【答案】《数字逻辑设计及应用》(电子科技大学)章节期末慕课答案_第1页
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文档简介

【答案】《数字逻辑设计及应用》(电子科技大学)章节期末慕课答案有些题目顺序不一致,下载后按键盘ctrl+F进行搜索第二章数制与编码第1、2章单元测验1.单选题:十进制数22.37对应的二进制数是:

选项:

A、10110.0101111

B、10010.01011

C、10110.11010

D、10010.010110

答案:【10110.0101111】2.单选题:十进制数178.5对应的余3码是:

选项:

A、000101111000.0101

B、010001111000.0101

C、010010101011.1000

D、010010101110.1001

答案:【010010101011.1000】3.单选题:十进制数-47对应的二进制补码是:

选项:

A、11010001

B、11010101

C、11010011

D、10100110

答案:【11010001】4.单选题:十进制数+45对应的二进制补码是:

选项:

A、10101101

B、00010110

C、00101101

D、10110110

答案:【00101101】5.单选题:十进制数38.75对应的8421BCD码是:

选项:

A、111000.01110101

B、00111000.01110101

C、111000.01010111

D、00110111.01100100

答案:【00111000.01110101】6.单选题:十进制数16.68对应的十六进制数是:

选项:

A、10.BA

B、12.CD

C、11.EF

D、10.AE

答案:【10.AE】7.单选题:十进制数120对应的二进制数是:

选项:

A、111000

B、1111000

C、1110110

D、1111010

答案:【1111000】8.单选题:二进制数101111.0111对应的八进制数是:

选项:

A、233.23

B、57.34

C、274.26

D、236.34

答案:【57.34】9.单选题:二进制数01000010对应的格雷码是:

选项:

A、10001100

B、01110011

C、01100011

D、10110011

答案:【01100011】10.单选题:二进制数100110.11对应的十六进制数是:

选项:

A、92.3

B、26.6

C、46.3

D、26.C

答案:【26.C】11.多选题:二进制加法运算包含的输入、输出变量有:

选项:

A、进位输入:Cin

B、进位输出Cout

C、本位差:D

D、本位和:S

答案:【进位输入:Cin;进位输出Cout;本位和:S】12.多选题:数字设计的层次主要有:

选项:

A、IC制造过程级

B、晶体管级

C、门电路结构级

D、逻辑设计级

答案:【IC制造过程级;晶体管级;门电路结构级;逻辑设计级】13.多选题:构成数字电路最基本的器件主要有:

选项:

A、加法器

B、门电路

C、触发器

D、计数器

答案:【门电路;触发器】14.多选题:与模拟电路相比,数字系统的优越性主要体现在:

选项:

A、稳定可靠

B、精度更高

C、易于设计

D、速度更快

答案:【稳定可靠;精度更高;易于设计】15.多选题:两个二进制数的补码相加,有溢出的是:

选项:

A、01001110+00100011

B、01000011+01001000

C、11010111+11001000

D、10101111+11001111

答案:【01000011+01001000;10101111+11001111】第三章数字电路第3章单元测试1.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,最小反相器(1X)延迟时间为2,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)最接近于

选项:

A、50

B、200

C、1300

D、2600

答案:【50】2.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,最小反相器(1X)延迟时间为2,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)最接近于

选项:

A、4

B、50

C、200

D、1200

答案:【50】3.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,最小反相器(1X)延迟时间为2,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)最接近于

选项:

A、1000

B、100

C、30

D、10

答案:【100】4.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,最小反相器(1X)延迟时间为2,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)最接近于

选项:

A、400

B、1000

C、2000

D、4000

答案:【2000】5.单选题:INV的成本约为标准门的

选项:

A、一半

B、三分之一

C、四分之一

D、五分之一

答案:【三分之一】6.单选题:在片内CMOS单元中,从输出到地的某条支路上存在4个MOS器件,需要使用多少个最小晶体管

选项:

A、16

B、12

C、8

D、4

答案:【16】7.单选题:在片内CMOS单元中,从输出到电源的某条支路上存在3个MOS器件,需要使用多少个最小晶体管

选项:

A、3

B、6

C、9

D、12

答案:【9】8.单选题:采用FPGA进行复杂数字系统的可编程设计通常属于

选项:

A、VLSI

B、MSI

C、SSI

D、LSI

答案:【VLSI】9.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)相当于多少个内部标准门级联的延迟时间A15B60C240D800

选项:

A、15

B、60

C、240

D、800

答案:【15】10.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)相当于多少个内部标准门级联的延迟时间

选项:

A、2

B、15

C、60

D、400

答案:【15】11.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)相当于多少个内部标准门级联的延迟时间

选项:

A、300

B、40

C、10

D、2

答案:【40】12.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)接近于多少个内部标准门级联的延迟时间

选项:

A、2

B、33

C、700

D、1350

答案:【700】13.单选题:若CMOS单元的设计指标为:输入高电平最小值2.8V输入低电平最大值2.3V输出高电平最小值3.9V输出低电平最大值0.7V则高电平噪声容限为

选项:

A、0.5V

B、1.1V

C、2.1V

D、3.2V

答案:【1.1V】14.单选题:当电源为5V时,若CMOS缓冲器的输入电压为3V,输出电压的可能值为

选项:

A、1V

B、2V

C、3V

D、4V

答案:【4V】15.单选题:当电源为5V时,若CMOS缓冲器的输入电压为2V,输出电压的可能值为

选项:

A、1V

B、2V

C、3V

D、4V

答案:【1V】16.单选题:当电源为5V时,若CMOS反相器的输入电压为3V,输出电压的可能值为

选项:

A、1V

B、2V

C、3V

D、4V

答案:【1V】17.单选题:当电源为5V时,若CMOS反相器的输入电压为2V,输出电压的可能值为

选项:

A、1V

B、2V

C、3V

D、4V

答案:【4V】18.单选题:下图逻辑单元实现的功能为

选项:

A、y=(a+b).(c+d)

B、y=(a.c+b.d)’

C、y=a.b+c.d

D、y=((a+c).(b+d))’

答案:【y=(a.c+b.d)’】19.单选题:下图逻辑单元实现的功能为

选项:

A、y=(a+b).(c+d)

B、y=(a.b+c.d)’

C、y=a.b+c.d

D、y=((a+b).(c+d))’

答案:【y=((a+b).(c+d))’】20.单选题:下图逻辑单元实现的功能为

选项:

A、y=a.(b+c)

B、y=(a.(b+c))’

C、y=a+b.c’

D、y=(a+b.c)’

答案:【y=a.(b+c)】21.单选题:片上复杂系统SOC的设计通常属于

选项:

A、LSI

B、MSI

C、SSI

D、VLSI

答案:【VLSI】22.单选题:对常用功能运算单元的集成通常称为

选项:

A、LSI

B、MSI

C、SSI

D、VLSI

答案:【MSI】23.单选题:对简单逻辑单元的集成通常称为

选项:

A、LSI

B、MSI

C、SSI

D、VLSI

答案:【SSI】24.单选题:设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,高电平驱动能力为8mA,低电平驱动能力为10mA,则PMOS导通电阻为

选项:

A、220

B、250

C、270

D、290

答案:【250】25.单选题:设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,高电平驱动能力为8mA,低电平驱动能力为10mA,则NMOS导通电阻为

选项:

A、220

B、275

C、200

D、250

答案:【220】26.单选题:设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,NMOS导通电阻为100,PMOS导通电阻为150,则低电平驱动能力为

选项:

A、20

B、14.7

C、13.3

D、22

答案:【22】27.单选题:设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,NMOS导通电阻为100,PMOS导通电阻为150,则高电平驱动能力为

选项:

A、20

B、14.7

C、13.3

D、22

答案:【13.3】28.单选题:若CMOS单元的设计指标为:输入高电平最小值2.8V输入低电平最大值2.3V输出高电平最小值3.9V输出低电平最大值0.7V则低电平噪声容限为

选项:

A、0.5V

B、1.1V

C、1.6V

D、3.2V

答案:【1.6V】29.单选题:在5V电源条件下,若电平容限为0.5V,考虑对等性设计指标,采用开路门设计的反相器使用的最小晶体管数量为采用CMOS结构设计的多少倍

选项:

A、0.5

B、2

C、5

D、10

答案:【5】30.单选题:下图逻辑单元实现的功能为

选项:

A、y=(a+b).(c+d)

B、y=(a.b+c.d)’

C、y=a.b+c.d

D、y=((a+b).(c+d))’

答案:【y=(a+b).(c+d)】31.单选题:下图逻辑单元实现的功能为

选项:

A、y=a.(b+c)’

B、y=(a.(b+c))’

C、y=a+b.c’

D、y=(a+b.c)’

答案:【y=(a.(b+c))’】32.单选题:下图逻辑单元实现的功能为

选项:

A、y=a.b+c

B、y=(a.b+c)’

C、y=a+b.c

D、y=(a+b.c)’

答案:【y=(a.b+c)’】33.单选题:下图逻辑单元实现的功能为

选项:

A、y=a+b+c

B、y=(a+b+c)’

C、y=a.b.c

D、y=(a.b.c)’

答案:【y=(a.b.c)’】34.单选题:电路结构如图所示,该电路是

选项:

A、AND2

B、NAND2

C、BUFFER

D、NOR2

答案:【NOR2】35.单选题:电路结构如图所示,该电路是

选项:

A、INV

B、NAND2

C、BUFFER

D、OR2

答案:【BUFFER】36.单选题:若假设最小晶体管栅极电容导致的时间延迟为1,使用片内基本单元实现逻辑函数y=a+b.c'时,当信号从c到y的传递延迟时间为

选项:

A、6

B、8

C、10

D、12

答案:【8】37.单选题:使用片内基本单元实现逻辑函数y=a+b.c'需要使用多少个最小晶体管

选项:

A、6

B、10

C、14

D、18

答案:【18】38.多选题:CMOS反相器电压转移特性如图所示下列说法中哪些是正确的

选项:

A、输入高电平容限为2.5--5V

B、输入高电平最小值为3.2V

C、输出低电平容限为0--0.3V

D、输入低电平容限为0--1.8V

答案:【输入高电平最小值为3.2V;输入低电平容限为0--1.8V】39.多选题:一个CMOS器件由6个MOS器件构成,它可能是

选项:

A、NOR2

B、BUFFER

C、NAND3

D、AND2

答案:【NAND3;AND2】40.多选题:下列说法中哪些是正确的

选项:

A、当集成块接收临近单元的信号时,通常采用具有施密特缓冲输入的器件

B、当集成块接收较远距离单元的信号时,通常采用简单缓冲输入的器件

C、当集成块输出驱动CMOS数字电路时,应该选用小功率集成器件

D、当集成块输出驱动有源模拟电路时,应该选用较大功率集成器件

答案:【当集成块输出驱动CMOS数字电路时,应该选用小功率集成器件;当集成块输出驱动有源模拟电路时,应该选用较大功率集成器件】41.多选题:设最小晶体管栅极电容导致的延迟时间为1,下列单元器件的延迟时间正确的是

选项:

A、INV延迟时间为2

B、NAND2延迟时间为4

C、OR2延迟时间为4

D、标准门延迟时间为3

答案:【INV延迟时间为2;标准门延迟时间为3】42.多选题:关于CMOS数字集成电路中的功耗,下列说法哪些是正确的

选项:

A、主要为动态功耗

B、与器件单元中的电容总量正比

C、与发生状态变化的电容总量正比

D、与单位时间内的状态变化次数正比

答案:【主要为动态功耗;与发生状态变化的电容总量正比;与单位时间内的状态变化次数正比】43.多选题:一个CMOS器件由4个MOS器件构成,它可能是

选项:

A、NAND2

B、AND2

C、INV

D、BUFFER

答案:【NAND2;BUFFER】44.多选题:下列输入输出关系中,哪些表达了基本逻辑单元

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【;】45.多选题:关于集成块的输出单元,下列说法中正确的是

选项:

A、输出单元成本和延迟远大于内部所有单元之和

B、输出单元一定是大驱动反相器

C、输出单元的驱动能力通常为内部驱动能力的上千倍以上

D、中小规模集成块的时间延迟主要取决于输出单元设计

答案:【输出单元一定是大驱动反相器;输出单元的驱动能力通常为内部驱动能力的上千倍以上;中小规模集成块的时间延迟主要取决于输出单元设计】46.多选题:关于标准门,下列说法中哪些是正确的

选项:

A、标准门包含AND2,OR2和INV

B、标准门只包含NAND2和NOR2

C、反相器成本相当于1/3标准门

D、标准门需要使用6个最小晶体管

答案:【标准门只包含NAND2和NOR2;反相器成本相当于1/3标准门;标准门需要使用6个最小晶体管】47.多选题:下列器件中,哪些属于CMOS片内基本单元

选项:

A、INV

B、BUFFER

C、AND2

D、NOR2

答案:【INV;NOR2】48.多选题:对于CMOS结构的NAND2器件,下列说法哪些是正确的

选项:

A、该器件有2个输入端

B、该器件使用6个MOS器件

C、该器件使用2个PMOS

D、该器件中NMOS器件为串联

答案:【该器件有2个输入端;该器件使用2个PMOS;该器件中NMOS器件为串联】49.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,应该选用较大功率集成器件

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】50.单选题:当集成块输出驱动有源模拟电路时,应该选用小功率集成器件

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】51.单选题:当集成块输出驱动CMOS数字电路时,应该选用小功率集成器件

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】52.单选题:当集成块接收较远距离单元的信号时,通常采用简单缓冲输入的器件

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】53.单选题:当集成块接收临近单元的信号时,通常采用具有施密特缓冲输入的器件

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】54.单选题:当集成块输入数字信号时,主要应该选择输入电阻低的集成块

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】55.单选题:当集成块输入数字信号时,主要应该选择输入电流低的集成块

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】56.单选题:当集成块输入模拟信号时,主要应该选择具有抗干扰设计的集成块

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】57.单选题:当集成块输出驱动有源模拟电路时,该电路等效电压源不能低于集成块高电平输出最小值

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】58.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,主要考虑高电平输出的匹配设计

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】59.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,主要考虑低电平输出的匹配设计

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】60.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,该电路等效电阻不能过高

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】61.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,该电路等效电阻不能过低

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】62.单选题:当集成块输出驱动发光显示电路时,应该选用较大功率集成器件

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】63.单选题:集成块输入施密特缓冲有助于消除输入噪声在输出端形成的波动

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】64.单选题:集成块输入施密特缓冲输入电阻较小

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】65.单选题:集成块输入施密特缓冲能够形成电压滞回特性

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】66.单选题:集成块输入简单缓冲输入端不允许悬置

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】67.单选题:集成块输入简单缓冲输入电阻较小

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】68.单选题:集成块输入缓冲设计主要分为简单缓冲和施密特缓冲两种形式

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】69.单选题:集成块输入缓冲设计可能延长状态变化的过渡时间

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】70.单选题:集成块输入缓冲设计可以减弱片外噪声对内部电路的影响

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】71.单选题:集成块的成本和延迟时间主要取决于输出单元

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】72.单选题:在大驱动输出单元设计时,通常采用逐渐增加缓冲驱动设计以缩短延迟时间

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】73.单选题:集成块输出单元的逻辑面积至少为内部标准门面积的数百倍以上

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】74.单选题:集成块输出单元的时间延迟可能为内部单元的数百倍

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】75.单选题:数字集成电路中,大驱动器件只有反相器

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】76.单选题:集成块输出一定采用缓冲器输出,直接输出的器件一定是大驱动反相器

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】77.单选题:集成块的输出单元通常为标准门单元

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】78.单选题:集成块输出需要的驱动能力远大于内部单元的驱动能力

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】79.单选题:将大量单元封装在集成块中,导致数字系统的性能提高

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】80.单选题:将大量单元封装在集成块中,导致数字系统的成本提高

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】81.单选题:将大量单元封装在集成块中,可能导致电路抗干扰性提高

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】82.单选题:将大量单元封装在集成块中,可能导致电路可靠性下降

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】83.单选题:集成电路需要晶体管连接形成功能单元后再进行封装

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】84.单选题:CMOS数字集成电路是全晶体管电路

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】85.单选题:CMOS逻辑单元完全由晶体管在电路板上连接构成

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】86.单选题:在同一芯片上制作大量晶体管就称为集成电路

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】87.单选题:集成块输入缓冲设计一定可以提高器件的输入电阻

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】88.单选题:集成块输入缓冲设计可以减少器件单元的时间延迟

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】89.单选题:集成块输入缓冲设计通常可以降低器件的输入电容

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】90.单选题:集成块的输入端通常需要采用缓冲设计

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】91.单选题:对CMOS结构的NOR3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】92.单选题:对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】93.单选题:对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】94.单选题:对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力与低电平驱动能力相同

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】95.单选题:当电源为5V时,低于1.5V的电压为低电平

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】96.单选题:当电源为5V时,高于3.5V的电压为高电平

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】97.单选题:当电源为5V时,低于2.5V的电压为低电平

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】98.单选题:当电源为5V时,高于2.5V的电压为高电平

选项:

A、正确

B、错误

答案:【错误】99.单选题:2个独立的CMOS单元的输出不能进行相互连接

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】100.单选题:2个独立的开路门单元输出相互连接时,表现为对输出进行与运算

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】第四章组合逻辑设计原理第四章组合逻辑设计原理(单元测验)1.单选题:下列表达式中存在静态1冒险的有()。A、(A'+AB+B'D)B、(A'+B)(B'+C')C、(C+B+B'C)D、(A'+B')(A'+C)

选项:

A、A'+AB+B'D

B、(A'+B)(B'+C')

C、(C+B+B'C)

D、(A'+B')(A'+C)

答案:【A'+AB+B'D】2.单选题:已知有二输入逻辑门,只有当输X和Y都为1时,输出F才为1,则X,Y与F的逻辑关系为()。

选项:

A、异或

B、同或

C、与

D、或

答案:【与】3.单选题:已知函数F(A,B,C,D)=(AB')'+(C'D+B'C)',则其最简表达式为()。

选项:

A、A'+B+C'D'

B、A'+B+C'

C、A'+B+B'C'D'

D、A'+B

答案:【A'+B+C'D'】4.单选题:利用开关代数的公理或定理,判断与(x+y')'等价的逻辑关系为()

选项:

A、xy'

B、x'+y

C、x‘y

D、x+y'

E、xy

答案:【x‘y】5.多选题:逻辑函数之间满足()关系。

选项:

A、相等

B、对偶

C、反演

D、互为正负逻辑

答案:【对偶;互为正负逻辑】第四章组合逻辑设计原理(单元作业)1.用卡诺图化简逻辑函数为最小“和之积”表达式。

答案:【最小积共4项,全对得4分,错一项扣1分,注意答案不唯一。】2.用卡诺图化简逻辑函数为最小“积之和”表达式,在图中标出奇异“1”单元。

答案:【最小和答对得3分,错一项扣1分,奇异单元标对得3分,错一个扣1分。】3.请写出下面函数的标准积:F=A’B+B’C

答案:【答对得4分,错1项扣1分。】4.请写出下面函数的标准和:

答案:【标准和共4项,全对得4分,错一项扣0.5分。】5.请写出下面逻辑函数的真值表:F=(A'+B+C')(A'+B'+D)(B+C+D')(A+B+C+D)

答案:【真值表正确得4分,错一行扣0.5,扣完为止。】第六章组合逻辑设计-第6章单元测验1.单选题:如图,是151的电路设计,其中输入端的使用了6个反相器,而实现逻辑功能应该可以省掉三个,为什么这么设计?

选项:

A、提高151的带负载能力

B、降低输入电流

C、为更方便的实现逻辑功能

D、提高扇出能力

答案:【降低输入电流】2.单选题:如图电路,描述正确的是

选项:

A、G_L是门控制信号,当G_L有效时候,当DIR有效时,A1到B1单向导通

B、G_L是门控制信号,当G_L=1的时候,无论DIR为何值,B1和A1断开

C、G_L是门控制信号,当G_L=1的时候,当DIR有效时,A1到B1单向导通

D、G_L是门控制信号,当G_L=0的时候,当DIR有效时,B1到A1单向导通

E、G_L是门控制信号,当G_L=1的时候,当DIR有效时,B1到A1单向导通

F、G_L是门控制信号,当G_L=0的时候,A1到B1双向导通

答案:【G_L是门控制信号,当G_L有效时候,当DIR有效时,A1到B1单向导通】3.单选题:如图,此电路的输入端I0_L是低电平有效,输出A2A1A0是高电平有效,AVALID高电平有效,当AVALID有效表示的是?

选项:

A、没有有效的输入,.I7_L到I0_L全部为0

B、有有效的输入,I7_L到I0_L全部为1

C、无法判断

D、有有效的输入,I7_L到I0_L不全部为1

答案:【有有效的输入,I7_L到I0_L不全部为1】4.单选题:当共阴极7段数码管显示2的时候,输出应该为

选项:

A、0000010

B、1101101

C、0010010

D、1111101

答案:【1101101】5.单选题:BCD码译码器如果不允许输入大于9的数值的时候,当输入10时,输出为?

选项:

A、是任意数值,每次会不同

B、是全1

C、是全0

D、是一个数值,这个数值是固定的

答案:【是一个数值,这个数值是固定的】6.单选题:使用74HC138实现逻辑函数F=?(X,Y,Z)(2,4,5),正确的是

选项:

A、Y2,Y4,Y5连或门

B、Y2,Y4,Y5连或非门

C、Y2,Y4,Y5连与门

D、Y2,Y4,Y5连与非门

答案:【Y2,Y4,Y5连与门】7.单选题:以下不正确的名号名称是

选项:

A、ready'

B、ready_l

C、ready(L)

D、/ready

答案:【ready'】8.多选题:如图所示电路论述正确的是

选项:

A、实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1,校验电路是否输入偶数个1,当输入偶数个1时输出P=1

B、实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1,产生了奇校验位,如果连同P一起发送B2B2B1B0P,发送了奇数个1

C、实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0,校验电路是否输入偶数个1,当输入偶数个1时输出P=1

D、实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0,产生了奇校验位,如果连同P一起发送B2B2B1B0P,发送了奇数个1

答案:【实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1,校验电路是否输入偶数个1,当输入偶数个1时输出P=1;实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1,产生了奇校验位,如果连同P一起发送B2B2B1B0P,发送了奇数个1】9.多选题:F=?

选项:

A、F=∑xyz(0,3,6,7)

B、F=?xyz(1,2,4,5)

C、F=?xyz(0,3,6,7)

D、F=∑zyx(0,3,6,7)

答案:【F=∑xyz(0,3,6,7);F=?xyz(1,2,4,5)】10.多选题:如图电路实现的逻辑函数是

选项:

A、F=∑(W,X,Y,Z)(0,1,3,7,9,13,14)

B、F=∑(W,X,Y,Z)(0,1,3,7,8,13,14)

C、F=Π(W,X,Y,Z)(2,4,5,6,8,10,11,12,15)

D、F=Π(W,X,Y,Z)(2,4,5,6,9,10,11,12,15)

答案:【F=∑(W,X,Y,Z)(0,1,3,7,9,13,14);F=Π(W,X,Y,Z)(2,4,5,6,8,10,11,12,15)】11.单选题:使用74HC138和一个门器件可以实现逻辑函数F=?(w,X,Y,Z)(4,12,13,14,15)

选项:

A、正确

B、错误

答案:【正确】12.如图电路使用138和缓冲器实现了8选1的(译码器/编码器/数据选择器/数据分配器)?

答案:【数据选择器/多路复用器】13.典型的三态器件,进入高阻态比离开高阻态()

答案:【快】14.如图,如果()有效,说明没有有效的输入

答案:【IDLE】15.当输入为I7_l...I0_l:00100001时,输出为A2A1A0=()

答案:【001】第七章时序逻辑设计原理七单元检测1.单选题:为实现将D触发器转换为T触发器,下图所示电路的虚框内应是()

选项:

A、或非门

B、与非门

C、异或门

D、同或门

答案:【同或门】2.单选题:下面四种触发器中,抗干扰能力最强的是()

选项:

A、D锁存器

B、主从JK触发器

C、边沿D触发器

D、具有使能端的RS锁存器

答案:【边沿D触发器】3.单选题:对于JK触发器,若希望其状态由0转变为1,则所加激励信号是()

选项:

A、JK=0X

B、JK=X0

C、JK=X1

D、JK=1X

答案:【JK=1X】4.单选题:1、要使JK触发器在时钟脉冲作用下,实现输出=,则输入信号应为()

选项:

A、?

B、

C、

D、

答案:【?】5.多选题:以下描述一个逻辑函数的方法中()不能唯一表示

选项:

A、表达式

B、逻辑图

C、真值表

D、波形图

答案:【表达式;逻辑图;波形图】6.多选题:对于D触发器,如果时钟频率为10MHz,输出信号Q的频率可能是()MHz。

选项:

A、10?

B、5

C、2.5

D、20

答案:【5;2.5】期末考试期末考试试卷1.单选题:CMOS电路的动态功耗可表示为

选项:

A、CVf

B、

C、

D、

答案:【】2.单选题:八位多路复用器有几个地址输入线?

选项:

A、1

B、2

C、3

D、8

答案:【3】3.单选题:为一个有101个按键的键盘设计一个配套的二进制编码器,该编码器的输出端子至少应有多少条?

选项:

A、6

B、7

C、4

D、5

答案:【7】4.单选题:输出仅依赖于现态,与外输入无关的状态机称为

选项:

A、移

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