GB/T 44937.3-2025集成电路电磁发射测量第3部分：辐射发射测量表面扫描法

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T449373—2025/IECTS61967-32014

.:

集成电路电磁发射测量

第3部分辐射发射测量表面扫描法

:

Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—

Part3Measurementofradiatedemissions—Surfacescanmethod

:

IECTS61967-32014IDT

(:,)

2025-12-31发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T449373—2025/IECTS61967-32014

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和缩略语

3、………………………1

术语和定义

3.1…………………………1

缩略语

3.2………………2

通用要求

4…………………2

试验条件

5…………………2

通则

5.1…………………2

电源电压

5.2……………2

频率范围

5.3……………2

试验设备

6…………………3

通则

6.1…………………3

屏蔽

6.2…………………3

测量仪器

6.3RF…………………………3

前置放大器

6.4…………………………3

电缆

6.5…………………3

近场探头

6.6……………3

试验布置

7…………………5

通则

7.1…………………5

试验配置

7.2……………5

试验电路板

7.3…………………………6

探头定位系统软件配置

7.4……………6

软件

7.5DUT……………6

试验程序

8…………………6

通则

8.1…………………6

环境条件

8.2……………6

运行检查

8.3……………7

试验技术

8.4……………7

试验报告

9…………………7

通则

9.1…………………7

测量条件

9.2……………8

探头设计和校准

9.3……………………8

测量数据

9.4……………8

Ⅰ

GB/T449373—2025/IECTS61967-32014

.:

后处理

9.5………………8

数据交换

9.6……………8

附录规范性近场探头校准

A()…………9

通则

A.1…………………9

试验设备

A.2…………………………10

校准布置

A.3…………………………11

校准程序

A.4…………………………12

附录资料性单独的电场和磁场探头

B()………………15

概述

B.1…………………15

探头的电特性描述

B.2…………………15

探头的物理描述

B.3……………………15

附录资料性电场和磁场复合探头示例

C()……………17

概述

C.1…………………17

探头的电特性描述

C.2…………………17

探头的物理描述

C.3……………………17

测量和数据采集系统

C.4………………18

附录资料性坐标系

D()…………………20

通则

D.1…………………20

笛卡尔坐标系

D.2………………………20

柱坐标系

D.3……………20

球坐标系

D.4……………21

坐标系的转换

D.5………………………21

参考文献

……………………23

Ⅱ

GB/T449373—2025/IECTS61967-32014

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是集成电路电磁发射测量的第部分已经发布了以下

GB/T44937《》3。GB/T44937

部分

:

第部分通用条件和定义

———1:;

第部分辐射发射测量小室和宽带小室法

———2:TEMTEM;

第部分辐射发射测量表面扫描法

———3:;

第部分传导发射测量直接耦合法

———4:1Ω/150Ω;

第部分传导发射测量工作台法拉第笼法

———5:;

第部分传导发射测量磁场探头法

———6:;

第部分辐射发射测量带状线法

———8:IC。

本文件等同采用集成电路电磁发射测量第部分辐射发射测量表

IECTS61967-3:2014《3:

面扫描法文件类型由的技术规范调整为我国的国家标准

》,IEC。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院北京智芯微电子科技有限公司海研芯青岛微电

:、、()

子有限公司扬芯科技深圳有限公司厦门海诺达科学仪器有限公司中国合格评定国家认可中心

、()、、、

天津先进技术研究院工业和信息化部电子第五研究所浙江大学南京容向测试设备有限公司北京航

、、、、

空航天大学北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司中山大学深圳市中兴微电子技术有限公司

、、、、

河南省电子信息产品质量检验技术研究院江苏省质量和标准化研究院中国信息通信研究院南京师

、、、

范大学中家院北京检测认证有限公司深圳硅山技术有限公司

、()、。

本文件主要起草人崔强龙跃付君阎照文褚瑞方文啸吴建飞杨红波王新才朱赛张学磊

:、、、、、、、、、、、

陈梅双刘佳梁吉明邵伟恒魏兴昌沈学其雷黎丽龙发明谢利涛杨博王紫任颜伟王芳

、、、、、、、、、、、、、

韦寿德

。

Ⅲ

GB/T449373—2025/IECTS61967-32014

.:

引言

为规范集成电路电磁发射测量以及为集成电路制造商和检测机构提供不同的电磁发射测量方

,

法集成电路电磁发射测量规定了集成电路电磁发射测量的通用条件定义和不同测

,GB/T44937《》、

量方法的试验程序和试验要求拟由个部分构成

,9。

第部分通用条件和定义目的在于规定集成电路电磁发射测量的通用条件和定义

———1:。。

第部分通用条件和定义近场扫描数据交换格式目的在于规定近场扫描数据交换

———1-1:。

格式

。

第部分辐射发射测量小室和宽带小室法目的在于规定小室和宽带

———2:TEMTEM。TEM

小室法的试验程序和试验要求

TEM。

第部分辐射发射测量表面扫描法目的在于规定表面扫描法的试验程序和试验要求

———3:。。

第部分传导发射测量直接耦合法目的在于规定直接耦合法的

———4:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω

试验程序和试验要求

。

第部分传导发射测量直接耦合法应用指南目的在于给出直

———4-1:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω

接耦合法应用指导

。

第部分传导发射测量工作台法拉第笼法目的在于规定工作台法拉第笼法的试验程序

———5:。

和试验要求

。

第部分传导发射测量磁场探头法目的在于规定磁场探头法的试验程序和试验要求

———6:。。

第部分辐射发射测量带状线法目的在于规定带状线法的试验程序和试验要求

———8:IC。IC。

Ⅳ

GB/T449373—2025/IECTS61967-32014

.:

集成电路电磁发射测量

第3部分辐射发射测量表面扫描法

:

1范围

本文件描述了评估集成电路表面或附近的近电场近磁场或近电磁场分量的测量方法本测

(IC)、。

量方法旨在用于的架构分析例如平面规划和配电优化本测量方法也适用于测量扫描探头能够靠

IC,。

近的安装在任何电路板上的某些情况下本测量方法不仅能扫描还能扫描的环境为了

、IC。,IC,IC。

对比不同的表面扫描发射宜使用规定的标准试验板

IC,IEC61967-1。

本测量方法提供了上方的电场或磁场的近场发射图测量探头的性能和探头定位系统的精度

IC。

决定了测量的分辨率本方法预期使用的最高频率为使用现有探头技术可以扩展上限频率范

。6GHz。

围但这超出了本文件的范围测量能在频域进行也能在时域进行

,。,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。