CMP 抛光工艺辅助技师考试试卷及答案

CMP抛光工艺辅助技师考试试卷及答案CMP抛光工艺辅助技师考试试卷及答案一、填空题（10题，每题1分）1.CMP的中文全称是________。2.常用抛光垫材质主要有聚氨酯和________。3.抛光浆料核心组成包括研磨颗粒、化学试剂和________。4.抛光压力常用单位是________（psi/kPa）。5.CMP终点检测常用方法是________检测（光学/电学）。6.硅晶圆抛光主要研磨颗粒是________。7.抛光垫修整器作用是恢复垫的________和平整度。8.晶圆抛光前固定方式通常是________（真空/蜡粘）。9.抛光后清洗第一步是________。10.CMP工艺分为氧化层、金属层和________抛光三类。二、单项选择题（10题，每题2分）1.铜互连层CMP常用研磨颗粒是？A.SiO₂B.Al₂O₃C.CeO₂D.ZrO₂答案：C2.抛光垫修整不包括的目的是？A.去碎屑B.恢复平整度C.降低速率D.保孔隙率答案：C3.抛光头运动方式通常是？A.仅旋转B.旋转+摆动C.仅摆动D.直线答案：B4.不属于抛光后晶圆主要污染物的是？A.研磨颗粒B.金属离子C.光刻胶D.浆料有机物答案：C5.抛光压力增大，速率通常？A.线性增加B.先增后减C.不变D.减小答案：A6.SiO₂氧化层CMP常用化学试剂是？A.KOHB.H₂O₂C.HFD.H₂SO₄答案：A7.抛光垫硬度与哪种性能正相关？A.速率B.粗糙度C.平整度D.寿命答案：A8.基于反射率变化的终点检测是？A.光学B.电学C.声学D.热学答案：A9.浆料流量不足会导致？A.速率下降B.腐蚀C.颗粒团聚D.垫磨损快答案：A10.金属层CMP需去除的主要金属离子是？A.FeB.CuC.AlD.Ti答案：B三、多项选择题（10题，每题2分）1.CMP关键参数包括？A.压力B.转速C.浆料流量D.垫温度答案：ABCD2.抛光垫性能指标包括？A.硬度B.孔隙率C.平整度D.亲水性答案：ABCD3.浆料作用包括？A.化学腐蚀B.机械研磨C.冷却D.润滑答案：ABCD4.抛光后清洗步骤包括？A.去离子水冲洗B.化学清洗C.干燥D.超声清洗答案：ABCD5.CMP应用领域包括？A.半导体B.光学元件C.硬盘磁头D.金属表面处理答案：ABCD6.抛光垫修整器类型包括？A.金刚石B.陶瓷C.金属D.树脂答案：AB7.影响速率的因素包括？A.颗粒浓度B.化学试剂浓度C.压力D.时间答案：ABC8.晶圆CMP前准备包括？A.清洗B.定位C.头校准D.浆料预热答案：ABCD9.金属层CMP络合剂作用是？A.去氧化层B.防离子沉积C.提速率D.降粗糙度答案：BD10.光学元件CMP要求包括？A.低粗糙度B.高平整度C.无划痕D.低缺陷答案：ABCD四、判断题（10题，每题2分）1.CMP是纯机械过程，无化学反应。（×）2.抛光垫硬度越高，速率越快。（√）3.颗粒粒径越小，粗糙度越低。（√）4.压力越大，缺陷越少。（×）5.修整频率越高，效果越好。（×）6.金属层CMP需氧化剂生成氧化层。（√）7.去离子水冲洗是唯一清洗步骤。（×）8.CMP可实现全局平坦化。（√）9.颗粒团聚不影响抛光效果。（×）10.垫温度对速率无影响。（×）五、简答题（4题，每题5分）1.简述CMP基本原理。答案：CMP是化学腐蚀与机械研磨协同作用。晶圆与旋转抛光垫接触，浆料化学试剂与晶圆表面反应生成软质易去除层；抛光垫机械摩擦去除该层，新表面继续反应，最终实现全局平坦化。核心是平衡两者速率，避免腐蚀或损伤。2.抛光垫修整的目的？答案：①去除碎屑/残留浆料，恢复孔隙率；②修复磨损，保持平整度；③更新垫表面活性，稳定速率；④减少晶圆划痕，提高质量。3.抛光后清洗的必要性？答案：残留研磨颗粒、金属离子等会导致后续工艺缺陷（短路/开路）、器件性能下降（漏电流大）、良率降低。清洗需保证表面洁净符合工艺要求。4.影响CMP速率的主要因素？答案：①工艺参数：压力、转速、浆料流量；②浆料：颗粒浓度、化学试剂浓度、粒径；③垫性能：硬度、孔隙率。六、讨论题（2题，每题5分）1.讨论化学与机械作用平衡对抛光质量的影响。答案：化学作用生成软层，机械作用去除该层，平衡是关键。化学过强：软层厚，残留腐蚀坑/离子；机械过强：直接研磨，划痕多/粗糙度高。需匹配晶圆材料（如硅用碱性试剂+SiO₂，铜用H₂O₂+CeO₂），使两者速率一致，获得平坦低缺陷表面。2.讨论抛光垫选择依据及注意事项。答案：依据：①晶圆材料（硅氧化层选软聚氨酯，金属选硬PEE