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文档简介

石墨烯导热膜工艺工程师岗位招聘考试试卷及答案试题部分一、填空题(共10题,每题1分)1.石墨烯导热膜的核心性能指标是______。2.CVD法制备石墨烯常用碳源气体有甲烷、______等。3.CVD沉积石墨烯典型温度范围是______℃。4.辊压设备可提高石墨烯膜的______和层间结合力。5.热导率国际单位是______。6.氧化石墨烯还原后,______含量降低可提升热导率。7.影响石墨烯层间热传递的关键是______。8.石墨烯导热膜在消费电子中主要用于______。9.CVD设备核心系统含加热、气体控制和______。10.膜厚度通常通过______工艺调控。二、单项选择题(共10题,每题2分)1.适合大规模生产的石墨烯导热膜制备方法是?A.机械剥离B.CVD法C.液相剥离D.氧化还原2.石墨烯理论热导率最高可达______W/(m·K)。A.5000B.3000C.1000D.5003.辊压时提高温度的主要作用是?A.降硬度B.促层间扩散C.增厚度D.减缺陷4.对CVD石墨烯质量影响最大的前驱体是?A.氮气B.氢气C.甲烷D.氩气5.CVD中真空度的主要作用是?A.防氧化B.提沉积速度C.降成本D.减噪音6.显著降低热导率的缺陷是?A.晶界B.单空位C.边缘缺陷D.以上都是7.石墨烯膜比铜箔的优势是?A.成本低B.热导率高C.柔韧性好D.B+C8.氧化还原法不包含的步骤是?A.氧化插层B.超声剥离C.CVD沉积D.化学还原9.工艺优化核心目标是?A.提产量B.降成本C.保一致性D.以上都是10.安全防护重点不包括?A.高温烫伤B.易燃气体泄漏C.化学品腐蚀D.电磁辐射三、多项选择题(共10题,每题2分,多选错选不得分)1.影响热导率的因素有?A.层数B.晶界密度C.层间接触D.前驱体纯度2.常用制备工艺含?A.CVDB.氧化还原C.液相剥离D.机械剥离3.CVD关键参数有?A.沉积温度B.气体流量C.真空度D.沉积时间4.应用领域含?A.消费电子B.新能源汽车C.航空航天D.LED散热5.辊压作用含?A.提密度B.改善层间结合C.降厚度D.增孔隙6.氧化石墨烯还原方法含?A.热还原B.水合肼还原C.电化学还原D.光还原7.CVD设备核心组成含?A.加热炉B.气体管路C.真空系统D.冷却装置8.质量检测指标含?A.热导率B.厚度均匀性C.平整度D.电阻率9.需管控的气体含?A.氢气B.甲烷C.氩气D.氮气10.影响生长均匀性的因素含?A.衬底温度均匀性B.气体分布C.真空度稳定D.沉积时间四、判断题(共10题,每题2分,√/×)1.CVD石墨烯纯度高于氧化还原法。()2.热导率随层数增加持续上升。()3.辊压仅降厚度,不改善热导率。()4.甲烷是CVD常用碳源。()5.真空度对生长无显著影响。()6.表面涂覆可提高耐腐蚀性。()7.液相剥离适合大规模生产。()8.氧含量越高热导率越高。()9.实时监控是批量一致性关键。()10.石墨烯膜热导率低于铜箔。()五、简答题(共4题,每题5分)1.简述CVD法制备石墨烯导热膜的核心步骤。2.影响石墨烯导热膜热导率的主要因素有哪些?3.辊压工艺对膜性能的作用是什么?4.生产中常见质量缺陷及解决思路?六、讨论题(共2题,每题5分)1.如何优化CVD工艺参数提高批量生产一致性?2.对比氧化还原法和CVD法的优缺点及应用场景选择?答案部分一、填空题答案1.热导率2.乙炔(或乙烯)3.800-11004.密度5.W/(m·K)6.氧(O)7.层间接触面积8.芯片散热9.真空系统10.辊压二、单项选择题答案1.B2.A3.B4.C5.A6.D7.D8.C9.D10.D三、多项选择题答案1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.AB10.ABCD四、判断题答案1.√2.×3.×4.√5.×6.√7.×8.×9.√10.×五、简答题答案1.核心步骤:①衬底预处理(铜箔清洗、退火);②真空下通入碳源(甲烷);③控温800-1100℃沉积;④PMMA辅助转移石墨烯;⑤辊压、掺杂等后处理得导热膜。2.因素:①石墨烯质量(晶界、缺陷、层数);②层间接触状态;③膜密度(孔隙率);④后处理(辊压、还原程度);⑤杂质残留(氧、金属离子)。3.作用:①提高密度,减少声子散射;②改善层间接触,增强热传递;③调控厚度均匀性;④降低表面粗糙度,提升贴合性。4.缺陷及解决:①热导率不均→优化CVD温度均匀性、辊压压力;②厚度偏差→调控沉积时间、辊压参数;③层间剥离→提高辊压温度/压力;④杂质残留→提升前驱体纯度、加强清洗。六、讨论题答案1.优化措施:①设备升级(多温区加热、均匀气体分布);②参数标准化(固定温度、流量、真空度);③实时监控(传感器反馈调整);④前处理统一(衬底清洗、退火);⑤连续

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