半导体级超纯水制备设备运维技师（高级）考试试卷及答案

半导体级超纯水制备设备运维技师（高级）考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分，共10分）1.25℃时，半导体级超纯水的电阻率理论值为______MΩ·cm。2.超纯水预处理中，保安过滤器典型孔径为______μm。3.反渗透（RO）膜核心作用是去除______和微生物。4.EDI装置无需______再生，可连续产水。5.去除TOC的UV灯波长为______nm。6.阳离子交换树脂去除水中______离子。7.高纯水电阻率监测电极常数为______cm⁻¹。8.半导体级超纯水TOC≤______ppb。9.设备停运超72小时需______保护（如充氮）。10.活性炭滤器去除水中______和有机物。二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）1.25℃时超纯水实际电阻率不低于（）A.15MΩ·cmB.16MΩ·cmC.18MΩ·cmD.18.2MΩ·cm2.RO膜进水余氯≤（）ppmA.0.1B.0.5C.1D.53.不属于预处理的是（）A.砂滤器B.活性炭滤器C.EDID.保安滤器4.UV灯254nm主要作用（）A.杀菌B.除TOCC.去金属D.降电阻率5.EDI进水电阻率≥（）MΩ·cmA.0.1B.0.5C.1D.56.树脂再生常用酸（）A.盐酸B.硫酸C.硝酸D.醋酸7.电阻率突降最不可能原因（）A.RO泄漏B.EDI失效C.保安滤堵塞D.树脂污染8.超纯水0.1μm颗粒数≤（）个/mLA.1B.5C.10D.509.酸性清洗剂去除RO膜（）A.有机物B.金属氧化物C.生物D.胶体10.设备停运后防微生物应（）A.排空B.充空气C.满水D.无需处理三、多项选择题（共10题，每题2分，共20分）1.超纯水检测指标（）A.电阻率B.TOCC.颗粒数D.金属离子2.RO常见故障（）A.产水率降B.电导率升C.膜污染D.压力异常3.EDI组成（）A.树脂B.阴阳膜C.电极D.浓水室4.预处理作用（）A.去悬浮物B.去有机物C.降余氯D.去大部分离子5.UV灯作用（）A.杀菌B.氧化TOCC.去金属D.降浊度6.树脂污染类型（）A.有机物B.铁C.胶体D.细菌7.系统维护项目（）A.换保安滤芯B.RO清洗C.EDI再生D.换UV灯8.TOC超标的原因（）A.UV失效B.活性炭失效C.RO泄漏D.系统污染9.RO清洗药剂（）A.柠檬酸B.氢氧化钠C.次氯酸钠D.盐酸10.安全操作注意（）A.接地B.防酸碱泄漏C.查压力D.无需防护四、判断题（共10题，每题2分，共20分）1.电阻率越高，超纯水纯度越高。（）2.保安滤芯需定期换，否则污染膜。（）3.RO膜耐高余氯，无需预处理去除。（）4.EDI无需化学再生，连续产水。（）5.UV254nm除TOC，185nm杀菌。（）6.阳离子树脂用NaOH再生。（）7.停运超72小时，排空充氮保护。（）8.TOC超标仅换UV灯即可。（）9.RO进水pH≈7，避免膜损坏。（）10.EDI电流越高，电阻率越高。（）五、简答题（共4题，每题5分，共20分）1.简述预处理单元核心作用。2.RO膜污染类型及预防措施。3.EDI装置工作原理。4.TOC超标的应急处理步骤。六、讨论题（共2题，每题5分，共10分）1.分析电阻率突然下降的原因及排查流程。2.如何制定年度维护计划？---答案部分一、填空题1.18.22.53.溶解盐4.化学5.1856.阳（金属）7.0.018.109.停运10.余氯二、单项选择题1.D2.A3.C4.A5.C6.A7.C8.A9.B10.A三、多项选择题1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABC5.AB6.ABCD7.ABD8.ABD9.ABCD10.ABC四、判断题1.√2.√3.×4.√5.×6.×7.√8.×9.√10.×五、简答题1.预处理作用：①去除悬浮物、胶体（砂滤、保安滤）；②吸附余氯、有机物（活性炭）；③控制浊度≤1NTU，满足RO进水要求，防止后续膜/树脂污染，延长设备寿命。2.RO污染类型：有机物、金属氧化物、胶体、生物污染。预防：控进水浊度、除余氯、加阻垢剂、定期清洗、停运冲洗。3.EDI原理：①阴阳膜选择性透离子；②树脂吸附水中离子；③电场使离子向电极迁移，透过膜进入浓水排出；④树脂连续再生，无需化学再生。4.TOC应急处理：①停供水，启备用；②查UV灯（点亮/寿命）；③测活性炭出水TOC；④查RO是否泄漏；⑤换失效滤芯/UV灯，冲洗后复测，合格恢复供水。六、讨论题1.电阻率突降原因：RO泄漏、EDI失效、系统污染、监测仪故障。排查流程：①校准监测仪；②测RO产水电导率；③测EDI进/产水电阻率；④查管道污染