南京江苏南京理工大学微电子学院招聘科研助理2人笔试历年参考题库附带答案详解

[南京]江苏南京理工大学微电子学院招聘科研助理2人笔试历年参考题库附带答案详解一、选择题从给出的选项中选择正确答案（共50题）1、在微电子技术领域，下列哪种材料最常被用作半导体器件的基底材料？A.铜B.硅C.铝D.金2、集成电路制造工艺中，光刻技术的主要作用是实现什么功能？A.材料掺杂B.图案转移C.薄膜生长D.热处理3、在微电子技术领域，下列哪种材料最适合作为半导体器件的基底材料？A.二氧化硅B.硅单晶C.铜D.铝4、集成电路制造工艺中，光刻技术的主要作用是？A.提高材料导电性B.实现图形转移和图案化C.增强器件机械强度D.改善散热性能5、近年来，我国科技创新能力不断提升，在微电子、人工智能等前沿领域取得重要突破。这主要体现了我国实施创新驱动发展战略的成效，科技创新已成为推动经济社会发展的主要动力。A.科技创新是引领发展的第一动力B.科技创新是经济发展的唯一因素C.科技创新主要依靠引进国外技术D.科技创新仅限于高新技术产业6、数字技术与实体经济深度融合，推动传统产业转型升级，催生了智能制造、数字服务等新业态新模式，为经济发展注入了新动能。A.数字经济与实体经济应该完全分离发展B.数字技术能够促进产业融合发展C.传统产业升级不需要数字技术支撑D.数字经济仅适用于服务业发展7、某科研团队正在研发新一代芯片技术，需要对材料的导电性能进行测试。已知某种半导体材料在温度升高时电阻率发生变化，这种现象主要体现了半导体的哪种特性？A.掺杂特性B.温度敏感性C.光敏特性D.压电特性8、在微电子制造工艺中，光刻技术是实现电路图案转移的关键步骤。下列哪项工艺顺序正确描述了光刻的基本流程？A.涂胶→曝光→显影→刻蚀→去胶B.曝光→涂胶→显影→去胶→刻蚀C.涂胶→显影→曝光→刻蚀→去胶D.显影→涂胶→曝光→去胶→刻蚀9、在微电子技术发展过程中，以下哪种材料最常被用作半导体器件的基础材料？A.铜和铝B.硅和锗C.金和银D.石墨和金刚石10、下列关于集成电路制造工艺的描述，正确的是？A.光刻技术主要用于金属薄膜沉积B.掺杂工艺可以改变半导体材料的导电类型C.封装工艺决定了芯片的核心功能D.清洗工艺仅在制造初期进行11、在微电子技术发展中，集成电路的集成度不断提高，按照摩尔定律，集成电路的晶体管数量大约每隔多久就会翻一番？A.6个月B.12个月C.18个月D.24个月12、在科研项目管理中，为了确保项目按时完成并达到预期目标，需要建立科学的管理体系。以下哪项不属于科研项目管理的基本要素？A.时间管理B.人员配置C.利润分配D.质量控制13、某科研团队在微电子器件研究中发现，当温度升高时，半导体材料的电阻率会发生变化。根据半导体物理特性，以下关于温度对半导体电阻率影响的描述正确的是：A.温度升高，电阻率增大，导电性能增强B.温度升高，电阻率减小，导电性能增强C.温度升高，电阻率增大，导电性能减弱D.温度升高，电阻率减小，导电性能减弱14、在数字电路设计中，以下哪种逻辑门的功能是当所有输入都为高电平时输出才为高电平：A.或门B.与门C.非门D.异或门15、某科研团队在进行微电子器件测试时，发现100个样品中有20个存在缺陷。如果从中随机抽取3个样品进行深度分析，恰好有1个样品存在缺陷的概率是多少？A.0.384B.0.412C.0.367D.0.43616、在半导体材料研究中，已知某种硅晶体的电阻率与温度成反比关系。当温度从20°C升高到40°C时，电阻率变为原来的0.8倍。若温度继续升高到60°C，电阻率将是初始值的多少倍？A.0.6B.0.64C.0.72D.0.7517、微电子技术的发展推动了集成电路的不断进步，以下关于集成电路的说法正确的是：A.集成电路的集成度越高，单个晶体管的成本越高B.CMOS技术是目前主流的集成电路制造工艺C.模拟集成电路只能处理连续信号，无法处理数字信号D.集成电路的功耗随着工艺节点缩小而线性增加18、在微电子器件的可靠性分析中，以下哪种失效模式属于时间依赖型失效：A.静电放电损坏B.热载流子效应C.机械应力断裂D.装配缺陷19、在微电子技术领域，集成电路按其功能可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。下列关于这两类集成电路的说法正确的是：A.模拟集成电路主要用于处理连续变化的电信号B.数字集成电路只能处理二进制信号中的0信号C.模拟集成电路的抗干扰能力比数字集成电路强D.数字集成电路无法实现逻辑运算功能20、半导体材料是微电子器件制造的基础，下列关于半导体材料特性的表述正确的是：A.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间B.半导体的电阻率随温度升高而增大C.硅是化合物半导体的典型代表D.半导体掺杂后会失去原有的导电特性21、某科研团队在进行微电子器件测试时，需要从8个不同的测试参数中选择5个进行重点分析，其中参数A和参数B必须同时被选中或同时不被选中。问有多少种不同的选择方案？A.15B.20C.25D.3022、在微电子实验室中，有甲、乙、丙三台设备进行协同工作，甲设备每小时可处理15个样品，乙设备每小时可处理12个样品，丙设备每小时可处理9个样品。若三台设备同时工作，完成60个样品的处理任务最少需要多长时间？A.1.5小时B.1.67小时C.2小时D.2.5小时23、在微电子技术发展中，以下哪种材料最常用于制造集成电路的基底材料？A.硅B.铜C.铝D.金24、数字电路中的基本逻辑门，能够实现"输入相同则输出0，输入不同则输出1"功能的是哪种门电路？A.与门B.或门C.异或门D.非门25、随着集成电路技术的不断发展，摩尔定律预测了半导体器件集成度的增长趋势。在微电子领域，以下哪项技术最能体现当前集成电路制造工艺的先进水平？A.90纳米制程工艺B.7纳米及以下制程工艺C.2微米制程工艺D.0.5微米制程工艺26、在数字电路设计中，CMOS技术因其低功耗特性得到广泛应用。CMOS电路的主要功耗来源是以下哪项？A.静态功耗和动态功耗B.仅静态功耗C.仅动态功耗D.电阻损耗和电感损耗27、在微电子技术发展的历史进程中，集成电路的出现标志着电子技术的重大突破。以下关于集成电路发展描述正确的是：A.第一块集成电路由贝尔实验室发明B.摩尔定律预测集成电路性能每18个月翻一番C.超大规模集成电路的晶体管数量超过100万个D.集成电路按集成度可分为小规模、中规模、大规模三级28、某研究团队在进行半导体材料测试时，需要对测试数据进行统计分析。若要分析材料电阻率与温度之间的相关关系，最适合采用的统计方法是：A.卡方检验B.方差分析C.相关分析D.回归分析29、随着人工智能技术的快速发展，传统制造业正在经历深刻的变革。智能制造通过物联网、大数据、云计算等技术手段，实现了生产过程的数字化、网络化和智能化。这不仅提高了生产效率，还能够实现个性化定制生产，满足消费者多样化需求。同时，智能制造也对传统制造业的就业结构产生了重要影响。A.智能制造完全替代了传统制造业B.智能制造技术仅适用于大型企业C.智能制造促进了生产效率提升和个性化生产D.智能制造对就业结构没有影响30、生态环境保护与经济发展之间的关系一直是社会关注的重点。实践证明，良好的生态环境本身就是生产力，保护生态环境就是保护生产力，改善生态环境就是发展生产力。绿水青山就是金山银山的理念体现了生态保护与经济发展的辩证统一关系。A.生态保护与经济发展相互矛盾B.良好的生态环境具有经济价值C.经济发展必须以牺牲环境为代价D.生态保护与经济发展毫无关联31、在微电子技术发展中，集成电路的特征尺寸不断缩小，这一趋势遵循的著名定律是？A.摩尔定律B.欧姆定律C.基尔霍夫定律D.法拉第定律32、在微电子器件制造工艺中，用于在硅片表面形成精确图形的光刻技术主要利用了光的哪种物理现象？A.反射B.折射C.衍射D.干涉33、在数字电路设计中，以下哪种逻辑门可以实现"当且仅当所有输入都为高电平时，输出才为高电平"的逻辑功能？A.或门B.与门C.异或门D.非门34、在半导体材料中，硅晶体的禁带宽度约为多少电子伏特（eV）？A.0.67eVB.1.12eVC.1.42eVD.2.42eV35、某研究团队在微电子器件性能测试中发现，当温度升高时，半导体材料的载流子迁移率呈现下降趋势。这一现象主要与下列哪种因素密切相关？A.晶格振动加剧，散射作用增强B.载流子浓度显著增加C.能带间隙宽度发生变化D.表面态密度明显降低36、在数字集成电路设计中，CMOS工艺相比其他工艺最突出的优势体现在哪个方面？A.开关速度最快B.集成度最高C.功耗最低D.制造成本最低37、某科研团队在进行微电子器件性能测试时，需要对100个样品进行编号。编号规则为：前两位数字表示批次，后两位数字表示该批次内样品序号。如果第一批有15个样品，第二批有23个样品，第三批有31个样品，第四批有31个样品，那么第100个样品的编号中，序号部分应该是多少？A.31B.23C.15D.1038、在微电子材料的电阻率测量实验中，测量数据呈现正态分布特征。已知某次测量的平均值为2.5×10⁻³Ω·m，标准差为0.2×10⁻³Ω·m。按照正态分布性质，约有多少百分比的测量值会落在2.1×10⁻³Ω·m至2.9×10⁻³Ω·m区间内？A.68.3%B.95.4%C.99.7%D.50%39、在微电子技术发展过程中，集成电路的集成度不断提高，按照摩尔定律，集成电路的晶体管数量大约每隔多长时间就会翻一番？A.6个月B.12个月C.18个月D.24个月40、在科研项目管理中，以下哪项不属于项目启动阶段的主要工作内容？A.制定项目章程B.识别项目干系人C.编制详细的工作分解结构D.进行项目可行性分析41、在微电子技术发展的历史进程中，集成电路的出现标志着电子技术的重大突破。下列关于集成电路发展特点的描述，错误的是：A.集成度不断提高，功能日趋复杂B.功耗逐渐降低，性能稳步提升C.制造工艺从毫米级发展到纳米级D.处理器速度提升完全依赖于制程工艺改进42、某科研团队在半导体材料研究中发现，某种新型材料在特定温度范围内表现出独特的电学特性。如果该材料的电阻率随温度升高而显著下降，这表明该材料最可能属于：A.金属导体B.半导体C.绝缘体D.超导体43、在微电子技术发展的历史进程中，集成电路的出现标志着电子技术的重大突破。下列关于集成电路发展历程的描述，正确的是：A.第一块集成电路是由贝尔实验室在1947年发明的B.摩尔定律预测集成电路的性能每18个月翻一番C.超大规模集成电路的晶体管数量通常在1000-10000个之间D.集成电路按功能可分为数字集成电路和模拟集成电路两大类44、半导体材料是微电子器件的核心基础，不同类型的半导体材料具有不同的特性和应用领域。关于半导体材料的分类和特性，下列说法正确的是：A.硅是目前应用最广泛的半导体材料，具有直接带隙结构B.砷化镓常用于高频器件制造，属于间接带隙半导体C.本征半导体是指纯净无杂质的半导体材料，导电性能较差D.掺杂后的半导体材料导电能力会显著降低45、某科研团队正在研发新一代芯片技术，需要对微电子器件的性能参数进行精确测量。在测量过程中发现，当温度升高时，半导体材料的电阻率发生变化，这种变化主要体现了半导体材料的哪种特性？A.掺杂特性B.温度特性C.光电特性D.隧道效应46、在微电子工艺制造过程中，光刻技术是实现电路图案转移的关键步骤。下列哪项工艺流程正确描述了光刻技术的基本操作顺序？A.涂胶→曝光→显影→刻蚀→去胶B.刻蚀→涂胶→曝光→显影→去胶C.涂胶→显影→曝光→刻蚀→去胶D.曝光→涂胶→显影→去胶→刻蚀47、在数字信号处理中，奈奎斯特采样定理规定，为了能够完全恢复原始连续信号，采样频率必须至少是信号最高频率的多少倍？A.1倍B.1.5倍C.2倍D.3倍48、在半导体材料中，当温度升高时，本征载流子浓度会如何变化？A.保持不变B.指数增长C.线性增加D.指数下降49、某科研团队在微电子器件研发过程中，需要对一批样品进行质量检测。已知合格品率为85%，如果随机抽取3个样品进行检测，则至少有2个合格品的概率为：A.0.684B.0.892C.0.936D.0.97250、在数字集成电路设计中，某逻辑门电路的输入信号经过3级放大器处理，每级放大器的增益分别为2dB、3dB、4dB。如果输入信号强度为-10dBm，则经过三级放大后的输出信号强度为：A.-1dBmB.-2dBmC.-3dBmD.-4dBm

参考答案及解析1.【参考答案】B【解析】硅是目前微电子工业中最重要和应用最广泛的半导体材料。硅具有良好的半导体特性，熔点高，化学性质稳定，易于形成稳定的二氧化硅绝缘层，且地球上硅资源丰富，成本相对较低。虽然铜、铝、金等金属在集成电路中用作导电材料，但它们不具备半导体特性，不能作为器件基底材料。2.【参考答案】B【解析】光刻技术是集成电路制造的核心工艺，其主要功能是将设计好的电路图案精确转移到硅片表面的光刻胶上，实现微观图案的精确复制。通过曝光、显影等步骤，光刻技术能够将掩膜版上的电路图形转移到硅片上，为后续的刻蚀、掺杂等工艺提供精确的图形模板。材料掺杂、薄膜生长、热处理都是其他独立的工艺步骤。3.【参考答案】B【解析】硅单晶是目前微电子工业中最主要的半导体材料，具有良好的半导体特性、稳定的化学性质和成熟的制备工艺。二氧化硅主要用作绝缘层，铜和铝属于导体材料，不适合作为半导体器件的基底材料。4.【参考答案】B【解析】光刻技术是集成电路制造的核心工艺，通过光敏材料和掩膜版的配合，将设计好的电路图案精确转移到硅片表面，实现微细图形的加工制造。其他选项所述功能不是光刻技术的主要作用。5.【参考答案】A【解析】本题考查科技创新的重要作用。题干中提到我国在微电子、人工智能等前沿领域取得突破，体现了科技创新对经济社会发展的重要推动作用。A项正确，创新是引领发展的第一动力；B项错误，经济发展受多种因素影响；C项错误，科技创新要坚持自主创新为主；D项错误，科技创新涉及各个领域。6.【参考答案】B【解析】本题考查数字经济发展趋势。题干强调数字技术与实体经济深度融合，推动传统产业转型升级，体现了数字技术对产业发展的促进作用。A项错误，数字经济与实体经济应融合发展；B项正确，符合题干描述；C项错误，传统产业升级需要数字技术支撑；D项错误，数字经济适用于各产业发展。7.【参考答案】B【解析】半导体材料的电阻率随温度变化而显著改变，这是半导体的基本物理特性之一。温度升高时，半导体内部载流子浓度增加，导电性能增强，电阻率下降。这种温度敏感性使其在温度传感器、热敏电阻等器件中得到广泛应用。8.【参考答案】A【解析】光刻工艺标准流程为：首先在硅片表面涂覆光刻胶，然后通过掩膜版进行紫外线曝光，使光刻胶发生化学变化，接着用显影液去除未曝光或已曝光的部分，形成所需图案，再进行刻蚀将图案转移到下层材料，最后去除剩余光刻胶完成整个过程。9.【参考答案】B【解析】硅和锗是最重要的半导体材料，其中硅因其储量丰富、成本低廉、性能稳定而成为集成电路制造的主流材料。铜、铝主要用作导体材料，金、银虽然导电性好但成本过高，石墨和金刚石属于碳材料但应用范围有限。10.【参考答案】B【解析】掺杂工艺通过向半导体材料中引入杂质原子，可以形成P型或N型半导体，这是制造晶体管等器件的基础。光刻技术用于图形转移，封装是保护芯片的最终工序，清洗工艺贯穿整个制造过程，需要多次进行以保证洁净度。11.【参考答案】C【解析】摩尔定律是英特尔创始人之一戈登·摩尔提出的著名预测，指出集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔18个月就会翻一番，同时成本保持不变。这一定律在过去的几十年中基本准确预测了半导体技术的发展趋势，成为微电子行业发展的重要指导原则。12.【参考答案】C【解析】科研项目管理的基本要素包括时间管理、人员配置、质量管理、经费管理、风险管理等核心内容。利润分配属于企业经营活动的范畴，不是科研项目管理的基本要素。科研项目更注重学术价值、技术创新和科学目标的实现，而非直接的经济利润分配。13.【参考答案】B【解析】半导体材料具有负温度系数特性，当温度升高时，半导体内部的载流子浓度增加，导致电阻率减小，导电性能随之增强。这与金属导体的正温度系数特性相反。14.【参考答案】B【解析】与门（ANDGate）的逻辑功能是只有当所有输入端都为高电平（逻辑1）时，输出端才为高电平，否则输出为低电平（逻辑0）。这是数字电路中最基本的逻辑门之一，广泛应用于各种逻辑运算和控制电路中。15.【参考答案】A【解析】这是一个超几何分布问题。总样品数N=100，缺陷品数K=20，正常品数80，抽取数量n=3。要求恰好1个缺陷的概率，即k=1。根据超几何分布公式：P(X=1)=C(20,1)×C(80,2)/C(100,3)=20×3160/161700=63200/161700≈0.391。最接近的是0.384。16.【参考答案】B【解析】设初始温度T₁=20°C，T₂=40°C，T₃=60°C。电阻率与温度成反比，即ρ₁T₁=ρ₂T₂=ρ₃T₃。已知ρ₂=0.8ρ₁，则20ρ₁=40×0.8ρ₁，验证比例关系成立。继续升高到60°C时，20ρ₁=60×ρ₃，解得ρ₃=20ρ₁/60=ρ₁/3≈0.67ρ₁，实际计算ρ₃=40×0.8ρ₁/60=0.64ρ₁。17.【参考答案】B【解析】CMOS（互补金属氧化物半导体）技术是目前集成电路制造的主流工艺，具有功耗低、抗干扰能力强等优点。A项错误，集成度提高通常降低单个晶体管成本；C项错误，现代集成电路多为数模混合；D项错误，功耗与工艺节点关系复杂，不是简单的线性关系。18.【参考答案】B【解析】热载流子效应是典型的时依赖型失效机制，表现为器件在长期工作过程中因热载流子注入导致阈值电压漂移、漏电流增加等渐进性性能退化。A项和C项属于突发性失效；D项属于制造缺陷，不属于时间依赖型失效。19.【参考答案】A【解析】模拟集成电路专门处理连续变化的模拟信号，如音频信号、温度传感器信号等，具有信号连续性的特点。数字集成电路处理离散的数字信号，主要进行逻辑运算和数据处理，具有较强的抗干扰能力，选项B、C错误；数字集成电路正是实现逻辑运算的核心器件，选项D错误。20.【参考答案】A【解析】半导体的导电性能确实介于导体和绝缘体之间，这是其基本特征。半导体的电阻率随温度升高而减小，表现为负温度系数，选项B错误；硅是元素半导体，化合物半导体如砷化镓等，选项C错误；半导体通过掺杂可以改变导电性能，但不会失去导电特性，选项D错误。21.【参考答案】B【解析】根据题目条件，参数A和B必须同时出现或同时不出现。分两种情况：第一种，A和B都被选中，还需从剩余6个参数中选3个，有C(6,3)=20种方案；第二种，A和B都不被选中，则需从剩余6个参数中选5个，有C(6,5)=6种方案。但第二种情况不符合题意，因为只选5个参数却排除了A、B两个，实际是选中3个，不满足总数要求。重新分析：A、B都选时，从剩余6个选3个，C(6,3)=20种。22.【参考答案】B【解析】三台设备同时工作时，每小时的总处理能力为15+12+9=36个样品。完成60个样品需要的时间为60÷36=1.67小时。由于设备需要连续工作，不能分割工作时间，所以实际需要向上取整，但题目问的是最少时间，按理论计算值应为1.67小时。23.【参考答案】A【解析】硅是目前集成电路制造中最主要的半导体材料，具有良好的半导体特性、易于形成稳定的二氧化硅绝缘层，且原料丰富、成本较低。虽然铜、铝、金等金属材料在集成电路中用作导线连接，但硅作为基底材料占据核心地位。24.【参考答案】C【解析】异或门（XOR）的逻辑功能是：当两个输入信号相同时输出0，不同时输出1。与门实现"同真为真"，或门实现"有真则真"，非门实现信号翻转，只有异或门符合题目描述的逻辑关系。25.【参考答案】B【解析】摩尔定律指出集成电路上可容纳的晶体管数量约每隔18-24个月翻一倍。当前先进的集成电路制造工艺已经进入纳米级，7纳米、5纳米甚至3纳米工艺已成为行业前沿，而90纳米、2微米等属于较早期的技术节点。26.【参考答案】A【解析】CMOS电路的总功耗由两部分组成：静态功耗主要来自漏电流，虽然较小但随工艺缩小而增加；动态功耗主要来自电容充放电和短路电流，是主要功耗来源。现代CMOS设计需要同时考虑这两种功耗的优化。27.【参考答案】C【解析】第一块集成电路由德州仪器的基尔比发明，A错误；摩尔定律预测集成电路的晶体管数量每18个月翻一番，而非性能，B错误；超大规模集成电路（VLSI）的晶体管数量确实超过100万个，C正确；集成电路按集成度分为小规模、中规模、大规模、超大规模四个等级，D错误。28.【参考答案】C【解析】卡方检验适用于分类变量的独立性检验，A错误；方差分析用于比较多个组均值差异，B错误；相关分析专门用于研究两个连续变量间的线性关系强度和方向，适合分析电阻率与温度的相关关系，C正确；回归分析虽然也能分析变量关系，但主要是建立预测模型，相关分析更适合探索相关程度，D不是最佳选择。29.【参考答案】C【解析】根据题干描述，智能制造通过新技术手段实现生产过程的数字化、网络化和智能化，既提高了生产效率，又能实现个性化定制生产，满足多样化需求，C项正确。A项错误，智能制造是转型升级而非完全替代；B项错误，智能制造技术适用于各类企业；D项错误，题干明确指出对就业结构产生了重要影响。30.【参考答案】B【解析】题干明确指出"良好的生态环境本身就是生产力"，体现了生态环境的经济价值，B项正确。题干强调生态保护与经济发展的辩证统一关系，说明两者并非矛盾对立，A项错误；"绿水青山就是金山银山"理念表明环境保护与发展经济可以并行不悖，C项错误；D项明显错误。31.【参考答案】A【解析】摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔提出的，指出集成电路上可容纳的晶体管数量大约每18-24个月翻一倍，同时成本下降。这一定律准确预测了微电子技术发展的趋势。欧姆定律描述电流电压关系，基尔霍夫定律用于电路分析，法拉第定律涉及电磁感应，均不符合题意。32.【参考答案】C【解析】光刻技术是微电子制造的核心工艺，利用光刻胶的光敏特性实现图形转移。当光通过掩模版上的微小图案时，发生衍射现象，形成明暗相间的光强分布，使光刻胶产生化学变化，从而在硅片表面形成所需图形。反射、折射、干涉虽然也是光学现象，但不是光刻技术的主要物理基础。33.【参考答案】B【解析】与门的逻辑功能是只有当所有输入端都为高电平（逻辑1）时，输出端才为高电平；只要有一个输入端为低电平（逻辑0），输出就为低电平。这是基本的数字逻辑门电路知识，与门的逻辑表达式为Y=A·B·C...（多个输入相乘）。34.【参考答案】B【解析】硅作为最常用的半导体材料，其禁带宽度在室温下约为1.12电子伏特。这是半导体物理的基本参数，决定了硅材料的导电特性和应用范围。锗的禁带宽度约为0.67eV，砷化镓约为1.42eV，这些数值是半导体材料选择的重要依据。35.【参考答案】A【解析】温度升高时，晶格原子热振动加剧，导致晶格散射增强，这是影响载流子迁移率的主要因素。散射作用越强，载流子在电场作用下的定向运动越困难，迁移率相应下降。36.【参考答案】C【解析】CMOS工艺的核心优势在于静态功耗极低，只有在状态转换时才消耗功率。这种低功耗特性使其在便携式设备和大规模集成电路中得到广泛应用，是现代数字电路设计的主流工艺。37.【参考答案】A【解析】前三个批次样品总数为15+23+31=69个，前四个批次总数为69+31=100个。说明第100个样品正好是第四批的最后一个样品，因此序号部分应该是31。38.【参考答案】B【解析】区间2.1×10⁻³至2.9×10⁻³Ω·m相对于均值2.5×10⁻³Ω·m，分别是均值减2倍标准差和均值加2倍标准差，即（μ-2σ，μ+2σ）。根据正态分布规律，约95.4%的数据会落在此区间内。39.【参考答案】C【解析】摩尔定律是由英特尔创始人戈登·摩尔提出的，该定律指出集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔18个月就会翻一番，性能也将提升一倍。这一规律自1965年提出以来，在相当长的时间内指导着半导体行业的发展方向，成为微电子技术发展的重要参考指标。40.【参考答案】C【解析】项目启动阶段主要包括制定项目章程、识别项目干系人、进行项目可行性分析等工作。而工作分解结构（WBS）的编制属于项目规划阶段的内容，是在项目正式启动后，对项目工作进行详细分解和定义的过程，不属于启动阶段的工作范畴。41.【参考答案】D【解析】集成电路发展确实呈现集成度提高、功耗降低、性能提升的趋势，制造工艺也从