2025年电子技术专业技术试题带答案

2025年电子技术专业技术试题带答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1.某场效应管的输出特性曲线中，当uGS=0V时存在导电沟道，且uGS为负时沟道变窄，该管类型为（）A.N沟道增强型MOSFETB.P沟道增强型MOSFETC.N沟道耗尽型MOSFETD.P沟道耗尽型MOSFET2.差分放大电路中，共模抑制比KCMR的定义是（）A.差模电压增益与共模电压增益的比值B.共模电压增益与差模电压增益的比值C.差模输入电阻与共模输入电阻的比值D.共模输出电阻与差模输出电阻的比值3.某放大电路的幅频特性中，上限截止频率fH=10MHz，下限截止频率fL=100Hz，当输入信号频率为5MHz时，输出信号与输入信号的相位差为（）A.-45°B.-90°C.-135°D.-180°4.若要设计一个能存储8位二进制数的寄存器，至少需要（）个触发器A.2B.4C.8D.165.开关电源与线性电源相比，主要优点是（）A.电路结构简单B.输出纹波小C.效率高D.稳压精度高6.某ADC的分辨率为12位，参考电压为5V，其最小量化单位为（）A.1.22mVB.2.44mVC.4.88mVD.9.76mV7.组合逻辑电路中，竞争冒险现象是由于（）引起的A.电路存在反馈B.输入信号同时变化C.门电路延迟时间差异D.电源电压波动8.正弦波振荡电路中，若反馈系数F=0.1，且要求起振时满足起振条件，则开环电压增益Av需（）A.大于10B.等于10C.小于10D.任意值9.某TTL与非门的关门电平UOFF=0.8V，开门电平UON=1.8V，当输入低电平为0.5V、高电平为3.5V时，其低电平噪声容限UNL为（）A.0.3VB.0.5VC.1.7VD.2.7V10.若要将三角波信号转换为方波信号，应选用（）A.积分电路B.微分电路C.滞回比较器D.低通滤波器二、填空题（每空1分，共20分）1.PN结外加正向电压时，空间电荷区变______，多子的扩散运动______漂移运动。2.共射极放大电路中，若静态工作点设置过低，易产生______失真；设置过高则易产生______失真。3.集成运放的输入级通常采用______电路，以抑制温漂；输出级通常采用______电路，以提高带负载能力。4.逻辑函数F=AB+AC的最小与或表达式为______，其反函数F̄=______。5.555定时器构成单稳态触发器时，触发脉冲宽度应______（填“大于”或“小于”）暂态时间；构成施密特触发器时，其回差电压ΔUTH=______。6.串联型稳压电源中，调整管工作在______区；开关型稳压电源中，调整管工作在______区。7.某二进制计数器的状态转换为000→001→010→011→100→101→110→111→000，该计数器为______进制计数器，模值为______。8.场效应管的跨导gm表示______对漏极电流的控制能力，其单位为______。9.数字系统中，BCD码是用______位二进制数表示1位十进制数，8421BCD码中1001表示的十进制数是______。10.放大电路中引入电压并联负反馈后，输入电阻______（填“增大”或“减小”），输出电阻______（填“增大”或“减小”）。三、简答题（每题6分，共30分）1.比较双极型晶体管（BJT）与场效应管（MOSFET）的主要区别（至少列出4点）。2.简述负反馈对放大电路性能的影响（至少列出4点）。3.说明555定时器构成多谐振荡器的工作原理，并画出其典型电路及电容电压波形图。4.分析数字系统中“竞争冒险”的产生原因及常用消除方法（至少列出3种）。5.简述开关电源的基本组成及各部分功能（至少包括4个部分）。四、分析计算题（共30分）1.（8分）图1所示为长尾式差分放大电路，已知VCC=VEE=12V，RB=1kΩ，RE=10kΩ，RC=5kΩ，β=100，rbe=2kΩ，UBEQ=0.7V。（1）计算静态工作点ICQ、UCEQ；（2）计算差模电压增益Ad、共模电压增益Ac及共模抑制比KCMR（设共模输入时RE=2RE）。2.（7分）图2所示为组合逻辑电路，试分析其逻辑功能：（1）写出输出F的逻辑表达式；（2）列出真值表；（3）说明该电路实现的逻辑功能。3.（8分）设计一个输出电压为+12V、最大输出电流为1A的直流稳压电源，要求：（1）画出完整电路框图（包括变压器、整流、滤波、稳压环节）；（2）计算变压器次级电压有效值U2；（3）选择整流二极管的最大整流电流IF和最高反向工作电压UR（设滤波电容足够大，输出纹波可忽略）；（4）计算滤波电容C的最小值（取电网频率f=50Hz，允许纹波系数γ≤5%）。4.（7分）图3所示为同步时序逻辑电路，试分析其逻辑功能：（1）写出各触发器的驱动方程、状态方程；（2）列出状态转换表；（3）画出状态转换图；（4）说明该电路是几进制计数器，是否具有自启动能力。答案一、单项选择题1.C2.A3.B4.C5.C6.A7.C8.A9.A10.C二、填空题1.窄；强于2.截止；饱和3.差分放大；互补对称功率放大4.A(B+C)；Ā+B̄C̄5.小于；UTH+UTH-（或具体表达式，如VCC/3）6.放大；开关（饱和与截止）7.八；88.栅源电压；西门子（S）9.4；910.减小；减小三、简答题1.（1）载流子类型：BJT为双极型（电子和空穴），MOSFET为单极型（仅多子）；（2）控制方式：BJT为电流控制，MOSFET为电压控制；（3）输入电阻：BJT输入电阻较低（约1kΩ），MOSFET输入电阻极高（>10^9Ω）；（4）温度稳定性：MOSFET温漂更小；（5）噪声：BJT噪声较大，MOSFET噪声较低（任意4点即可）。2.（1）稳定放大倍数；（2）减小非线性失真；（3）展宽通频带；（4）改变输入/输出电阻（电压负反馈减小输出电阻，电流负反馈增大输出电阻；串联负反馈增大输入电阻，并联负反馈减小输入电阻）；（5）抑制环内噪声和干扰（任意4点即可）。3.工作原理：555定时器的2脚（触发端）和6脚（阈值端）短接，外接RC充放电回路。通电后，电容C充电至2VCC/3时，内部比较器翻转，放电管导通，C通过R2放电至VCC/3，放电管截止，C再次充电，形成振荡。典型电路：电源VCC接8脚和4脚，1脚接地，2、6脚接RC回路（R1、R2串联，C接R2与地之间，放电端7脚接R1、R2节点）。电容电压波形：从VCC/3充电至2VCC/3（时间t1≈0.7(R1+R2)C），再放电至VCC/3（时间t2≈0.7R2C），周期T=t1+t2。4.原因：门电路的传输延迟导致同一信号经不同路径到达同一门的输入端时出现时间差（竞争），可能引起输出端产生尖峰脉冲（冒险）。消除方法：（1）引入选通脉冲，在输出稳定时选通；（2）增加冗余项，消除逻辑冒险；（3）输出端并联小电容，滤除尖峰；（4）修改逻辑设计，避免互补变量同时变化（任意3点即可）。5.基本组成及功能：（1）输入整流滤波：将交流电转换为平滑直流电；（2）开关变换器：通过调整管的高频开关动作（导通/截止），将直流电压转换为高频脉冲电压；（3）高频变压器：实现电压变换和电气隔离；（4）输出整流滤波：将高频脉冲电压整流滤波为稳定直流电压；（5）控制电路：检测输出电压，调整开关管占空比以稳定输出（任意4部分即可）。四、分析计算题1.（1）静态分析：IEQ≈(VEEUBEQ)/(2RE)=(12-0.7)/(2×10)=0.565mAICQ≈IEQ/2=0.2825mA（注：长尾式差分电路中，单管IEQ=总电流/2）UCEQ=VCCICQ×RC+UBEQ（或VCCICQ×RC(-VEE)+UBEQ？需修正）正确计算：单管集电极电位UC=VCCICQ×RC=120.2825×5≈10.59V发射极电位UE=-UBE=-0.7V（因VEE通过RE提供偏置，UE=(IEQ×REVEE)？需重新推导）正确方法：差分电路公共发射极电流IEE=(VEEUBEQ)/RE=(12-0.7)/10=1.13mA，单管IEQ=IEE/2=0.565mA，ICQ≈IEQ=0.565mA（BJT放大时IC≈IE）UC=VCCICQ×RC=120.565×5=12-2.825=9.175VUE=-UBE=-0.7V（因基极通过RB接地，UB=0，故UE=UBUBE=-0.7V）UCEQ=UCUE=9.175(-0.7)=9.875V（2）差模增益Ad=-β(RC∥RL)/(2(rbe+RB))（假设RL开路，RL→∞）Ad=-100×5/(2×(2+1))=-100×5/6≈-83.33共模增益Ac=-β(RC)/(rbe+RB+2(1+β)RE)（因共模时RE等效为2RE）Ac≈-100×5/(2+1+2×101×10)≈-500/(2023)≈-0.247KCMR=|Ad/Ac|≈83.33/0.247≈3372.（1）逻辑表达式：F=ĀBC+AĀBC（注：图中可能为F=ĀBC̄+AB̄C̄+ABC+ĀB̄C̄，需根据实际电路修正，假设电路为三个输入A、B、C，经与非门组合）正确分析（假设电路为：F=((ĀB)(AĀ)(BC))̄，实际应为具体门电路连接，此处假设为F=A⊕B⊕C）：F=ĀB̄C+ĀBC̄+AB̄C̄+ABC（异或逻辑）（2）真值表：ABC|F000|0001|1010|1011|0100|1101|0110|0111|1（3）功能：三位奇偶校验器（当输入中有奇数个1时输出1，否则输出0）。3.（1）电路框图：变压器→桥式整流→电容滤波→三端稳压器（如7812）→输出。（2）变压器次级电压U2：三端稳压器输入电压UI需满足UI≥UO+2V（7812的最小压差约2V），滤波后电压UO(滤波)=1.2U2（电容滤波时），故1.2U2≥12+2→U2≥14/1.2≈11.67V，取U2=12V。（3）整流二极管参数：最大整流电流IF≥IOmax/2=1/2=0.5A（桥式整流中每只二极管导通半周）；最高反向电压UR≥√2U2=1.414×12≈16.97V，取UR=25V。（4）滤波电容C：纹波电压ΔUO≤5%×12=0.6V，放电时间常数RC≥(T/2)（T=1/50=0.02s，半周期0.01s），ΔUO=(IO×T)/(2C)≤0.6→C≥(IO×T)/(2×ΔUO)=(1×0.02)/(2×0.6)=0.0167F=16700μF，取C=22000μF/25V。4.（1）驱动方程：J1=K1=1；J2=K2=Q1；J3=K3=Q1Q2状态方程：Q