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文档简介
【答案】《数字逻辑设计及应用》(电子科技大学)章节期末慕课答案有些题目顺序不一致,下载后按键盘ctrl+F进行搜索第二章数制与编码第1、2章单元测验1.单选题:十进制数22.37对应的二进制数是:
选项:
A、10110.0101111
B、10010.01011
C、10110.11010
D、10010.010110
答案:【10110.0101111】2.单选题:十进制数178.5对应的余3码是:
选项:
A、000101111000.0101
B、010001111000.0101
C、010010101011.1000
D、010010101110.1001
答案:【010010101011.1000】3.单选题:十进制数-47对应的二进制补码是:
选项:
A、11010001
B、11010101
C、11010011
D、10100110
答案:【11010001】4.单选题:十进制数+45对应的二进制补码是:
选项:
A、10101101
B、00010110
C、00101101
D、10110110
答案:【00101101】5.单选题:十进制数38.75对应的8421BCD码是:
选项:
A、111000.01110101
B、00111000.01110101
C、111000.01010111
D、00110111.01100100
答案:【00111000.01110101】6.单选题:十进制数16.68对应的十六进制数是:
选项:
A、10.BA
B、12.CD
C、11.EF
D、10.AE
答案:【10.AE】7.单选题:十进制数120对应的二进制数是:
选项:
A、111000
B、1111000
C、1110110
D、1111010
答案:【1111000】8.单选题:二进制数101111.0111对应的八进制数是:
选项:
A、233.23
B、57.34
C、274.26
D、236.34
答案:【57.34】9.单选题:二进制数01000010对应的格雷码是:
选项:
A、10001100
B、01110011
C、01100011
D、10110011
答案:【01100011】10.单选题:二进制数100110.11对应的十六进制数是:
选项:
A、92.3
B、26.6
C、46.3
D、26.C
答案:【26.C】11.多选题:二进制加法运算包含的输入、输出变量有:
选项:
A、进位输入:Cin
B、进位输出Cout
C、本位差:D
D、本位和:S
答案:【进位输入:Cin;进位输出Cout;本位和:S】12.多选题:数字设计的层次主要有:
选项:
A、IC制造过程级
B、晶体管级
C、门电路结构级
D、逻辑设计级
答案:【IC制造过程级;晶体管级;门电路结构级;逻辑设计级】13.多选题:构成数字电路最基本的器件主要有:
选项:
A、加法器
B、门电路
C、触发器
D、计数器
答案:【门电路;触发器】14.多选题:与模拟电路相比,数字系统的优越性主要体现在:
选项:
A、稳定可靠
B、精度更高
C、易于设计
D、速度更快
答案:【稳定可靠;精度更高;易于设计】15.多选题:两个二进制数的补码相加,有溢出的是:
选项:
A、01001110+00100011
B、01000011+01001000
C、11010111+11001000
D、10101111+11001111
答案:【01000011+01001000;10101111+11001111】第三章数字电路第3章单元测试1.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,最小反相器(1X)延迟时间为2,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)最接近于
选项:
A、50
B、200
C、1300
D、2600
答案:【50】2.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,最小反相器(1X)延迟时间为2,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)最接近于
选项:
A、4
B、50
C、200
D、1200
答案:【50】3.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,最小反相器(1X)延迟时间为2,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)最接近于
选项:
A、1000
B、100
C、30
D、10
答案:【100】4.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,最小反相器(1X)延迟时间为2,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)最接近于
选项:
A、400
B、1000
C、2000
D、4000
答案:【2000】5.单选题:INV的成本约为标准门的
选项:
A、一半
B、三分之一
C、四分之一
D、五分之一
答案:【三分之一】6.单选题:在片内CMOS单元中,从输出到地的某条支路上存在4个MOS器件,需要使用多少个最小晶体管
选项:
A、16
B、12
C、8
D、4
答案:【16】7.单选题:在片内CMOS单元中,从输出到电源的某条支路上存在3个MOS器件,需要使用多少个最小晶体管
选项:
A、3
B、6
C、9
D、12
答案:【9】8.单选题:采用FPGA进行复杂数字系统的可编程设计通常属于
选项:
A、VLSI
B、MSI
C、SSI
D、LSI
答案:【VLSI】9.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)相当于多少个内部标准门级联的延迟时间A15B60C240D800
选项:
A、15
B、60
C、240
D、800
答案:【15】10.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)相当于多少个内部标准门级联的延迟时间
选项:
A、2
B、15
C、60
D、400
答案:【15】11.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)相当于多少个内部标准门级联的延迟时间
选项:
A、300
B、40
C、10
D、2
答案:【40】12.单选题:若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X,对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力),该输出单元的延迟时间(从a到y)接近于多少个内部标准门级联的延迟时间
选项:
A、2
B、33
C、700
D、1350
答案:【700】13.单选题:若CMOS单元的设计指标为:输入高电平最小值2.8V输入低电平最大值2.3V输出高电平最小值3.9V输出低电平最大值0.7V则高电平噪声容限为
选项:
A、0.5V
B、1.1V
C、2.1V
D、3.2V
答案:【1.1V】14.单选题:当电源为5V时,若CMOS缓冲器的输入电压为3V,输出电压的可能值为
选项:
A、1V
B、2V
C、3V
D、4V
答案:【4V】15.单选题:当电源为5V时,若CMOS缓冲器的输入电压为2V,输出电压的可能值为
选项:
A、1V
B、2V
C、3V
D、4V
答案:【1V】16.单选题:当电源为5V时,若CMOS反相器的输入电压为3V,输出电压的可能值为
选项:
A、1V
B、2V
C、3V
D、4V
答案:【1V】17.单选题:当电源为5V时,若CMOS反相器的输入电压为2V,输出电压的可能值为
选项:
A、1V
B、2V
C、3V
D、4V
答案:【4V】18.单选题:下图逻辑单元实现的功能为
选项:
A、y=(a+b).(c+d)
B、y=(a.c+b.d)’
C、y=a.b+c.d
D、y=((a+c).(b+d))’
答案:【y=(a.c+b.d)’】19.单选题:下图逻辑单元实现的功能为
选项:
A、y=(a+b).(c+d)
B、y=(a.b+c.d)’
C、y=a.b+c.d
D、y=((a+b).(c+d))’
答案:【y=((a+b).(c+d))’】20.单选题:下图逻辑单元实现的功能为
选项:
A、y=a.(b+c)
B、y=(a.(b+c))’
C、y=a+b.c’
D、y=(a+b.c)’
答案:【y=a.(b+c)】21.单选题:片上复杂系统SOC的设计通常属于
选项:
A、LSI
B、MSI
C、SSI
D、VLSI
答案:【VLSI】22.单选题:对常用功能运算单元的集成通常称为
选项:
A、LSI
B、MSI
C、SSI
D、VLSI
答案:【MSI】23.单选题:对简单逻辑单元的集成通常称为
选项:
A、LSI
B、MSI
C、SSI
D、VLSI
答案:【SSI】24.单选题:设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,高电平驱动能力为8mA,低电平驱动能力为10mA,则PMOS导通电阻为
选项:
A、220
B、250
C、270
D、290
答案:【250】25.单选题:设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,高电平驱动能力为8mA,低电平驱动能力为10mA,则NMOS导通电阻为
选项:
A、220
B、275
C、200
D、250
答案:【220】26.单选题:设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,NMOS导通电阻为100,PMOS导通电阻为150,则低电平驱动能力为
选项:
A、20
B、14.7
C、13.3
D、22
答案:【22】27.单选题:设电压单位为V,电流单位为mA,电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V,输出低电平容限为2.2V,NMOS导通电阻为100,PMOS导通电阻为150,则高电平驱动能力为
选项:
A、20
B、14.7
C、13.3
D、22
答案:【13.3】28.单选题:若CMOS单元的设计指标为:输入高电平最小值2.8V输入低电平最大值2.3V输出高电平最小值3.9V输出低电平最大值0.7V则低电平噪声容限为
选项:
A、0.5V
B、1.1V
C、1.6V
D、3.2V
答案:【1.6V】29.单选题:在5V电源条件下,若电平容限为0.5V,考虑对等性设计指标,采用开路门设计的反相器使用的最小晶体管数量为采用CMOS结构设计的多少倍
选项:
A、0.5
B、2
C、5
D、10
答案:【5】30.单选题:下图逻辑单元实现的功能为
选项:
A、y=(a+b).(c+d)
B、y=(a.b+c.d)’
C、y=a.b+c.d
D、y=((a+b).(c+d))’
答案:【y=(a+b).(c+d)】31.单选题:下图逻辑单元实现的功能为
选项:
A、y=a.(b+c)’
B、y=(a.(b+c))’
C、y=a+b.c’
D、y=(a+b.c)’
答案:【y=(a.(b+c))’】32.单选题:下图逻辑单元实现的功能为
选项:
A、y=a.b+c
B、y=(a.b+c)’
C、y=a+b.c
D、y=(a+b.c)’
答案:【y=(a.b+c)’】33.单选题:下图逻辑单元实现的功能为
选项:
A、y=a+b+c
B、y=(a+b+c)’
C、y=a.b.c
D、y=(a.b.c)’
答案:【y=(a.b.c)’】34.单选题:电路结构如图所示,该电路是
选项:
A、AND2
B、NAND2
C、BUFFER
D、NOR2
答案:【NOR2】35.单选题:电路结构如图所示,该电路是
选项:
A、INV
B、NAND2
C、BUFFER
D、OR2
答案:【BUFFER】36.单选题:若假设最小晶体管栅极电容导致的时间延迟为1,使用片内基本单元实现逻辑函数y=a+b.c'时,当信号从c到y的传递延迟时间为
选项:
A、6
B、8
C、10
D、12
答案:【8】37.单选题:使用片内基本单元实现逻辑函数y=a+b.c'需要使用多少个最小晶体管
选项:
A、6
B、10
C、14
D、18
答案:【18】38.多选题:CMOS反相器电压转移特性如图所示下列说法中哪些是正确的
选项:
A、输入高电平容限为2.5--5V
B、输入高电平最小值为3.2V
C、输出低电平容限为0--0.3V
D、输入低电平容限为0--1.8V
答案:【输入高电平最小值为3.2V;输入低电平容限为0--1.8V】39.多选题:一个CMOS器件由6个MOS器件构成,它可能是
选项:
A、NOR2
B、BUFFER
C、NAND3
D、AND2
答案:【NAND3;AND2】40.多选题:下列说法中哪些是正确的
选项:
A、当集成块接收临近单元的信号时,通常采用具有施密特缓冲输入的器件
B、当集成块接收较远距离单元的信号时,通常采用简单缓冲输入的器件
C、当集成块输出驱动CMOS数字电路时,应该选用小功率集成器件
D、当集成块输出驱动有源模拟电路时,应该选用较大功率集成器件
答案:【当集成块输出驱动CMOS数字电路时,应该选用小功率集成器件;当集成块输出驱动有源模拟电路时,应该选用较大功率集成器件】41.多选题:设最小晶体管栅极电容导致的延迟时间为1,下列单元器件的延迟时间正确的是
选项:
A、INV延迟时间为2
B、NAND2延迟时间为4
C、OR2延迟时间为4
D、标准门延迟时间为3
答案:【INV延迟时间为2;标准门延迟时间为3】42.多选题:关于CMOS数字集成电路中的功耗,下列说法哪些是正确的
选项:
A、主要为动态功耗
B、与器件单元中的电容总量正比
C、与发生状态变化的电容总量正比
D、与单位时间内的状态变化次数正比
答案:【主要为动态功耗;与发生状态变化的电容总量正比;与单位时间内的状态变化次数正比】43.多选题:一个CMOS器件由4个MOS器件构成,它可能是
选项:
A、NAND2
B、AND2
C、INV
D、BUFFER
答案:【NAND2;BUFFER】44.多选题:下列输入输出关系中,哪些表达了基本逻辑单元
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【;】45.多选题:关于集成块的输出单元,下列说法中正确的是
选项:
A、输出单元成本和延迟远大于内部所有单元之和
B、输出单元一定是大驱动反相器
C、输出单元的驱动能力通常为内部驱动能力的上千倍以上
D、中小规模集成块的时间延迟主要取决于输出单元设计
答案:【输出单元一定是大驱动反相器;输出单元的驱动能力通常为内部驱动能力的上千倍以上;中小规模集成块的时间延迟主要取决于输出单元设计】46.多选题:关于标准门,下列说法中哪些是正确的
选项:
A、标准门包含AND2,OR2和INV
B、标准门只包含NAND2和NOR2
C、反相器成本相当于1/3标准门
D、标准门需要使用6个最小晶体管
答案:【标准门只包含NAND2和NOR2;反相器成本相当于1/3标准门;标准门需要使用6个最小晶体管】47.多选题:下列器件中,哪些属于CMOS片内基本单元
选项:
A、INV
B、BUFFER
C、AND2
D、NOR2
答案:【INV;NOR2】48.多选题:对于CMOS结构的NAND2器件,下列说法哪些是正确的
选项:
A、该器件有2个输入端
B、该器件使用6个MOS器件
C、该器件使用2个PMOS
D、该器件中NMOS器件为串联
答案:【该器件有2个输入端;该器件使用2个PMOS;该器件中NMOS器件为串联】49.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,应该选用较大功率集成器件
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】50.单选题:当集成块输出驱动有源模拟电路时,应该选用小功率集成器件
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】51.单选题:当集成块输出驱动CMOS数字电路时,应该选用小功率集成器件
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】52.单选题:当集成块接收较远距离单元的信号时,通常采用简单缓冲输入的器件
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】53.单选题:当集成块接收临近单元的信号时,通常采用具有施密特缓冲输入的器件
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】54.单选题:当集成块输入数字信号时,主要应该选择输入电阻低的集成块
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】55.单选题:当集成块输入数字信号时,主要应该选择输入电流低的集成块
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】56.单选题:当集成块输入模拟信号时,主要应该选择具有抗干扰设计的集成块
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】57.单选题:当集成块输出驱动有源模拟电路时,该电路等效电压源不能低于集成块高电平输出最小值
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】58.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,主要考虑高电平输出的匹配设计
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】59.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,主要考虑低电平输出的匹配设计
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】60.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,该电路等效电阻不能过高
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】61.单选题:当集成块输出驱动无源模拟电路时,该电路等效电阻不能过低
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】62.单选题:当集成块输出驱动发光显示电路时,应该选用较大功率集成器件
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】63.单选题:集成块输入施密特缓冲有助于消除输入噪声在输出端形成的波动
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】64.单选题:集成块输入施密特缓冲输入电阻较小
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】65.单选题:集成块输入施密特缓冲能够形成电压滞回特性
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】66.单选题:集成块输入简单缓冲输入端不允许悬置
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】67.单选题:集成块输入简单缓冲输入电阻较小
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】68.单选题:集成块输入缓冲设计主要分为简单缓冲和施密特缓冲两种形式
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】69.单选题:集成块输入缓冲设计可能延长状态变化的过渡时间
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】70.单选题:集成块输入缓冲设计可以减弱片外噪声对内部电路的影响
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】71.单选题:集成块的成本和延迟时间主要取决于输出单元
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】72.单选题:在大驱动输出单元设计时,通常采用逐渐增加缓冲驱动设计以缩短延迟时间
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】73.单选题:集成块输出单元的逻辑面积至少为内部标准门面积的数百倍以上
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】74.单选题:集成块输出单元的时间延迟可能为内部单元的数百倍
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】75.单选题:数字集成电路中,大驱动器件只有反相器
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】76.单选题:集成块输出一定采用缓冲器输出,直接输出的器件一定是大驱动反相器
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】77.单选题:集成块的输出单元通常为标准门单元
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】78.单选题:集成块输出需要的驱动能力远大于内部单元的驱动能力
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】79.单选题:将大量单元封装在集成块中,导致数字系统的性能提高
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】80.单选题:将大量单元封装在集成块中,导致数字系统的成本提高
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】81.单选题:将大量单元封装在集成块中,可能导致电路抗干扰性提高
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】82.单选题:将大量单元封装在集成块中,可能导致电路可靠性下降
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】83.单选题:集成电路需要晶体管连接形成功能单元后再进行封装
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】84.单选题:CMOS数字集成电路是全晶体管电路
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】85.单选题:CMOS逻辑单元完全由晶体管在电路板上连接构成
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】86.单选题:在同一芯片上制作大量晶体管就称为集成电路
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】87.单选题:集成块输入缓冲设计一定可以提高器件的输入电阻
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】88.单选题:集成块输入缓冲设计可以减少器件单元的时间延迟
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】89.单选题:集成块输入缓冲设计通常可以降低器件的输入电容
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】90.单选题:集成块的输入端通常需要采用缓冲设计
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】91.单选题:对CMOS结构的NOR3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】92.单选题:对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】93.单选题:对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】94.单选题:对CMOS结构的NAND3,若每个MOS器件的导通电阻完全相同,当高电平容限与低电平容限相同时,高电平驱动能力与低电平驱动能力相同
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】95.单选题:当电源为5V时,低于1.5V的电压为低电平
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】96.单选题:当电源为5V时,高于3.5V的电压为高电平
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】97.单选题:当电源为5V时,低于2.5V的电压为低电平
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】98.单选题:当电源为5V时,高于2.5V的电压为高电平
选项:
A、正确
B、错误
答案:【错误】99.单选题:2个独立的CMOS单元的输出不能进行相互连接
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】100.单选题:2个独立的开路门单元输出相互连接时,表现为对输出进行与运算
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】第四章组合逻辑设计原理第四章组合逻辑设计原理(单元测验)1.单选题:下列表达式中存在静态1冒险的有()。A、(A'+AB+B'D)B、(A'+B)(B'+C')C、(C+B+B'C)D、(A'+B')(A'+C)
选项:
A、A'+AB+B'D
B、(A'+B)(B'+C')
C、(C+B+B'C)
D、(A'+B')(A'+C)
答案:【A'+AB+B'D】2.单选题:已知有二输入逻辑门,只有当输X和Y都为1时,输出F才为1,则X,Y与F的逻辑关系为()。
选项:
A、异或
B、同或
C、与
D、或
答案:【与】3.单选题:已知函数F(A,B,C,D)=(AB')'+(C'D+B'C)',则其最简表达式为()。
选项:
A、A'+B+C'D'
B、A'+B+C'
C、A'+B+B'C'D'
D、A'+B
答案:【A'+B+C'D'】4.单选题:利用开关代数的公理或定理,判断与(x+y')'等价的逻辑关系为()
选项:
A、xy'
B、x'+y
C、x‘y
D、x+y'
E、xy
答案:【x‘y】5.多选题:逻辑函数之间满足()关系。
选项:
A、相等
B、对偶
C、反演
D、互为正负逻辑
答案:【对偶;互为正负逻辑】第四章组合逻辑设计原理(单元作业)1.用卡诺图化简逻辑函数为最小“和之积”表达式。
答案:【最小积共4项,全对得4分,错一项扣1分,注意答案不唯一。】2.用卡诺图化简逻辑函数为最小“积之和”表达式,在图中标出奇异“1”单元。
答案:【最小和答对得3分,错一项扣1分,奇异单元标对得3分,错一个扣1分。】3.请写出下面函数的标准积:F=A’B+B’C
答案:【答对得4分,错1项扣1分。】4.请写出下面函数的标准和:
答案:【标准和共4项,全对得4分,错一项扣0.5分。】5.请写出下面逻辑函数的真值表:F=(A'+B+C')(A'+B'+D)(B+C+D')(A+B+C+D)
答案:【真值表正确得4分,错一行扣0.5,扣完为止。】第六章组合逻辑设计-第6章单元测验1.单选题:如图,是151的电路设计,其中输入端的使用了6个反相器,而实现逻辑功能应该可以省掉三个,为什么这么设计?
选项:
A、提高151的带负载能力
B、降低输入电流
C、为更方便的实现逻辑功能
D、提高扇出能力
答案:【降低输入电流】2.单选题:如图电路,描述正确的是
选项:
A、G_L是门控制信号,当G_L有效时候,当DIR有效时,A1到B1单向导通
B、G_L是门控制信号,当G_L=1的时候,无论DIR为何值,B1和A1断开
C、G_L是门控制信号,当G_L=1的时候,当DIR有效时,A1到B1单向导通
D、G_L是门控制信号,当G_L=0的时候,当DIR有效时,B1到A1单向导通
E、G_L是门控制信号,当G_L=1的时候,当DIR有效时,B1到A1单向导通
F、G_L是门控制信号,当G_L=0的时候,A1到B1双向导通
答案:【G_L是门控制信号,当G_L有效时候,当DIR有效时,A1到B1单向导通】3.单选题:如图,此电路的输入端I0_L是低电平有效,输出A2A1A0是高电平有效,AVALID高电平有效,当AVALID有效表示的是?
选项:
A、没有有效的输入,.I7_L到I0_L全部为0
B、有有效的输入,I7_L到I0_L全部为1
C、无法判断
D、有有效的输入,I7_L到I0_L不全部为1
答案:【有有效的输入,I7_L到I0_L不全部为1】4.单选题:当共阴极7段数码管显示2的时候,输出应该为
选项:
A、0000010
B、1101101
C、0010010
D、1111101
答案:【1101101】5.单选题:BCD码译码器如果不允许输入大于9的数值的时候,当输入10时,输出为?
选项:
A、是任意数值,每次会不同
B、是全1
C、是全0
D、是一个数值,这个数值是固定的
答案:【是一个数值,这个数值是固定的】6.单选题:使用74HC138实现逻辑函数F=?(X,Y,Z)(2,4,5),正确的是
选项:
A、Y2,Y4,Y5连或门
B、Y2,Y4,Y5连或非门
C、Y2,Y4,Y5连与门
D、Y2,Y4,Y5连与非门
答案:【Y2,Y4,Y5连与门】7.单选题:以下不正确的名号名称是
选项:
A、ready'
B、ready_l
C、ready(L)
D、/ready
答案:【ready'】8.多选题:如图所示电路论述正确的是
选项:
A、实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1,校验电路是否输入偶数个1,当输入偶数个1时输出P=1
B、实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1,产生了奇校验位,如果连同P一起发送B2B2B1B0P,发送了奇数个1
C、实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0,校验电路是否输入偶数个1,当输入偶数个1时输出P=1
D、实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0,产生了奇校验位,如果连同P一起发送B2B2B1B0P,发送了奇数个1
答案:【实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1,校验电路是否输入偶数个1,当输入偶数个1时输出P=1;实现了P=B3⊕B2⊕B1⊕B0⊕1,产生了奇校验位,如果连同P一起发送B2B2B1B0P,发送了奇数个1】9.多选题:F=?
选项:
A、F=∑xyz(0,3,6,7)
B、F=?xyz(1,2,4,5)
C、F=?xyz(0,3,6,7)
D、F=∑zyx(0,3,6,7)
答案:【F=∑xyz(0,3,6,7);F=?xyz(1,2,4,5)】10.多选题:如图电路实现的逻辑函数是
选项:
A、F=∑(W,X,Y,Z)(0,1,3,7,9,13,14)
B、F=∑(W,X,Y,Z)(0,1,3,7,8,13,14)
C、F=Π(W,X,Y,Z)(2,4,5,6,8,10,11,12,15)
D、F=Π(W,X,Y,Z)(2,4,5,6,9,10,11,12,15)
答案:【F=∑(W,X,Y,Z)(0,1,3,7,9,13,14);F=Π(W,X,Y,Z)(2,4,5,6,8,10,11,12,15)】11.单选题:使用74HC138和一个门器件可以实现逻辑函数F=?(w,X,Y,Z)(4,12,13,14,15)
选项:
A、正确
B、错误
答案:【正确】12.如图电路使用138和缓冲器实现了8选1的(译码器/编码器/数据选择器/数据分配器)?
答案:【数据选择器/多路复用器】13.典型的三态器件,进入高阻态比离开高阻态()
答案:【快】14.如图,如果()有效,说明没有有效的输入
答案:【IDLE】15.当输入为I7_l...I0_l:00100001时,输出为A2A1A0=()
答案:【001】第七章时序逻辑设计原理七单元检测1.单选题:为实现将D触发器转换为T触发器,下图所示电路的虚框内应是()
选项:
A、或非门
B、与非门
C、异或门
D、同或门
答案:【同或门】2.单选题:下面四种触发器中,抗干扰能力最强的是()
选项:
A、D锁存器
B、主从JK触发器
C、边沿D触发器
D、具有使能端的RS锁存器
答案:【边沿D触发器】3.单选题:对于JK触发器,若希望其状态由0转变为1,则所加激励信号是()
选项:
A、JK=0X
B、JK=X0
C、JK=X1
D、JK=1X
答案:【JK=1X】4.单选题:1、要使JK触发器在时钟脉冲作用下,实现输出=,则输入信号应为()
选项:
A、?
B、
C、
D、
答案:【?】5.多选题:以下描述一个逻辑函数的方法中()不能唯一表示
选项:
A、表达式
B、逻辑图
C、真值表
D、波形图
答案:【表达式;逻辑图;波形图】6.多选题:对于D触发器,如果时钟频率为10MHz,输出信号Q的频率可能是()MHz。
选项:
A、10?
B、5
C、2.5
D、20
答案:【5;2.5】期末考试期末考试试卷1.单选题:CMOS电路的动态功耗可表示为
选项:
A、CVf
B、
C、
D、
答案:【】2.单选题:八位多路复用器有几个地址输入线?
选项:
A、1
B、2
C、3
D、8
答案:【3】3.单选题:为一个有101个按键的键盘设计一个配套的二进制编码器,该编码器的输出端子至少应有多少条?
选项:
A、6
B、7
C、4
D、5
答案:【7】4.单选题:输出仅依赖于现态,与外输入无关的状态机称为
选项:
A、移
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