电子行业FY26Q1跟踪报告：业绩及指引大超预期指引25-28年HBMCAGR达40%25

图1：美光分季度营收增速 图2：美光分季度毛利及净利率0

营业收入（亿美元） YoY

120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%

80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%

毛利率 净利率F21Q1F21Q2F21Q3F21Q4F22Q1F22Q2F22Q3F22Q4F23Q1F23Q2F23Q3F23Q4F24Q1F24Q2F24Q3F24Q4F25Q1F25Q2F25Q3F25Q3F26Q1美光 美光F21Q1F21Q2F21Q3F21Q4F22Q1F22Q2F22Q3F22Q4F23Q1F23Q2F23Q3F23Q4F24Q1F24Q2F24Q3F24Q4F25Q1F25Q2F25Q3F25Q3F26Q1图3：终端市场分析（数据中心）美光美光图5：终端市场分析（数据中心-续图）美光图6：终端市场分析（PC）美光图7：终端市场分析（手机）美光图8：终端市场分析（汽车）美光图9：市场展望美光图10：市场展望（续）美光图11：FY26Q1指引美光（后附FY2026Q1业绩说明会纪要全文）附录：美光FY2026Q1业绩说明会纪要 时间：2025年12月18日出席：MarkMurphy–执行副总裁兼首席财务官SanjayMehrotra–董事长、总裁兼CEOSatyaKumar–公司副总裁、投资者关系与财务主管会议纪要根据公开信息整理如下：管理层介绍2026AI2026DRAMNANDHBMAIAIAI10AI30%AIHBM、1-GammaDRAMG9NANDAI技术与运营DRAMDRAMDRAM2026DRAM1-Delta1-Epsilon1-Gamma16GBDDR5产品已通过多家OEM的突破性1-Gamma16GBLPDDR6产品样品已提供给领先OEM作伙伴，该产品将为边缘AIAIPC50%1-GammaLP5X24GbOEM1-GammaLP5X16Gb产品。NAND技术：在NAND领域，美光连续三个技术节点处于领先地位，且每个节点的良率提升速度不断加快。目前正推进G9节点的量产，数据中心和客户端SSDG9QLCQLCNAND2026G9NAND2026G9NANDHBM技术：在美光的HBM产品表现突出，已完成2026日历年全年HBM供应的价格和数量协议，包括行业领先的HBM4产品。HBM4具备行业领先的每秒11Gb传输速度，计划于2026日历年第二季度实现高良率量产，其在基础逻辑芯片和DRAMCMOSHBMHBM4EHBM产品路线图上持续取得良好进展。预测截至2028HBM的CAGR40%2025350202810002028HBM2024DRAM制造情况更新为应对持续紧张的供需局面，美光正加大全球制造布局投资，计划将2026财年200180HBM20261-Gamma美国方面，爱达荷州第一座工厂提前投产，预计2027日历年中期实现首批晶圆20272026202820262030应产品；弗吉尼亚州投资马纳萨斯工厂，以保障汽车和工业市场所需的LPDDR4X和DDR4METIDRAM新加坡HBM先进封装工厂预计将于2027日历年为HBM供应做出重要贡献，HBM纳入新加坡制造布局后，预计NAND和DRAM生产将产生协同效应。印度封装测试工厂已启动试生产，将于2026年逐步量产。数据中心AGI2025teens10%20262026NAND10SSD了服务器内存和存储逐代提升的容量及性能要求。同时，美光是数据中心LPDRAMLPDRAM服务器模组功耗仅为DDRDRAM192GBLPSOCAMM250%LPDRAM50TB。PC领域PC需求持续受到ows10系统终止支持和AIPC2025PC2026PC1-Gamma16GbDDR5技术的PCIeGen4QLCSSDOEM智能手机领域2025AI202512GBDRAM59%DRAMOEM1-Gamma16GbLPDDR61-GammaLP5X24GbOEM1-GammaLP5X16Gb汽车、工业与嵌入式领域,L2+L3ASILLPDDR5XUFS4.1NAND市场展望AIHBMDDR53:1HBM这些供需因素导致DRAMNAND2025日历年DRAMNAND2025年DRAM20%区间teens），NANDteens（teens）。2026日历年DRAM和NAND20%DRAMNAND财务情况202613656.8%131.26412209.771514785%，167%。分产品：DRAM：10869%79%DRAM27长22%NAND分部门：云存储业务部门：5339%16%，66%6202451%990个基营收创纪录达43311%，54%171714运营业绩毛利率：56.8%131.2运营利润：第一财季64亿美元，运营利润率47%，环比提升12个基点，同比上升20个百分点。税费：第一财季所得税费用9.77亿美元，实际税率15.1%。第一财季非GAAP4.78167%。现金流：2026财年第一季度运营现金流为84亿美元，资本支出为45亿美元，自由现金流达39亿美元，创下季度纪录，较2018财年第四季度的此前纪录高出逾20%。库存：第一季度期末库存为82亿美元，环比减少1.5亿美元，库存周转天数为126天；DRAM库存周转天数持续紧张，低于120天。现金及债务总额：120155CHIPSAct3股票；同时偿还了27亿美元债务，包括10亿美元定期贷款余额和17亿美元优先票据赎回。季度末债务总额为118亿美元，净现金余额超过2.5亿美元。业绩展望DRAMNAND2026202653综合以上因素，对FY2026Q2第二季度的非公认会计原则指引如下：187468%100运营支出：预计约为13.8亿美元，上下浮动2000万美元。EPS：基于约11.5亿股的流通股数，EPS预计将创下8.42美元的纪录，上下浮动20美分。资本支出：预计2026财年约为200亿美元，主要集中在财年下半年。自由现金流：预计第二季度将进一步改善，且2026财年自由现金流将同比显著增长。税率：预计约为15.5%。当前指引未包含任何潜在新关税可能带来的影响。结束语AIAIQ&AD5与HBMNAND闪存。能否介绍一下这些长期协议的具体情况？协议期限会延续到2026年、2027年还是2028年？A：公司正在与多家核心客户洽谈这些多年期合同，合同内容涉及DRAM和NANDQ：关于资本支出，公司将资本支出上调至200亿美元，但目前尚未给出2026全年营收指引，所以公司无法确定资本投入产出比。预估投入产出比在25%至30%之间，略低于通常参考的35%标准。这是否是因为工厂空间受限？这部分未释放的资本支出是否会延续到2027财年，届时投入产出比会接近35%的水平？A：公司目前没有提供全年营收指引，2026财年资本支出的增加很大一部分用于DRAM业务，特别是HBM和1-Gamma节点的产能爬坡。202520262027Q：公司的资本支出的增长幅度非常保守，而且并没有大幅提前洁净室的建设进度。是否受限于洁净室空间？能否谈谈背后的考量？财能驱动的HBM20261-Gamma202650%2026年全年DRAM和NAND从HBM3E向HBM4DRAM和NAND2026202720261-GammaDRAMG9NANDHBM3EHBM42026HBM4HBM3E2026年HBM3EHBM42026年ASICTPUTrainium等的ASICXPUHBM3EHBM4HBM3E的额外增长需求？A：2026HBM3EHBM4HBM2026HBMHBM3EHBM4。2026年HBMHBM的DRAM2028HBM1000HBMHBMHBM。Q：公司的企业级SSD25%SSDSSD是否更多与推理工作两的增加相关？推理工作量的存储是否高于训练工作负载？ASDMSSD公司将继续通过强大的SSDSSDSSDSSD动企业级SSD225年的50M%。从营收角度来看，目前HBM占DRAMHBM3明年的竞争格局？是否会因为未来几个月竞争对手的内存产品获得公开认证而调整战略决策？A：公司在竞争中非常有利。公司的HBM4/2026HBM3E2025HBMDRAMHBMHBMHBM与非HBM当然，HBM业务正在快速增长，预计到2028年其总潜在市场将达到1000亿美HBMHBM在内的整个DRAM80月和2月季度HBMAHBM年公司的HBM再次强调，公司的产品定位非常有利，这有助于公司更好地管理整体业务组合。Q：关于业务可持续性，2月季度之后，比如到5月季度，毛利率走势是会继续提升还是保持当前水平？如何