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文档简介
半导体清洗工艺工程师考试试卷及答案一、填空题(每题1分,共10分)1.半导体清洗经典配方“SC-1”由氨水、过氧化氢和______组成。2.清洗核心目标之一是去除表面______污染(金属离子、有机物等)。3.高端芯片常用______干燥避免水痕残留。4.干法清洗中,______等离子体常用于去除光刻胶。5.先进工艺要求表面颗粒尺寸小于______μm。6.RCA清洗包含SC-1、SC-2和______处理。7.______污染会导致芯片漏电。8.干法清洗可避免______残留(相对湿法)。9.去离子水电阻率需大于______MΩ·cm。10.清洗按机制分为湿法和______清洗。二、单项选择题(每题2分,共20分)1.去除金属离子的主要化学品是?A.氨水B.盐酸C.过氧化氢D.异丙醇2.14nm以下工艺优先用哪种干燥?A.氮气吹干B.旋转干燥C.IPA气相干燥D.自然晾干3.干法清洗中,去除氧化层用______等离子体?A.O₂B.CF₄C.ArD.N₂4.SC-2配方主要成分是?A.氨水+双氧水+水B.盐酸+双氧水+水C.氢氟酸+双氧水+水D.硫酸+双氧水+水5.颗粒污染来源不包括?A.化学品引入B.设备脱落C.大气灰尘D.芯片本身6.优先用干法清洗的场景是?A.大量颗粒去除B.小尺寸结构C.低成本需求D.批量生产7.去离子水主要作用是?A.去有机物B.去金属离子C.冲洗残留D.去氧化层8.清洗质量指标不包括?A.颗粒数B.金属浓度C.表面粗糙度D.芯片产量9.属于物理干法清洗的是?A.等离子体清洗B.离子束清洗C.紫外臭氧清洗D.化学气相清洗10.易产生水痕的干燥方法是?A.旋转干燥B.IPA气相干燥C.氮气吹干D.真空干燥三、多项选择题(每题2分,共20分)1.半导体表面常见污染类型有?A.颗粒B.金属离子C.有机物D.氧化层2.湿法清洗优点包括?A.去除能力强B.设备成本低C.批量适配D.无化学品残留3.干法清洗常见类型有?A.等离子体清洗B.离子束清洗C.紫外臭氧清洗D.RCA清洗4.颗粒污染控制措施有?A.化学品过滤B.超净环境C.优化干燥D.延长清洗时间5.SC-1配方作用是?A.去有机物B.去颗粒C.去金属离子D.去氧化层6.清洗主要目标包括?A.去杂质B.保护结构C.提高良率D.降低成本7.IPA在清洗中的应用是?A.干燥B.去有机物C.冲洗D.去金属离子8.等离子体清洗优点是?A.各向异性B.无湿法残留C.小尺寸适配D.成本低9.金属离子检测方法有?A.ICP-MSB.SEMC.AFMD.TXRF10.适合湿法清洗的场景是?A.大量颗粒去除B.大面积芯片C.低成本需求D.3nm以下工艺四、判断题(每题2分,共20分)1.所有清洗都必须用去离子水。(×)2.干法可完全替代湿法清洗。(×)3.SC-1主要去金属离子污染。(×)4.IPA气相干燥避免水痕。(√)5.清洗时间越长效果越好。(×)6.氧等离子体去除光刻胶。(√)7.清洗良率与杂质含量直接相关。(√)8.湿法设备比干法简单。(√)9.颗粒越小对性能影响越小。(×)10.DHF主要去除氧化层。(√)五、简答题(每题5分,共20分)1.简述湿法清洗基本流程。答案:湿法清洗核心流程为:①预处理(预冲洗去浮尘);②化学品清洗(SC-1去有机物/颗粒、SC-2去金属离子、DHF去氧化层);③去离子水多次冲洗(除残留化学品);④干燥(IPA气相干燥防痕)。部分工艺加兆声波辅助,需控制温度、时间及超净环境,避免损伤芯片。2.干法清洗常见类型及应用。答案:干法类型:①等离子体清洗(O₂去光刻胶、CF₄去氧化层);②离子束清洗(物理轰击去颗粒,适配小尺寸);③紫外臭氧清洗(分解有机物,低损伤)。应用场景:小尺寸结构、光刻胶残留、高灵敏度芯片(如7nm以下)。3.颗粒污染控制方法。答案:①前处理:化学品/去离子水0.02μm过滤;②工艺:兆声波辅助(增强颗粒脱离)、IPA气相干燥(防再附着);③环境:Class1-10超净间;④设备:定期维护内壁防脱落;⑤监控:在线颗粒计数器实时调整。4.清洗目标及意义。答案:目标:去颗粒、金属离子、有机物等杂质,保护芯片结构。意义:①提高良率(杂质致短路/漏电);②保障性能(金属离子降低可靠性);③适配先进工艺(小尺寸对杂质敏感);④提升封装质量(清洁表面利于焊接)。六、讨论题(每题5分,共10分)1.如何平衡清洗效率与芯片性能?答案:①参数优化:控制SC-1温度(避免硅损伤)、兆声波功率(防结构破坏);②技术选型:小尺寸用干法(低损伤),批量用湿法(高效),干湿结合(如干法去残留+湿法去颗粒);③智能监控:AI动态调整参数,实时平衡效率与损伤;④绿色配方:开发无氨/无氟化学品,减少损伤。2.干湿清洗适用场景对比及未来趋势。答案:对比:湿法适配批量大尺寸、低成本;干法适配小尺寸、低损伤。趋势:①干湿结合普及;②新型干法(原子层清洗,精准去单原子杂质);③绿色湿法(减少有害化学品);④智能监控(AI优化工艺)。3nm以下节点依赖干法与智能清洗。答案汇总一、1.去离子水2.杂质3.IPA气相4.氧5.0.16.稀释氢氟酸(DHF)7.金属离子8.化学品9.1810.干法二、1.B2.C3.
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