2025年大学第一学年（电子信息工程）电子技术基础阶段测试题及答案

2025年大学第一学年（电子信息工程）电子技术基础阶段测试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______第I卷（选择题共30分）（总共10题，每题3分，每题给出的四个选项中，只有一项符合题目要求，请将正确答案填在题后的括号内）w1.关于半导体二极管，下列说法正确的是（）A.只要加正向电压，二极管就导通B.二极管具有单向导电性C.反向电流越大，二极管性能越好D.二极管的反向击穿电压就是它的最高工作电压答案：Bw2.三极管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置情况是（）A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏答案：Bw3.某放大电路中三极管的三个电极电位分别为V1=3V，V2=2.3V，V3=12V，则该三极管是（）A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管答案：Aw4.共发射极放大电路的电压放大倍数表达式为（）A.Au=βRc/rbeB.Au=βRb/rbeC.Au=Rc/rbeD.Au=Rb/rbe答案：Aw5.多级放大电路的总电压放大倍数等于各级放大电路电压放大倍数的（）A.之和B.之差C.之积D.之商答案：Cw6.集成运算放大器的输入级一般采用（）A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路C.差分放大电路D.功率放大电路答案：Cw7.理想集成运算放大器工作在线性区时，其两个输入端的特点是（）A.虚短和虚断B.短路和断路C.高阻和低阻D.同电位和反电位答案：Aw8.电压比较器的输出状态取决于（）A.输入电压的大小B.输入电压的极性C.参考电压的大小D.输入电压与参考电压的比较结果答案：Dw9.下列哪种电路不属于正弦波振荡电路（）A.RC振荡电路B.LC振荡电路C.石英晶体振荡电路D.差分放大电路答案：Dw10.串联型稳压电路中的调整管工作在（）A.放大区B.饱和区C.截止区D.开关状态答案：A第II卷（非选择题共70分）w11.（10分）简述半导体二极管的伏安特性。答：半导体二极管的伏安特性是指二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系曲线。当二极管加正向电压时，只有当正向电压大于死区电压时，二极管才导通，电流随电压迅速增大；当二极管加反向电压时，反向电流很小，且在一定范围内基本保持不变，当反向电压超过反向击穿电压时，反向电流急剧增大，二极管可能被损坏。w12.（10分）分析三极管放大电路的静态工作点对放大性能的影响。答：静态工作点设置过高，会使三极管进入饱和区，导致输出信号失真，出现饱和失真；静态工作点设置过低，会使三极管进入截止区，导致输出信号失真，出现截止失真。合适的静态工作点能保证三极管在输入信号的整个周期内都处于放大区，从而使放大电路能不失真地放大信号。（15分）某放大电路如图所示，已知三极管的β=50，rbe=1kΩ。（1）求该电路的静态工作点；（2）计算该电路的电压放大倍数。解：（1）静态工作点：IB=(VCC-UBE)/RB=(12-0.7)/510kΩ≈22μAIC=βIB=50×22μA=1.1mAUCE=VCC-ICRC=12-1.1×5.1kΩ≈6.4V（2）电压放大倍数：Au=-βRC/rbe=-50×5.1kΩ/1kΩ=-255w13.（15分）简述集成运算放大器的主要性能指标。答：集成运算放大器的主要性能指标有：开环差模电压放大倍数Aud，反映了运放对差模信号的放大能力；输入失调电压UIO，理想运放该值为0，实际运放存在此值会使输出产生误差；输入失调电流IIO，反映输入级差分对管的不对称程度；温漂，包括输入失调电压温漂和输入失调电流温漂，影响运放的稳定性；共模抑制比KCMR，衡量运放对共模信号的抑制能力；带宽BW，决定了运放能正常工作的信号频率范围；转换速率SR，反映运放对快速变化信号的响应能力等。（20分）材料：某电压比较器电路，输入电压ui，参考电压UR。问题：（1）当ui>UR时，分析比较器的输出状态；（2）当ui<UR时，分析比较器的输出状态；（3）简述电压比较器的应用场景。答：（1）当ui>UR时，比较器输出高电平（或正饱和电压）。（2）当ui<UR时，比较器输出低电平（或负饱和电压）。（3）电