺寸、高分辨率图形（对比度高）；负性适合大尺寸、厚胶工艺（敏感度高但分辨率低）。先进制程以正性为主，厚胶通孔偶用负性。2.PEB工艺的作用及影响因素作用：促进曝光区域酸扩散、交联反应，增强显影对比度。影响因素：①温度（过高致酸扩散过宽、图形变形；过低反应不足）；②时间（过短反应不充分，过长扩散过度）；③晶圆温度均匀性（影响图形一致性）。需匹配光刻胶优化参数。3.图形边缘粗糙的原因及解决方法原因：曝光剂量不足/不均、PEB温度波动、显影液浓度偏差、胶厚不均。解决：①调整曝光剂量至最佳范围；②校准PEB温度均匀性；③更换合格显影液并控浓度；④优化涂胶工艺（转速、匀胶时间）确保胶厚均匀；⑤检查光刻胶批次稳定性。4.选择ARC优化分辨率的方法①匹配光源波长：选目标波长（如193nm）吸收强的ARC；②区分位置：BARC（晶圆表面）、TARC（胶表面）按需组合；③刻蚀兼容性：ARC需易去除无残留；④胶厚匹配：BARC厚度适配光刻胶，减少驻波；⑤低缺陷：选低缺陷ARC材料，避免影响后续工艺。六、讨论题答案1.EUV光刻胶应用挑战及应对挑战：①光源功率低（曝光时间长）；②胶敏感度低（需高剂量）；③缺陷控制难（金属污染、颗粒）；④成本高（胶材、设备贵）。应对：①开发高敏感度化学放大胶；②优化光源效率（激光等离子体光源）；③升级超净工艺（过滤系统）；④研发低成本有机-无机杂化胶；⑤优化PEB、显影参数提升图形质量。2.大面积显影缺陷的排查解决排查：①确认缺陷类型（桥连→曝光过量/显影不足；缺失→