光刻机光刻胶研发工程师岗位招聘考试试卷及答案

光刻机光刻胶研发工程师岗位招聘考试试卷及答案一、填空题（每题1分，共10分）1.光刻胶按曝光后溶解性变化分为正性光刻胶和______光刻胶。答案：负性2.光刻胶核心成分包括树脂、光敏剂、______和添加剂。答案：溶剂3.EUV光刻胶曝光波长约为______纳米。答案：13.54.正性光刻胶曝光区域在显影液中______（填“溶解”或“不溶解”）。答案：溶解5.光刻工艺中显影的目的是______。答案：去除曝光/未曝光的光刻胶区域6.负性光刻胶光敏剂通常引发______反应。答案：交联7.光刻机关键部件包括光源、______、投影物镜和工件台。答案：掩模台8.光刻胶分辨率公式中，NA代表______。答案：数值孔径9.ArF光刻胶通常为______型（化学放大/非化学放大）。答案：化学放大10.光刻胶玻璃化转变温度（Tg）影响其______性能。答案：热稳定性二、单项选择题（每题2分，共20分）1.适用于EUV光刻的光刻胶类型是？A.酚醛树脂系B.化学放大型C.聚甲基丙烯酸甲酯系D.非化学放大型答案：B2.负性光刻胶显影时去除的区域是？A.曝光区域B.未曝光区域C.全部区域D.不确定答案：B3.光刻机NA越大，分辨率______？A.越高B.越低C.不变D.不确定答案：A4.光刻胶光敏剂的主要作用是？A.溶解树脂B.引发光化学反应C.调节粘度D.增强附着力答案：B5.属于深紫外（DUV）光源的是？A.193nmArFB.13.5nmEUVC.436nmg线D.365nmi线答案：A6.正性光刻胶未曝光区域在显影液中______？A.溶解B.不溶解C.部分溶解D.不确定答案：B7.光刻胶附着力促进剂通常添加量为？A.0.1%-1%B.5%-10%C.10%-20%D.20%-30%答案：A8.EUV光刻胶的主要挑战不包括？A.低灵敏度B.高缺陷率C.高TgD.光源功率不足答案：C9.化学放大光刻胶的核心原理是？A.光产酸→酸催化树脂反应B.光直接分解树脂C.光引发交联D.光改变溶解度答案：A10.光刻工艺的正确顺序是？A.涂胶→曝光→显影→烘烤B.涂胶→烘烤→曝光→显影C.曝光→涂胶→烘烤→显影D.烘烤→涂胶→曝光→显影答案：B三、多项选择题（每题2分，共20分，多选/少选不得分）1.光刻胶主要性能指标包括？A.分辨率B.灵敏度C.对比度D.热稳定性答案：ABCD2.光刻机光源类型包括？A.g线（436nm）B.i线（365nm）C.ArF（193nm）D.EUV（13.5nm）答案：ABCD3.正性光刻胶成分通常包括？A.酚醛树脂B.重氮萘醌C.溶剂D.交联剂答案：ABC4.光刻工艺中的烘烤步骤包括？A.软烘B.PEB（曝光后烘烤）C.硬烘D.显影后烘烤答案：ABCD5.化学放大光刻胶的优点包括？A.高灵敏度B.高分辨率C.低缺陷率D.适用于短波长答案：ABD6.光刻胶缺陷类型包括？A.颗粒缺陷B.桥连缺陷C.缺口缺陷D.针孔缺陷答案：ABCD7.光刻机关键技术包括？A.光源技术B.物镜技术C.工件台精度D.掩模技术答案：ABCD8.负性光刻胶的特点包括？A.曝光区域交联B.对比度较低C.分辨率较低D.适用于粗线条答案：ABCD9.影响光刻胶分辨率的因素包括？A.NAB.曝光波长C.烘烤温度D.显影时间答案：ABCD10.光刻胶研发需考虑的环境因素包括？A.湿度B.温度C.洁净度D.光照强度答案：ABCD四、判断题（每题2分，共20分，对/错）1.正性光刻胶分辨率比负性高。（对）答案：对2.EUV光刻不需要掩模。（错）答案：错3.光刻胶溶剂挥发速度影响涂胶均匀性。（对）答案：对4.化学放大光刻胶需PEB步骤。（对）答案：对5.负性光刻胶曝光后溶于显影液。（错）答案：错6.光刻机NA越大，景深越大。（错）答案：错7.光敏剂含量越高，灵敏度越高。（错）答案：错8.ArF光刻胶可用于EUV光刻。（错）答案：错9.软烘目的是去除大部分溶剂。（对）答案：对10.显影时间越长，分辨率越高。（错）答案：错五、简答题（每题5分，共20分）1.简述正性与负性光刻胶的核心区别。答案：正性光刻胶曝光区因光化学反应（如重氮萘醌分解为羧酸）溶解度提升，显影时被去除；负性胶曝光区发生交联反应，溶解度降低，显影时保留。正性胶分辨率更高（>0.35μm）、对比度好，适合先进制程（ArF、EUV）；负性胶灵敏度高、附着力好，但分辨率低（<1μm），适合粗线条传统制程。2.化学放大光刻胶的工作原理是什么？答案：核心是“光产酸-酸催化放大”：曝光时，光敏剂吸收光子产生少量强酸；PEB时，酸催化树脂保护基团（如叔丁酯）脱除，生成极性基团（如羧酸），使溶解度显著变化（正性胶曝光区溶解）。因1个光子产酸可催化多个树脂分子反应，灵敏度比传统胶高10-100倍，适配短波长光刻。3.EUV光刻胶面临的主要挑战？答案：①低灵敏度：EUV光子能量高，光刻胶吸收损耗大，需更高剂量；②高缺陷率：短波长下微小颗粒（<10nm）易导致缺陷；③稳定性差：EUV易引发光刻胶降解；④光源功率不足：量产效率受限；⑤成本高：配方复杂，原料昂贵。4.光刻工艺中软烘的作用？答案：①去除90%以上溶剂，防止显影时胶膜流动；②改善胶膜均匀性，减少厚度差异；③增强与衬底附着力；④稳定胶膜结构，避免后续工艺变形。需严格控制温度（100-120℃）和时间（60-90秒），温度过高易交联分解，过低则溶剂残留过多。六、讨论题（每题5分，共10分）1.如何提高EUV光刻胶的灵敏度？答案：①优化光敏剂：开发EUV吸收截面大的光敏剂（如含高原子序数元素），提升产酸效率；②增强酸催化：设计树脂结构，使保护基团脱除反应更高效；③添加增感剂：加入能传递EUV能量给光敏剂的化合物；④减薄胶膜：降低EUV吸收损耗（需平衡分辨率）。需注意不牺牲分辨率或增加缺陷率。2.如何平衡光刻胶分辨率与灵敏度的矛盾？答案：分辨率高需短波长/高NA