芯片热设计优化提升系统稳定性 (培训课件)

芯片热设计优化提升系统稳定性汇报人：***（职务/职称）日期：2026年**月**日芯片热设计基础概念芯片热特性分析热设计优化方法散热技术方案比较热仿真与建模工具电源管理与热优化热测试与验证方法目录系统级热设计考虑先进封装技术热管理热可靠性评估人工智能在热设计中的应用行业案例研究热设计未来发展趋势热设计最佳实践总结目录芯片热设计基础概念01热设计在芯片系统中的重要性性能保障芯片温度每升高10℃，晶体管漏电功耗可能翻倍，直接影响时钟频率和计算性能。合理的热设计可确保芯片在标称频率下稳定运行。可靠性提升高温会加速电迁移效应，导致金属导线出现空洞或晶须生长。通过热设计控制结温在85℃以下，可显著延长芯片寿命。能效优化热设计通过降低芯片工作温度，减少因温度升高带来的静态功耗增加，提升整体能效比（PerformanceperWatt）。系统集成现代2.5D/3D封装中，热设计需协同考虑计算芯片、HBM存储和光模块的温差控制，避免热应力导致的互联失效。热传导、对流和辐射基本原理热传导机制在芯片内部主要通过声子振动传递热量，高导热材料（如金刚石铜复合材料）可提升纵向热导率，其中金刚石热导率可达2000W/mK。01强制对流应用数据中心采用液冷系统时，冷却液（如氟化液）的强制对流换热系数比空气高2-3个数量级，能快速带走高热流密度（>100W/cm²）。辐射散热局限在太空环境中辐射是主要散热方式，但在地面应用中因斯特藩-玻尔兹曼定律限制，辐射散热占比通常不足总热量的5%。界面传热瓶颈芯片与散热器接触面的界面热阻可达整体热阻的30%，需采用液态金属（导热系数>50W/mK）或相变材料降低接触热阻。020304建立从芯片结温（Tj）到封装外壳（Tc）的稳态热阻网络，典型CPU的Ψjc值约0.2-0.5℃/W。通过Foster或Cauer模型描述芯片在脉冲负载下的温度响应，Zth参数对评估间歇性工作负载的温升至关重要。在3DIC中需分别计算硅通孔（TSV）、微凸点、underfill等各层的等效热阻，典型TSV阵列热阻约0.01-0.1cm²·K/W。将芯片热模型与PCB导热、机箱风道设计耦合，通过CFD仿真评估系统级温度场分布，误差需控制在±3℃以内。热阻网络模型分析方法结-壳热阻建模瞬态热阻抗曲线材料分层分析系统级耦合芯片热特性分析02芯片功耗分布与热源定位芯片中90%以上的热量来自晶体管开关动态功耗（P=αCV²f），高频率运算单元（如CPU/GPU核心）及高负载电路模块（如AI加速器）形成明显热点区域，需通过红外热像仪与功耗仿真工具（如PrimePower）精确标定。动态功耗主导热源分布先进制程（7nm以下）下，晶体管漏电流导致的静态功耗占比可达30%，尤其在待机状态下成为主要热源，需通过低功耗设计技术（如电源门控）缓解。静态漏电功耗的隐性影响3DIC中TSV（硅通孔）周围因散热路径受限易形成高温区，需结合有限元分析（FEM）优化垂直散热通道设计。三维堆叠结构的局部热积聚温度不均匀性会引发时钟偏移、信号完整性下降及晶体管阈值电压漂移，需通过热-电耦合仿真量化评估其对系统稳定性的影响。高温区域晶体管开关速度下降，导致关键路径延迟增加10%-15%，可能违反时序约束，需在物理设计中插入温度感知的时序余量。时序违例风险温度梯度超过20℃/mm时，铜互连线电迁移速率呈指数增长，需采用冗余通孔（ViaDoubling）和低电阻率金属材料（如钴）提升可靠性。电迁移加速效应相邻高温单元通过衬底耦合引入噪声，需通过隔离环（GuardRing）和动态电压频率调节（DVFS）抑制干扰。热耦合噪声干扰温度梯度对性能影响分析硅（2.6ppm/℃）与封装材料（如环氧树脂，50ppm/℃）的热膨胀差异会导致界面分层，需引入柔性底部填充胶（Underfill）缓冲应力。焊球（SolderBall）在温度循环中易产生裂纹，建议采用高铅焊料（Pb90Sn10）或铜柱凸块（CuPillar）提升抗疲劳性。材料热膨胀系数失配功率循环（如服务器芯片的启停）导致金属互连线反复伸缩，需通过仿真验证其经受1000次以上循环的耐久性。栅氧介质在高温下击穿电压下降，需采用高κ介质（如HfO₂）并严格控制工艺缺陷密度。热循环引发的失效模式热应力与可靠性关联研究热设计优化方法03材料选择与热导率优化芯片级散热材料（如石墨烯、氮化硼、液态金属）的热导率直接影响热量传递效率，选择热导率超过200W/m·K的材料可显著降低界面热阻，避免局部热点形成。高导热材料的关键作用热界面材料（TIM）需兼顾低厚度（<50μm）与高导热性（>5W/m·K），同时满足与芯片封装基材（如环氧树脂、硅胶）的化学兼容性，防止因热膨胀系数不匹配导致分层失效。界面材料的适配性材料金属杂质含量需低于1ppb，批次间热导率波动应控制在3%以内，确保量产一致性，避免因参数漂移引发散热性能衰减。批次稳定性与纯度控制微通道液冷与均热板应用：在芯片封装内集成微通道液冷结构或均热板（VaporChamber），利用相变原理快速导出热量，适用于热流密度超过100W/cm²的高功耗场景。通过优化芯片内部结构与外部散热路径的协同设计，实现热量高效传导与均匀分布，降低结温（Tj）并提升系统可靠性。热路径拓扑优化：采用仿真工具分析热阻分布，优先缩短高热量区域的传导路径（如通过TSV硅通孔垂直导热），同时增加横向散热面积（如铜质散热盖设计），平衡热流密度。动态热管理策略：结合DVFS（动态电压频率调节）技术，根据芯片负载实时调整功耗分配，避免热区叠加，尤其适用于3D-IC的多层堆叠场景。结构设计与散热路径规划封装材料与热沉设计高导热封装基材（如金刚石复合铜）可将热阻降低30%，但需解决加工难度（如金刚石切割工艺）与成本问题。嵌入式热沉设计通过在封装内预置铜柱或微针阵列，增强芯片与散热器间的热耦合效率，减少界面接触热阻。封装结构与工艺控制采用倒装芯片（Flip-Chip）封装时，需优化凸点（Bump）布局以提升底部散热能力，同时控制焊接空洞率（<5%）避免热传导路径中断。对于2.5D/3D封装，中介层（Interposer）材料选择硅或玻璃（导热系数>100W/m·K），并利用TSV阵列实现层间热量快速传导。封装技术对散热的影响散热技术方案比较04被动散热技术（散热片、热管）1234异形鳍片优化通过优化散热片形状（如波浪形、锯齿状）增加表面积，配合空气自然对流提升散热效率，适用于低功耗场景采用铜-金刚石复合管材或微热管技术，利用毛细作用强化导热性能，导热系数较传统铜管提升30%以上热管材料升级均热板应用大尺寸VC均热板通过内部真空腔体实现相变传热，可覆盖芯片全表面，导热效率较单热管提升2-3倍界面材料改进高导热硅脂/液态金属填充芯片与散热器间隙，降低接触热阻，其中铟基合金界面材料导热系数达50W/m·K主动散热技术（风扇、液冷）风冷系统集成多风扇+热管组合方案通过仿生扇叶设计（如鹰翼结构）平衡风量与噪音，数据中心级风扇转速可达10000RPM以上浸没式液冷将服务器整体浸入氟化液等介电液体，通过沸腾换热实现极致散热，适用于超算等特殊场景，但存在液体维护成本高的问题冷板式液冷金属冷板直接接触芯片表面，冷却液（如乙二醇水溶液）在封闭回路循环，散热能力达500W/cm²，成为数据中心主流方案新型散热技术（相变材料、微通道）利用金刚石5-10倍于铜的导热率制作散热基底，可将局部热点温度降低30℃，目前受限于CVD制备成本台积电验证的芯片内置微通道方案，冷却液直接流经硅片内部，使结温降低20℃以上，突破传统外置散热极限高压雾化冷却液喷射至芯片表面，通过液膜蒸发带走热量，换热系数超10^5W/m²·K，但需解决干涸风险利用帕尔贴效应主动抽热，可实现精准温控，适用于光模块等小尺寸高精度散热场景片上集成水冷金刚石热沉应用微喷雾冷却热电制冷技术热仿真与建模工具05专为电子器件热设计开发的仿真工具，支持从元器件到系统级的热分析，集成智能元件库（如风扇、散热器模型），广泛应用于通信设备、服务器机柜的散热方案验证。常用热仿真软件介绍FloTHERM电子散热专用基于CFD的通用热力仿真软件，支持复杂传热、辐射及相变分析，GPU加速计算能力突出，适用于电子散热、航空航天领域的高精度流体动力学模拟。ANSYSFluent多物理场标杆支持芯片级到系统级的电-热耦合仿真，可直接读取EDA布局数据，实现PCB与IC封装的热分布可视化，显著提升高密度集成电路的设计可靠性。CadenceCelsius电热协同多物理场耦合仿真方法电-热双向耦合通过联合求解电流场与温度场方程，模拟芯片工作时焦耳热对电路性能的反向影响（如电阻率变化），需采用迭代算法保证收敛精度。02040301热-结构应力分析预测温度梯度引发的材料膨胀变形（如封装基板翘曲），需引入热膨胀系数参数，解决热应力导致的焊点断裂风险。流-固共轭传热结合流体散热与固体导热模型，分析散热器翅片表面气流边界层与金属导热的相互作用，典型应用于功率器件散热鳍片优化设计。电磁-热联合仿真针对高频电路中的趋肤效应与介质损耗发热，通过Maxwell方程与热传导方程耦合，优化天线模块的散热与辐射性能平衡。仿真结果验证与校准红外热成像对比使用红外热像仪实测芯片表面温度分布，与仿真云图进行空间一致性校验，典型误差阈值需控制在±5℃以内。流体速度场标定通过粒子图像测速仪（PIV）获取散热风道气流速度分布，校准CFD仿真中的湍流模型参数（如k-ε系数），确保流场预测可靠性。在关键发热元件（如功率MOSFET）处布置热电偶，采集瞬态温升曲线与仿真时序数据对比，调整网格密度提升局部精度。热电偶点温验证电源管理与热优化06电压频率协同调节DVFS技术通过实时监测系统负载，动态调整处理器工作电压和频率，在满足性能需求的前提下实现功耗优化。其核心在于电压与频率的强相关性，降低电压需同步降低频率以保证电路时序稳定。硬件反馈机制现代DVFS系统集成数字温度传感器(DTS)和电流/电压监测电路，通过PECI总线实时反馈芯片状态。硬件级P-State控制可将频率切换延迟从毫秒级降至微秒级，显著提升响应速度。能效优化模型根据CinebenchR23测试数据，每降低0.5GHz频率可带来25-30%的功耗下降，同时性能损失仅8-10%。这种非线性关系使得DVFS在轻负载时能效比提升可达20-25%。动态电压频率调节技术功耗管理与热控制策略多级功率限制现代CPU采用PL1(长时功耗)/PL2(短时功耗)双阈值设计，配合TAU(加速时间)参数形成动态功耗墙。例如AMD锐龙97950X默认PL1=170W，PL2=230W，超过TAU(128秒)后强制回归PL1限制。温度触发保护当核心温度触及TJMax阈值(95-105℃)时，PROCHOT#信号触发降频保护。系统通过PMU启动降频算法，调整V/F曲线降低工作频率，典型场景如i9-13900K在Prime95压力测试下的热保护响应。电流保护机制针对VRVOUT异常或IADC过载情况，系统启动AVXOffset降频或电流限制措施。极端情况下会触发紧急关机，防止硬件损坏。封装级热管理多核处理器引入Package温度综合判断机制，结合Skin温度(笔记本关键参数)实现三维热场调控，避免局部热点导致的性能波动。低功耗设计对热性能改善制程技术优化先进FinFET工艺通过降低漏电流和动态电容，在相同频率下可实现更低的运行电压。例如7nm工艺相比14nm可降低30%功耗，直接减少热密度。通过精细化的时钟门控和电源岛划分，关闭非活跃模块的供电。Intel的C-State分级管理可从C0(活动)延伸至C10(深度休眠)，空闲功耗降低达95%。采用硅通孔(TSV)的3D堆叠设计缩短互连距离，降低寄生电容带来的动态功耗。同时通过垂直方向的热扩散路径优化，改善局部热积聚问题。电源门控技术3DIC集成方案热测试与验证方法07基于物体热辐射原理，通过非接触方式获取芯片表面温度场分布，适用于快速定位热点区域，典型精度可达±0.2°C，需配合50μm微距镜实现微观检测。红外热像仪技术通过芯片内部集成的PN结传感器测量结温，具有-2mV/°C的线性特性，可获取核心区域真实温度，需设计阶段预置传感单元。嵌入式二极管传感利用塞贝克效应直接测量芯片封装表面单点温度，采用K型热电偶时精度达±0.5°C，但布线可能影响散热路径，适用于稳态温度监测。热电偶接触测温利用声波在芯片材料中的传播速度与温度相关性实现非接触测量，适用于特殊封装场景，但需复杂信号处理算法支持。声学测温技术温度测量技术（红外、热电偶）01020304热阻测试标准与流程功率循环测试施加阶梯式功率负载并监测温升曲线，结合结构函数分析法解析热流路径，可识别封装内部缺陷如空洞或分层。瞬态双界面法通过交替使用不同导热系数的界面材料，分离芯片封装内部各层热阻分量，需采用高采样率数据采集系统记录温度响应曲线。JEDECJESD51系列标准定义结到环境(RthJA)与结到外壳(RthJC)热阻测试规范，要求使用校准热电偶和恒温冷板，测试时需控制环境风速与PCB层数。加速老化测试方法温度循环试验按照JESD22-A104标准执行-55°C至150°C极端温度交变，评估焊点与键合线热机械疲劳寿命，通常需完成1000次循环。高温反偏测试在最大额定结温下施加反向偏压，加速栅氧层缺陷导致的失效，需监测漏电流变化率以预测器件可靠性。功率老化试验持续施加80%额定功率使芯片处于热饱和状态，通过参数漂移分析预测使用寿命，通常需持续1000小时以上。湿热高压测试采用85°C/85%RH环境结合偏压，加速金属迁移与腐蚀失效，适用于评估封装密封性与材料耐候性。系统级热设计考虑08PCB布局与热设计关系高发热元件边缘布局将功率芯片、CPU等高发热元件优先布置在PCB边缘区域，可利用自然对流增强散热，典型情况下边缘布局比中心区域散热效率提升20%以上，同时降低散热风扇能耗。01热密度均匀化分布通过分散布置高功耗器件，避免局部区域功率密度超过5W/cm²，可降低散热系统峰值负荷，某案例显示优化后散热风扇功耗降低15%。热敏元件隔离策略温度传感器、晶振等热敏元件需与高发热元件保持最小安全距离（1-3W元件≥5mm，3-5W元件≥8mm），并避免处于热气流下游，防止误触发温控保护。02在QFN/BGA封装裸露焊盘下方布置直径0.3mm、间距2mm的过孔阵列，形成通往内层铜箔的热通道，实测可使芯片结温下降10-15℃。0403散热过孔阵列设计依据CFD仿真结果，将高发热元件布置在风速≥2m/s的区域，低发热元件置于低速区，某服务器主板优化后关键芯片温差缩小8℃。风道流速梯度适配沿气流方向交错排列带散热器的器件，避免上下游遮挡，某电源模块采用此布局使散热器效率提升12%。器件错列布局原则单板器件均匀分布以避免局部空域，某通信设备通过调整器件布局使风阻均匀性改善30%，散热风扇噪音降低5dB。风阻均衡化处理系统散热风道设计环境温度影响分析当环境温度超过40℃时，需对功率器件进行10-15%的功率降额，某工业控制器通过提前降额使高温故障率下降60%。高温工况降额设计在0℃以下环境需配置预热电路，防止电解电容失效，某车载设备增加PTC加热模块后低温启动成功率提升至99.9%。海拔每升高300米需增加3%散热余量，某航空电子设备在3000米海拔环境下通过调整风扇曲线保持稳定运行。低温启动保护机制在潮湿或多尘环境中采用导热硅胶填充散热间隙，某户外设备通过三防处理使MTBF延长至5万小时。湿度与粉尘防护01020403海拔高度补偿先进封装技术热管理093D封装热挑战与解决方案热阻网络优化通过改进TSV（硅通孔）布局和材料选择，降低垂直堆叠芯片间的热阻，提升热量传导效率。微流体冷却技术在3D封装结构中集成微通道液体冷却系统，利用强制对流高效带走局部热点热量。热界面材料升级采用高导热系数的新型纳米复合材料作为芯片层间界面材料，减少接触热阻并增强散热能力。典型TSV铜填充热导率约200-300W/mK，但直径5-10μm的微孔存在表面散射效应，实际有效导热性能降低15%-20%。高热流区域TSV密度需提升至10^5/cm²以上，同时采用交错排列避免热耦合，可将芯片间温差降低8-12°C。TSV作为3D封装的核心互连结构，其热特性直接影响整体散热效能，需平衡电气性能与热管理需求。热导率优化铜与硅的热膨胀系数差异(17ppm/°Cvs2.6ppm/°C)导致温度每升高100°C会产生50-80MPa应力，需采用梯度合金或碳纳米管复合TSV结构。热应力控制布局策略硅通孔(TSV)技术热特性芯片堆叠散热优化微流体冷却集成嵌入式微通道设计：在芯片背面蚀刻50-100μm宽微通道，采用两相冷却剂实现热通量>500W/cm²的散热能力，较传统风冷效率提升5倍。拓扑优化流道：基于计算流体力学(CFD)的仿生分形流道设计，压降减少40%的同时换热系数提高25%，如IBM的"电子血液"冷却系统。热界面材料创新石墨烯基TIM：面内热导率突破1500W/mK，厚度可控制在10μm以内，使界面热阻降至0.05cm²·K/W以下。液态金属应用：镓基合金TIM在80°C时实现自动填充微空隙，接触热阻比传统导热膏低60%，但需解决氧化和电迁移问题。热可靠性评估10热循环失效机理分析材料热膨胀系数失配不同封装材料（如芯片、基板、焊料）在温度循环下因CTE差异产生剪切应力，导致界面分层或焊点开裂，这是电子封装最常见的失效模式之一。高温环境下金属导线中电子动量转移加剧，引起原子定向迁移形成空洞或晶须，最终导致开路或短路失效，该现象在7nm以下制程节点尤为显著。散热膏/导热垫等界面材料在长期热循环中会发生干涸、龟裂或剥离，使热阻上升形成局部热点，进而引发热失控连锁反应。电迁移加速效应热界面材料退化基于塑性应变能密度理论，通过计算焊点每次温度循环中累积的蠕变能量，建立与失效循环次数的指数关系，特别适用于BGA/CSP封装可靠性评估。Darveaux模型结合热-结构耦合仿真与损伤力学算法，可模拟复杂封装结构中各向异性材料的应力分布，实现3D可视化失效路径预测。有限元多物理场耦合引入频率修正因子和平均应力效应，能更准确预测高低温驻留时间不等工况下的疲劳寿命，广泛应用于汽车电子热循环测试。Coffin-Manson修正方程010302热疲劳寿命预测模型通过阿伦尼乌斯方程关联温度应力与失效时间，结合Hallberg-Peck模型处理湿度影响，为加速老化试验提供理论依据。加速因子计算模型04可靠性测试标准与方法标准化的温度循环测试规范，规定-55℃~125℃等典型温变范围及转换速率，用于评估封装结构抗热机械疲劳能力。JEDECJESD22-A104军用级可靠性测试流程，包含极端温度冲击（液氮至沸水快速转换）和长时间高温存储等严苛验证项目。MIL-STD-883Method1012定义板级互连的热循环测试方法，通过监测菊花链电阻变化判定失效，为PCB组装工艺提供质量基准。IPC-9701焊点可靠性标准人工智能在热设计中的应用11机器学习辅助热优化动态负载适配基于在线学习实时调整芯片工作频率与散热策略的映射关系，在AI推理任务突发性负载下实现毫秒级散热响应，避免性能降频。材料特性优化利用强化学习探索复合材料（如金刚石-铜合金）的微观结构参数与导热系数的非线性关系，生成传统实验难以发现的高效散热材料配比方案。热流预测建模通过监督学习算法（如随机森林、神经网络）分析芯片历史温度数据与功耗曲线，建立高精度热流分布预测模型，可提前识别热点区域并优化散热布局。感谢您下载平台上提供的PPT作品，为了您和以及原创作者的利益，请勿复制、传播、销售，否则将承担法律责任！将对作品进行维权，按照传播下载次数进行十倍的索取赔偿！智能温控算法实现多目标协同控制融合PID控制与深度学习，同时优化风扇转速、液冷泵速和相变材料触发阈值，在保证芯片结温<85℃的前提下降低系统能耗15%以上。环境自适应策略集成气象数据与机房PUE指标，构建强化学习框架动态调整冷却塔运行模式，使数据中心年均WUE降低0.2L/kWh。非均匀温度场平衡采用图神经网络处理多芯片集群的热耦合效应，通过分布式算法协调各节点散热资源分配，将温度梯度控制在5℃/cm²以内。故障预测性维护通过时序异常检测模型（如LSTM）分析散热系统传感器数据流，提前3-6小时预测液冷管路堵塞或泵体失效风险，准确率达92%。数字孪生在热管理中的应用全生命周期仿真建立包含封装结构、TIM材料和散热器的三维数字孪生体，通过多物理场耦合仿真验证液冷方案在10年老化周期内的可靠性衰减曲线。在数字孪生平台上快速验证浸没式与冷板式液冷的性价比，量化评估流速、压降对HPC芯片性能的影响，缩短方案决策周期60%。采用5G+边缘计算实现物理系统与数字模型的毫秒级数据同步，当GPU集群温度波动超过±3℃时自动触发散热策略迭代优化。虚拟A/B测试实时动态映射行业案例研究12高性能计算芯片热设计案例4热管均温技术3微通道散热器设计2浸没式液冷系统1钻石铜复合散热技术采用真空密封热管将芯片热量快速传导至远端散热鳍片，热阻降低40%，避免传统风冷方案的热堆积效应。通过介电液体直接接触芯片表面进行热交换，可处理2300W以上功耗的GPU散热需求，实现芯片持续满负荷运行不降频。在芯片封装内部集成微米级冷却通道，利用相变冷却原理，单位面积散热能力提升3倍，特别适合多Die堆叠的3DIC结构。采用金刚石与铜复合材料作为散热介质，热导率高达950W/(m·K)，有效解决HPC芯片局部热点问题，相比传统铜散热方案温度降低60%以上。移动设备热管理解决方案石墨烯散热膜应用超薄石墨烯材料(厚度0.1mm)用于SoC与外壳间的热传导，面内热导率达1500W/(m·K)，实现无风扇被动散热。动态频率调节算法基于实时温度传感器的AI预测模型，提前调整CPU/GPU频率，预防热节流发生，保持用户体验一致性。相变材料(PCM)缓冲在芯片周围布置石蜡基相变材料，吸收瞬时高热负载，将温度波动控制在±5℃内，延长性能爆发持续时间。汽车电子热设计挑战针对发动机舱安装的ECU，开发抗震散热结构，如弹簧压接散热片，确保长期振动下接触热阻不恶化。要求电子元件在-40℃至125℃环境温度下稳定工作，需采用陶瓷基板与高温焊料等特殊材料。车载娱乐系统在仪表盘密闭空间内，采用热管+均温板组合方案，使SoC温度梯度控制在15℃以内。集成温度传感器网络与机器学习算法，预测散热系统性能衰减，提前预警可能的过热故障点。宽温域可靠性设计振动环境散热优化密闭空间均热设计智能预测维护系统热设计未来发展趋势13新材料在散热中的应用前景凭借2000-2500W/(m.K)的超高热导率（铜的4倍）和与芯片材料匹配的热膨胀系数，成为高功率器件封装首选，宁波材料所已突破4英寸超薄金刚石薄膜制备技术，翘曲度控制在10μm以内。金刚石热沉材料导热性能较传统材料提升5-6倍，可有效降低芯片结温，但需解决热膨胀系数匹配问题，目前主要应用于高端服务器和AI芯片散热场景。铟基合金界面材料通过石墨烯/金属基体复合实现定向导热，相变潜热值达200J/g以上，在瞬态热冲击场景（如5G基站射频模块）中表现优异。纳米复合相变材料3D芯片堆叠微流道硅-金刚石混合衬底台积电验证的片上集成水冷方案，直接在芯片内部嵌入微米级流道，使结温降低18-25℃，适用于HBM高带宽存储器与逻辑芯片的异构集成。通过晶圆级键合工艺将金刚石热沉与硅基芯片结合，热阻降低40%，黄河旋风已量产6-8英寸多晶金刚石晶圆，成本较进口产品低30%。异质集成热管理技术相变-液冷混合系统冷板式液冷与相变材料协同工作，在数据中心场景中实现PUE