存储行业深度跟踪报告：26全年预计供给偏紧状态持续产业链公司整体展望乐观

正文目录一、需求端：AI推理构建多级存储架构，数据中心引领ZB级扩容 71、中长期存储需求CAGR增速约20%，服务器市场占比逐步提升 72、AI推理三层存储架构需求激增，NAND在数据中心重要性日益凸显 9二、供给端：2026年新增供应有限，位元出货量预计增长20% 131、2025年存储始终处于供需紧平衡状态，2026年存储位元出货量预计增长约20% 132、2026年原厂资本开支增长明显，供应短缺将持续至2027年 14三、库存端：原厂库存紧张贯穿2026全年，中下游战略备货蓄力业绩高增 171、原厂：2025年库存持续下滑，服务器存储库存紧张将贯穿2026全年 172、台厂：DOI逐季改善，模组厂加大备货力度以支撑客户2026年需求 183、大陆：利基与模组厂积极备货创历史新高，支撑2026营收与利润增长 19四、价格端：成倍增长确立超级周期，结构性紧缺支撑合约价加速上行 211、价格指数：2025下半年开始加速向上已涨多倍，目前趋势仍未放缓 212、现货价格：采购成本已传导至成品端抑制部分消费领域需求，渠道产品货期有所拉长 223、合约价格：服务器需求旺盛拉动DRAM与NAND上涨，手机、PC受供需缺口拉大26Q1价格大涨 25五、销售端：2025下半年各家业绩显著增长，供需缺口持续2026年展望乐观 281、原厂：25Q4营收与利润均创新高，AI需求旺盛但2026年新增产能有限 282、台厂：利基加大扩产填补大厂空缺，模组业绩或将在25Q4及2026年提升更显著 323、大陆：25Q4利基与模组盈利能力提升明显，存储价格持续2026年业绩增速更快 38六、投资建议：建议关注海外存储/国内原厂/模组/利基和上游产业链公司 43图表目录图1：存储行业市场规模（亿美元） 7图2：数据中心加速存储需求 8图3：DRAM季度需求情况（Eb） 8图4：NAND季度需求情况（EB） 8图5：DRAM需求预测及同比（按下游） 9图6：NAND需求预测及同比（按下游） 9图：从GPU内存（1）到共享存储（，KV缓存存层级结构 图8：Transformer模型中的自注意力机制工作流 10图9：大模型生成图片到视频需要的内存成倍增长 图10：英伟达重设存储架构 图英伟达Rubin平台新增存储机柜 图12：Engram架构 12图13：DRAM季度位元出货占比（按下游） 14图14：NAND季度位元出货占比（按下游） 14图15：DRAM月度供给充足率 14图16：NAND月度供给充足率 14图17：四大原厂季度库存情况（亿美元） 17图18：四大原厂季度库存周转天数 17图19：海外主要Flash/HDD厂季度库存情况（亿美元） 18图20：海外主要Flash/HDD季度库存周转天数 18图21：台股存储模组厂季度库存情况（亿美元） 18图22：台股存储模组厂季度库存周转天数 18图23：台股利基型存储厂季度库存情况（亿美元） 19图24：台股利基型存储厂季度库存周转天数 19图25：大陆存储模组厂季度库存情况（亿元） 19图26：大陆存储模组厂季度库存周转天数 19图27：大陆利基型存储厂季度库存情况（亿元） 20图28：大陆利基型存储厂季度库存周转天数 20图29：DXI指数 21图30：DRAM与NAND价格指数 22图31：主流DRAM现货价格（日度，美元） 22图32：其他DRAM现货价格（日度，美元） 23图33：NAND现货价格（周度，美元） 23图34：各存储产品周度价格情况（美元） 24图35：各厂商产品渠道价格与货期变化情况 25图36：25Q4-26Q1存储器价格预测 25图37：DRAM合约价（月度，美元） 26图38：NAND合约价（月度，美元） 27图39：DRAM与NANDFlash产值预估（亿美元） 28图40：四大存储原厂营收（亿美元）及累计同比情况 30图41：存储原厂季度毛利率情况 30图42：存储原厂季度净利率情况 30图43：海力士季度营收占比拆分 31图44：美光季度营收占比拆分 31图45：海外NAND/HDD厂季度营收及累计同比情况（亿美元） 32图46：海外NAND/HDD厂毛利率情况 32图47：海外NAND/HDD厂净利率情况 32图48：华邦季度营收及同比情况（亿美元） 33图49：旺宏季度营收及同比情况（亿美元） 33图50：晶豪科季度营收及同比情况（亿美元） 33图51：钰创季度营收及同比情况（亿美元） 33图52：台股利基型存储厂商毛利率情况 34图53：台股利基型存储厂商净利率情况 34图54：华邦月度营收及同比（亿新台币） 34图55：旺宏月度营收及同比（亿新台币） 34图56：晶豪科月度营收及同比（亿新台币） 35图57：钰创月度营收及同比（亿新台币） 35图58：群联电子季度营收及同比情况（亿美元） 36图59：创见信息季度营收及同比情况（亿美元） 36图60：威刚季度营收及同比情况（亿美元） 36图61：十铨季度营收及同比情况（亿美元） 36图62：台股模组厂毛利率对比 36图63：台股模组厂净利率对比 36图64：群联电子月度营收及同比（亿新台币） 37图65：创见信息月度营收及同比（亿新台币） 37图66：威刚月度营收及同比（亿新台币） 37图67：十铨月度营收及同比（亿新台币） 37图68：兆易创新季度营收及同比情况（亿元） 39图69：兆易创新季度归母净利润情况（亿元） 39图70：普冉股份季度营收及同比情况（亿元） 39图71：普冉股份归母净利润情况（亿元） 39图72：东芯股份季度营收及同比情况（亿元） 39图73：东芯股份归母净利润情况（亿元） 39图74：北京君正季度营收及同比情况（亿元） 40图75：北京君正归母净利润情况（亿元） 40图76：聚辰股份季度营收及同比情况（亿元） 40图77：聚辰股份归母净利润情况（亿元） 40图78：恒烁股份季度营收及同比情况（亿元） 40图79：恒烁股份归母净利润情况（亿元） 40图80：江波龙季度营收及同比情况（亿元） 41图81：江波龙季度归母净利润情况（亿元） 41图82：德明利季度营收及同比情况（亿元） 41图83：德明利季度归母净利润情况（亿元） 41图84：佰维存储季度营收及同比情况（亿元） 42图85：佰维存储季度归母净利润情况（亿元） 42图86：国内存储模组季度毛利率情况 42图87：国内存储模组季度净利率情况 42表1：海外三大原厂2026年资本开支计划 15表2：全球主要存储厂扩产情况 16表3：海外存储大厂业绩及指引汇总 29表4：存储产业链海内外上市公司梳理 43一、需求端：一、需求端：AI推理构建多级存储架构，数据中心引领ZB级扩容中长期全球存储位元需求CAGR维持20%，数据中心引领行业迈入ZB级扩容Rubin平台引入独立存储机柜与DeepSeekEngram架构的落地，推动了NAND在AI2026年全球存储行业市场规模预计近300039%WSTS数据，2026294839%。全2023涨与供应短缺情况下，存储行业景气度预计将持续高涨。图1：存储行业市场规模（亿美元）0

存储市场规模 同比2020 2021 2022 2023 2024 2025WSTS

100%80%60%40%20%0%-20%-40%1、中长期存储需求CAGR增速约20%，服务器市场占比逐步提升AIEB级别增至ZB级别。AI时代下数据量级加速增长，①希捷：希捷预计数据中心对存储的需求有望从206EB（PB）28B（EB2024-2028CAGRmid-20%，存储需求核心驱动力从手机、AICAGR增速（2016-2024年）AImid-teensCAGR增速（2024-2028年。②闪迪：FY26Q22026年数D%（mi%图2：数据中心加速存储需求希捷2026DRAMNAND16%预测，2026DRAM372.4Eb16%2026NAND13%。根据海力士预测，2026DRAM位元需20%以上，NAND19%。图3：DRAM季度需求情况（Eb） 图4：NAND季度需求情况（EB）0

DRAM需求 同比

50%40%30%20%10%0%

0

NAND需求 同比

40%30%20%10%0%-10%-20% TechInsights TechInsightsAI算力的爆发式增长是DRAM需求的核心驱动力，预计2023-2030年需求CAGR20.3%预测，2023-2030DRAM位R.%P.%（.%2026DRAM50%，成为最大单一市场。图5：DRAM需求预测及同比（按下游）TechInsights数据中心对NAND需求增速超过DRAM，预计2023-2030年需求CAGR达.8%its20NDGR.%P（.%（.%）等传统领域。图6：NAND需求预测及同比（按下游）TechInsights2、AI推理三层存储架构需求激增，NAND在数据中心重要性日益凸显AI大模型推理包含HBM、DRAM、NVMeNAND三层存储架构。随着生成式AI服务器形成了由0层/核心带宽、DRAM（1层/大容量缓存）NVMeNAND（2层/持久化存储DRAMKVCacheNVMeNAND则凭借高性价比的大容量优势，成为RAG（检索增强生成）海量外部知识库与模型参数、日志持久化的核心载体。图7：从GPU内存（G1）到共享存储（G4），KV缓存存储层级结构英伟达大模型对HBM与DRAM需求主要来自模型权重的静态内存与KVCache的动NAND的需求主要来自RAGDRAM的需求弹性主要受模型参数KVCacheDG应用的深度渗透，其通TBLLM图8：Transformer模型中的自注意力机制工作流AiEdge大模型从生成图片到视频所需内存容量成倍增长。大模型生成一张图片需要1MB/5MB50MB数据，如果大量用户生成多种类型视频，那么所需内存量将成倍增长，根据Seagate内容，AI1.5150年拍照的总和，而视频大模型所需要的内存容量是图片的100多倍，内存需求量激增。图9：大模型生成图片到视频需要的内存成倍增长希捷英伟达tMemoryD需求未来可明确量化趋势提升。GPUKVCES2026RubinBlueField-4智能网卡驱动的推理上下文内存存储方案，新增存储机柜，其在演讲中提到新存储机柜为每GPU再额外增加TBD存储需求将受益于IY26Q2202775-100EB的数据量需求，NANDAI图10：英伟达重设存储架构 图11：英伟达Rubin平台新增存储机柜英伟达CES2026 英伟达DeepSeek最新论文介绍EngramDRAM/SSD降低HBM计算Engram模块将最高频访问的知识嵌入向量放在速度最快的GPU显存（HBM）中，中频访问的放在容量较大的主机内存NVMeSSD硬盘上，这种分层设计使得模型可以在不牺牲速度的前提下，拥有海量的“记忆容量”。图12：Engram架构DeepSeek二、供给端：二、供给端：2026年新增供应有限，位元出货量预计增长20%原厂加大Capex，但受制于技术升级及扩产周期，产能扩张有限，供给缺口或延至2027年。2026年DRAM与NAND位元出货量预计增长20%，服务器占比持续提升。1、2025年存储始终处于供需紧平衡状态，2026年存储位元出货量预计增长约20%2026年DRAM与NAND位元出货量预计均增长约20%，受供应限制需求仍大幅超过供给。根据公司法说会内容：SK海力士：2026highteens增长，AIPC和移动设备受组件成本与消费者信心影响，需求增速将低于行业整体；2026DRAMNAND位元出货量增长受供应限制而Q1DRAMAIGen6SSDPC领域需关注出货量潜在下滑风险；美光：2026DRAMNAND位元出货量预计均较2025年增长约%M市场将以约%的R6年出货量增速超整体AM2025PChigh-teensAINAND2026年之后各终端市场客户需求仍将大幅超过供应，公司中长期位元出货量CAGR将维持在mitohts6D的EB%；6年消费级D位元出货量增速为中个位数，平均售价增速为两位数；HDDEB出货量增速维HDD以上ePMRHDD需求提升，2027HAMR技术量产后将带动增速升至mid-20%，2026UltraSMRNearlineHDD50%。2026年DRAM与NAND位元出货量中预计服务器应用在两者占比均超45%。Counterpoint开始服务器领域位元出货量占比将45%，移动、PC、HBM20%、10%、20%左右；NAND方面，202645%，移动、PC位元出货占比分别为20%、15%左右。图13：DRAM季度位元出货占比（按下游） 图14：NAND季度位元出货占比（按下游）移动 PC 服务器 HBM 其他 移动 PC 服务器 其他

23Q123Q223Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q325Q4E26Q1E26Q2E26Q3E26Q4E23Q123Q223Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q325Q4E26Q1E26Q2E26Q3E26Q4E2025年下半年DRAM与NAND供给普遍紧缺，随着产业链备货及原厂加大生产供给缺口逐月缩小。25Q3法说会数据，20257DDR4供给缺需紧平衡状态；NAND0.3%左右，到年底有所缓解。图15：DRAM月度供给充足率 图16：NAND月度供给充足率5%0%-5%-10%-15%-20%

DDR4 DDR5

1.5%1.0%0.5%0.0%-0.5%

NAND2025-012025-022025-032025-012025-022025-032025-042025-052025-062025-072025-082025-092025-102025-112025-122025-012025-022025-032025-042025-052025-062025-072025-082025-092025-102025-112025-12220262027年2026年海外三大原厂预计资本开支增长显著，将进一步加大投资以扩充高端产品产能。三星：2025DS47.5MTrendForce预测，2026年三星预计投入200亿美元，同比+11%；海力士：2025亿美元，2026年资本开支预计TrendForce测，2026205亿美元，同比+17%；美光：2026200HBM供应能力与1-gamma技术产能扩张。三星海力士美光2026年预计资本开支2025三星海力士美光2026年预计资本开支2025年DS部门资本开支47.5万亿出将增加2026施的建设200HBM1-gamma技术产能扩张产品最新进展1）HBM4已进入稳定量产并将于20262月出货；E计划年中启动样品供应；20261CDRAMV9NAND等先进制程产能建设；3）持续扩大AIDDR5、SOCAMM2、GDDR7等。1）HBM420259月实现量产就绪，布局定制化2）1CnmDDR5量产；3）NAND321QLC研发。1）HBM426Q2高良率节2026年位元增长核心，3）加速推进G9节点的产能爬坡。各公司法说会2026年新增产能有限，大部分产能在2027年以后释放且原厂开始重视NAND扩产。根据TrendForce资料及各公司法说会内容，HBM1C2026年投产；1-gammaTSV11618亿美元购买其铜锣P5DRAMDigitimes报道，美光将在新加坡投资扩产NAND10240计将于202870亿美元的HBM2027年投产；M15XHBM4P&T7NAND业务扩张；DRAM4.51.5-2万片/2027上半年投产；400DRAM2.4-2.52026年底位元供应量将翻倍，同时预计台中厂Flash产能也将增约20%；旺宏：220NORFlash122万片增3万多片规模。国内方面，长江存储武汉三期正加速建设，原定于2027年才能达成的量产目标，有望提前至2026年下半年正式启动。公司工厂地点状态公司工厂地点状态NRD-K韩国25Q2先进制程的开发能力Taylor美国美国泰勒工厂正按计划建设，目标于2026年如期投产M15X韩国M15XTSVM15HBM生产，该厂计划于2025年底实现量产。2026年提前启动产能爬坡，同步加速321层NAND技术迁移龙仁韩国预计2026年启动厂房建设，2027年6月开始量产。支撑NAND业务中长期产能需求P＆T7韩国加速筹备工作，推进工厂落地以支撑NAND业务扩张，定位为321层NAND规模化生产与封装配套印第安纳美国正加速推进美国印第安纳州先进封装工厂的筹备工作A3中国台湾洁净室已就绪，将用于维持2026年晶圆产能，最大规模约为4.5万片（等效产能）A5中国台湾已在台中取得地块，但暂无该新厂的进一步规划铜锣（收购力积电）中国台湾DRAM2027年下半年可贡献的产能将相当于美光2026年第四季度全球产能的10%以上博伊西（爱达荷）美国第一座晶圆厂预计于2027自然年中期实现首批晶圆产出；第二座晶圆厂将于2026年动工，2028年底正式投入运营纽约美国厂址仍处于筹备阶段，首座厂房将于2025年开工，2028年量产广岛日本2026HBMDRAM节点（1-gamma）的量产提供支撑，同时优化工厂生产经济效益，提升产能利用率新加坡新加坡该工厂预计将于2027年为HBM供应做出重要贡献,扩建计划尚处于讨论阶段，最早投产时间不早于2028年印度印度印度组装测试工厂的建设进展顺利，已启动试生产，并将于2026年逐步扩大产能（正式扩产）A5中国台湾20274.5月产能为1.5万至2万片高雄中国台湾DRAM规划月产能将由目前约1.4万片，增至2.4万~2.5万片，预计2026年底位元供应有望翻倍-中国台湾计划NOR12寸厂的月产能自2万片增至3万多片规模各公司法说会，TrendForce三、库存端：原厂库存紧张贯穿三、库存端：原厂库存紧张贯穿2026全年，中下游战略备货蓄力业绩高增5OI模组厂囤货行为，利基与模组厂库存普遍较高，但DOI益存储价格上涨。1、原厂：2025年库存持续下滑，服务器存储库存紧张将贯穿2026全年2025年原厂库存水位持续下降，服务器DRAM与NAND库存紧张趋势将贯穿2026全年。25Q3358.47亿美元、93.783.5510.53-11%/环比95、129、139、267，同环比均有所下滑。三星：26Q1DRAM显偏低；25Q4DRAMDRAM20262026下半年库存将进一步下降。NAND方面，服务NAND库DRAM水平；25Q482126120天；南亚科：位持续下降。图17：四大原厂季度库存情况（亿美元） 图18：四大原厂季度库存周转天数0

三星电子 海力士 美光南亚科 累计同比

60%40%20%0%11Q412Q411Q412Q413Q414Q415Q416Q417Q418Q419Q420Q421Q422Q423Q424Q4

0

三星电子 海力士 美光 南亚科10Q411Q310Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q125Q4闪迪与希捷库存维持稳定，西部数据库存降至13亿美元左右。25Q419.713.415-30%/环比+5%132、144、8925Q2库存大幅下降，下游需求强劲，闪迪与希捷库存水位维持稳定。图19：海外主要Flash/HDD厂季度库存情况（亿美元）图20：海外主要Flash/HDD季度库存周转天数0

闪迪 西部数据 希捷

0

闪迪 西部数据 希捷 彭博 （以自然年表示） 彭博2、台厂：DOI逐季改善，模组厂加大备货力度以支撑客户2026年需求25Q310.351.554.421.44-1%/环比266236、14425Q2库存有所消化，库存周转天数逐渐改善，前期积累的低价库存2025Q3202512月底已大幅拉升库存水位，将可全力支持重要与策略性客户的需求。图21：台股存储模组厂季度库存情况（亿美元） 图22：台股存储模组厂季度库存周转天数群联电子 创见信息 威刚科十铨 累计同比25201510510Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

80%60%40%20%0%-20%-40%

0

群联电子 创见信息 威刚科技 十铨10Q110Q410Q110Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q1年来库存与DOI8.29亿美元、3.11亿美元、2.470.84+2%/环比156、186、238、319202598.13亿新台币，2024134.06亿新台币大幅下降，显示库存去化接近尾声，有助营运NOR货周转速度显著提升。图23：台股利基型存储厂季度库存情况（亿美元） 图24：台股利基型存储厂季度库存周转天数华邦 旺宏 晶豪科 钰创 累计同比20 60%15 40%20%100%5 -20%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

0

华邦 旺宏 晶豪科 钰创10Q110Q410Q110Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q132026营收与利润增长模组厂：厂商积极囤货库存创历史新高，DOI较此前有所下降营运效率提升。25Q385.17亿元、59.4亿元、56.95亿元，累计同比+34%/环比+18%156、227、220。存储价格持续上涨及供应紧缺情况下，国内模组厂积极囤货，25Q3201.522026营运效率提高。图25：大陆存储模组厂季度库存情况（亿元） 图26：大陆存储模组厂季度库存周转天数0

江波龙 德明利 佰维存储 累计同比100%80%60%40%20%21Q221Q321Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3

0

江波龙 德明利 佰维存储22Q222Q322Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q35I兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正、聚辰股份、恒烁股份库存分别为25.67亿元、7.3亿元、10.04亿元、29.2亿元、2.75亿元、3.15亿元，累计同比+16%/环比1581955733341872997个季度环比上涨，25Q35%，但整体库存规模低于模组厂且库存增速明显偏低，整体囤货力度低于模组厂，库存周转天数逐季改善，营运效率较此前有一定提升。图27：大陆利基型存储厂季度库存情况（亿元） 图28：大陆利基型存储厂季度库存周转天数0

兆易创新 普冉股份 东芯股北京君正 聚辰股份 恒烁股累计同比

30%20%10%0%-10%

0

兆易创新 普冉股份 东芯股北京君正 聚辰股份 恒烁股 彭博 彭博撑合约价加速上行价格成倍增长且持续走强，确立超级上行周期。AI挤占产能致结构性紧缺，驱动合约价加速飙升，预计26Q1DRAM环增超55%。虽高现货价抑制部分边际需求，但供需剪刀差持续扩大，卖方市场格局在2026年将进一步强化。1、价格指数：2025下半年开始加速向上已涨多倍，目前趋势仍未放缓指数端，从2025年7月开始，DXI指数与存储价格指数均呈指数级上升趋势。DXI指数衡量存储器出货量与价格，从2025年7月开始指数加速上涨，在2026年1月30日达到586350.8点，期间涨幅7倍。DRAM年7月至今涨幅4.21040%，202520002026年11273132.822025年7月涨幅3.7倍。NAND指数：2025年9月至今涨幅3.7倍。NAND指数上涨稍晚，从2025年9月低点冲高至今（2521.86点）涨幅3.7倍。图29：DXI指数DXI指数2013-06-042013-11-042013-06-042013-11-042014-04-042014-09-042015-02-042015-07-042015-12-042016-05-042016-10-042017-03-042017-08-042018-01-042018-06-042018-11-042019-04-042019-09-042020-02-042020-07-042020-12-042021-05-042021-10-042022-03-042022-08-042023-01-042023-06-042023-11-042024-04-042024-09-042025-02-042025-07-042025-12-04（截至2月2日）图30：DRAM与NAND价格指数NAND指数 DRAM指数02021-06-22 2022-06-22 2023-06-22 2024-06-22 2025-06-22，闪存市场 （截至1月27日）2、现货价格：采购成本已传导至成品端抑制部分消费领域需求，渠道产品货期有所拉长DRAM：DDR416Gb130DDR516Gb/DDR416Gb/DDR48Gb/DDR34Gb现货均价为37.17/77.71/30.76/5.4美金，相较上周同比+1.36%/-1.33%/+0.2%/+7.46%，相较上月同比+27.6%/+20.5%/+27.2%/+35.0%，DDR416Gb周内首次出现下跌，此前现货价格和合约价格本身存在极大差距，我们认为临近年关现货价格出现小幅调整暂时不会影响存储行业整体价格趋势。根据TrendForceDDR4DDR531：主流DRAM现货价格（日度，美元）DDR5(16Gb(2Gx8),4800/5600Mbps) DDR4(16Gb(2Gx8),3200Mbps)DDR4(8Gb(1Gx8),3200Mbps) DDR3(4Gb(512Mx8),1600MHz)9080706050403020102023-05-032023-06-032023-05-032023-06-032023-07-032023-08-032023-09-032023-10-032023-11-032023-12-032024-01-032024-02-032024-03-032024-04-032024-05-032024-06-032024-07-032024-08-032024-09-032024-10-032024-11-032024-12-032025-01-032025-02-032025-03-032025-04-032025-05-032025-06-032025-07-032025-08-032025-09-032025-10-032025-11-032025-12-032026-01-032026-02-03， （23日）图32：其他DRAM现货价格（日度，美元）DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps DDR48Gb(1Gx8)2666MbpsDDR48Gb(512Mx16)2666Mbps DDR416Gb(2Gx8)eTTMbps80706050403020102022-01-192022-03-192022-01-192022-03-192022-05-192022-07-192022-09-192022-11-192023-01-192023-03-192023-05-192023-07-192023-09-192023-11-192024-01-192024-03-192024-05-192024-07-192024-09-192024-11-192025-01-192025-03-192025-05-192025-07-192025-09-192025-11-192026-01-19， （23日）NANDDRAMTrendForce节假期将近影响工厂稼动率等因素下，部分买方暂时采取观望态度。图33：NAND现货价格（周度，美元）现货平均价:NANDFlash(64Gb8Gx8MLC) 现货平均价:NANDFlash(32Gb4Gx8MLC)9876543212015-01-052015-05-052015-01-052015-05-052015-09-052016-01-052016-05-052016-09-052017-01-052017-05-052017-09-052018-01-052018-05-052018-09-052019-01-052019-05-052019-09-052020-01-052020-05-052020-09-052021-01-052021-05-052021-09-052022-01-052022-05-052022-09-052023-01-052023-05-052023-09-052024-01-052024-05-052024-09-052025-01-052025-05-052025-09-052026-01-05， （126日）原厂DDRDDR4据闪存市场数据，1PCOEMDRAMDDR高等级颗粒面向存储厂商的供应近乎停滞，虽然部分存储厂商为维系产线DDR4内存条拉涨空间更大。eMMC等产品价格继续上涨，相应的集成式产品跟随涨价。根据CFM闪存市场数据显示，256Gb/512GbWaferASP0.31/0.25美金，与此同时，上游MLCNANDAuto、TV能穿戴、机顶盒、机器人、POSeMMC涨价。图34：各存储产品周度价格情况（美元）闪存市场 （红色代表价格上涨，白色代表价格维持）贸易氛围仍然尤为浓烈，512Gb1TbFlashWaferNAND资源频繁刷新报SSDDDR4、DDR5120%-60%PC整机客户以外，其余客户多数难以承接高价，整体上看渠道市场成交量较低。图35：各厂商产品渠道价格与货期变化情况富昌电子 （红色代表价格上涨及货期延长绿色代表价格平稳及货期平稳黄色代表价格下降及货期缩短3、合约价格：服务器需求旺盛拉动DRAM与NAND上涨，手机、PC受供需缺口拉大26Q1价格大涨存储合约价整体价格涨幅小于现货价，DRAM合约价上涨幅度更大。预计26Q1DRAM合约价环增90-95%，NAND合约价环增55-60%。根据TrendForce数据，2026DRAM原厂大规模转移先进制程、新产ServerHBMAIServerDRAM（ConventionalDRAM）90-95%。NANDFlashServer55-60%。图36：25Q4-26Q1存储器价格预测TrendForceMC端受供需缺口拉大预计Q1价格环增均达90%TrendForce2025Q4PC整机PCDRAMPCOEM厂，DRAM库存水平仍有下滑。在卖方市场格局抬升合约价商谈行情的背景下，预计2026Q1PCDRAM价格将季增100%以上，涨幅达历史新高；②服务器：北美、中国CSP、服务器OEM至一月为止，仍持续和存储器原厂洽DRAMLTA26Q1服务器DRAMDRAM市场供需差距26Q1LPDDR4X、LPDDR5X合约价皆大幅上调至环增90%左右。其中，原厂对美系手机客户的26Q12才会有实质进展。图37：DRAM合约价（月度，美元）DDR516Gb2Gx8 DDR516GBSO-DIMMDDR58GBSO-DIMM DDR4/4GB/256Mx16DDR48Gb1Gx8 DDR416Gb2Gx8 DDR48Gb512Mx16 DDR48GBDDR416GBSO-DIMMDDR3/4GB/256Mx160（更新至2025年12月）NAND：服务器端需求+供应短缺推升企业级SSD26Q1价格环增53%-58%。根据TreFceAMAICSP2025年底起开始SSD2026Q1SSD53-58%，创下单季涨幅最高纪录。图38：NAND合约价（月度，美元）NAND32Gb4Gx8MLC NAND64Gb8Gx8MLC NAND128Gb16Gx8NAND1Gb128Mx8SLC NAND2Gb256Mx8SLC NAND4Gb512Mx8SLCNAND8Gb1024Mx8SLC NAND16Gb2Gx8SLC NAND32Gb4Gx8SLC14121086422018-062018-092018-062018-092018-122019-032019-062019-092019-122020-032020-062020-092020-122021-032021-062021-092021-122022-032022-062022-092022-122023-032023-062023-092023-122024-032024-062024-092024-122025-032025-062025-092025-12（更新至2025年12月）五、销售端：五、销售端：2025下半年各家业绩显著增长，供需缺口持续2026年展望乐观AI需求及年业绩向上斜率明确。TrendForce2026DRAMFlash5516134%，2027年则将再创高峰达8427亿美元，同增53%。DRAM领域，价格与需求持续增长推升2026年产值达4043亿美元。2025下PAI5年产值来到7%5年ADFlash697DRAMDRAM2026DRAM4043144%。NANDFlash领域，进入AI领域带来新增需求叠加价格涨幅持续推动2026年产值达1473亿美元。RubinIOPS企业级SSDNANDFlash26Q155-60%202620261473亿美。图39：DRAM与NANDFlash产值预估（亿美元）0

DRAM NANDFlash 累计同比2023 2024 2025 2026E TrendForce

150%100%50%0%-50%1、原厂：25Q4营收与利润均创新高，AI需求旺盛但2026年新增产能有限海外存储大厂26Q1业绩指引普遍乐观，全年盈利能力将进一步提升。①美光：DRAM与NAND行业需求均大于供给，预计更高的价格、更低的成本与更有利的产品组合将提高公司26Q1的毛利率；②闪迪：预计26Q1供应短缺将更为严重；③西部数据：当前定价环境稳定，预计每TBASP小幅上涨，每TB成本逐季下降；④希捷：预计26Q1数据中心需求将足以抵消季节性影响，同时2026全年营收与利润将进一步改善。三星海力士美光闪迪三星海力士美光闪迪西部数据希捷25Q4营收93.8万亿韩元32.8万亿韩元136亿美元30.25亿美元30.17亿美元28.3亿美元同比24%66%57%61%25%22%环比9%34%21%31%7%7%25Q4业绩具体表现情况44万亿环比+33%37.1+62%/ 环 比+39%；DRAM：营收24.95万亿韩元，同比+71%/环比+31%；7.55万亿韩元，同比+59%/环比+54%108亿美元，同比+69%/环比NAND：营收27+22%/环比+22%数据中心：营收4.4亿美元，同比+76%/环比+64%；边缘计算：营收16.78比+63%/环比+21%；9.07+52%/环比+39%26.73环比+6.5%；1.76+26%/环比+21%；1.68-3%/环比+3.7%数据中心：营收22亿美元，同比+28%/环比营收6.01亿美元，同比+2%/环比+17%26Q1业绩指引26Q1预计营收183-191中值同比+132%/环比+38%26Q1预计营收44-48值同比+171%/比+52%26Q1预计营收31-33值同比+39.5%/比+6.1%26Q1预计营收29-30值同比+34%/比+2%各公司法说会存储器原厂龙头：四大原厂25Q4营收与利润均创历史新高，存储器价格持续上涨且AI需求旺盛，客户更愿意签订多年期长协锁定价格与产能。三星电子：HBM与DRAM25Q4营收与利润创历25Q493.8+23.7%/环比19.6万亿韩元，同比+151.3%/环比+60.7%，营业利润率为21.4%37.1+61.3%/DRAM5年MQ432.83+66%/环比劲，DRAM和NAND价格全面上涨；毛利率为69%，同比+17pcts/环比15.2+90%/环比58%。HBM2但受产能限制，公司难以满足所有客户的需求；25Q4（FY26Q1）营收收入136.4亿美元，同比+57%/环比+21%，超指引上限（125±3亿美元+11.1pcts/环比AIDRAMNAND闪存，合同包含明确的承诺条款，结构也更为严谨。DRAM25Q49+3/环比%%，同比+60pcts/环比+31pcts20262027DDR5、DDR4DDR3。图40：四大存储原厂营收（亿美元）及累计同比情况0

三星电子（存储业务） 海力士 美光 南亚科 累计同比

140%120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%10Q110Q310Q110Q311Q111Q312Q112Q313Q113Q314Q114Q315Q115Q316Q116Q317Q117Q318Q118Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q3彭博 （注：美光营收按自然年划分）图41：存储原厂季度毛利率情况 图42：存储原厂季度净利率情况-20%-40%

三星电子 海力士 美光 南亚科

60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%

三星电子 海力士 美光 南亚科 彭博 （注：美光按自然年划分） 彭博 （注：美光按自然年划分）MMND供给紧张、位元出货量与价格环比均增长。MQ4ASP%，HBM3E12iDDR5内存销量增加，其中高密度R5模组出货量环比增长约%AI和C领域的需求核心驱动力。②NAND：25Q4出货量环比增长约10%，ASP环比上涨近30%，移动产品和嵌入式固态硬盘需求增长；美光：①DRAM：FY26Q1108亿美元，同比+69%/环比+20%，位元出货量环比略有增长，ASP20%。②NAND：FY26Q127亿美元，同比+22%/环比+22%，位元出货量环比增长中高个位数，ASP环比增长mid-teens。DRAM与NAND产能供应紧张。图43：海力士季度营收占比拆分 图44：美光季度营收占比拆分

DRAM NAND 其他

DRAM NAND 其他2019Q12019Q32020Q12020Q32019Q12019Q32020Q12020Q32021Q12021Q32022Q12022Q32023Q12023Q32024Q12024Q32025Q12025Q32019Q22019Q42020Q22020Q42021Q22021Q42022Q22022Q42023Q22023Q42024Q22024Q42025Q22025Q4海外NAND/HDD厂：受益涨价25Q4各厂商业绩普遍超预期，盈利能力大幅提升且客户大都签订长协锁定2026年产能。FY26Q230.25亿美元，同比+61%/环比+31%，大超此前指引（25.5-26.5亿美元），主要得益于各细分市场的产品价格上涨，本季位元出货量同比+22%/环同比+18.6pcts/环比+21.2pcts（40.8-42.8%），剔除启动成本5%A2034将向铠侠支付11.65亿美元以确保产品供应稳定；西部数据：Nearline硬盘需求强劲，公司已与七家客户签订长协。FY26Q230.17亿美元，同比+25%/环比+7%，超指引上限（28-30亿美元），nearline+7.7pcts/（44%-45%），毛利率改善主要系持续向LTA2026客户签署了稳健的商业协议，其中两份协议持续至2027年，一份延续至2028年，均包含了定价和采购量条款；希捷：FY26Q2盈利能力进一步提升，2026年产能已全部订满。FY26Q228.25+22%/环比（26-28亿美元），41.6%，同比+6.7pcts/环比+2.2pctsHAMRLTA20262026年产能基本已经全部订满。图45：海外NAND/HDD厂季度营收及累计同比情况（亿美元）0

闪迪 西部数据 希捷 累计同比

50%40%30%20%10%0%-10%-20%20Q120Q220Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q325Q4彭博 （注：营收数据转换为自然年）图46：海外NAND/HDD厂毛利率情况 图47：海外NAND/HDD厂净利率情况0-0.1-0.2

闪迪 西部数据 希捷

10-0.5-1-1.5

闪迪 西部数据 希捷彭博 （注：毛利率数据转换为自然年） 彭博 （注：净利率数据转换为自然年）2、台厂：利基加大扩产填补大厂空缺，模组业绩或将在25Q4及2026年提升更显著利基型存储：25Q3各家营收、毛利环比改善，随着大厂逐渐退出利基型市场，存储涨价预计将在25Q4及2026年的各公司业绩上体现更明显。华邦：盈利能力大幅提升，启动新一波扩产以应对DDR4缺口。25Q3营收7.27+2%/环比+17pcts/环比+24pcts，14%，同比+14pcts/环比+20pctsDDR4缺口，华邦已启动高雄厂新一波扩产。旺宏：NOR、NAND等相关产品需求回升且价格上涨，公司业绩预期乐观。25Q32.74亿美元，同比+6%/环比+21%14%，同比-15pcts/环比-2pcts，净利率-11%，同比-7pcts/环比+8pcts，公司三季度业绩表现不NORNANDeMMCMLCNANDeMMC等相关产品带来机遇。202625Q3营收1.2+5%/环比-3pcts/环比+9pcts0.4%，同比-6pcts/环比+22pcts25Q3已看到存储器的下，DRAM25Q4-26Q1业绩将持续向好；2027年。25Q3营收0.36亿美元，同比+15%/环比+48%，毛利率13%，同比-5pcts/环比+6pcts，净利率-13%，同比-2pcts/环比+17pcts，受益于存储价格上涨与需求旺盛，公司毛利率、净利率环比改善，公司表示预计存储短缺将延续至2027年。图48：华邦季度营收及同比情况（亿美元） 图49：旺宏季度营收及同比情况（亿美元）华邦 同比1210864210Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%

6.05.04.03.02.01.00.0

旺宏 同比

80%60%40%20%0%-20%-40%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1彭博 彭博图50：晶豪科季度营收及同比情况（亿美元） 图51：钰创季度营收及同比情况（亿美元）晶豪科 同比33221110Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

200%150%100%50%0%-50%-100%

1.00.80.60.40.20.0

钰创 同比

150%100%50%0%-50%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1彭博 彭博图52：台股利基型存储厂商毛利率情况 图53：台股利基型存储厂商净利率情况-20%-40%

华邦 旺宏 晶豪科 钰创

60%40%20%0%-20%-40%-60%

华邦 旺宏 晶豪科 钰创10Q111Q112Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1月度营收来看，各家12月营收同环比均高增，存储涨价及缺货明显。华邦：12月营收创单月新高，DDR4与NORFlash需求旺盛。12月营收97.7亿新台币，同比+53%/环比+13%，创单月营收新高，2025全年营收894.06亿新台币，同比+9.55%，DDR4与NORFlash需求旺盛；旺宏：12月营收明显好转，大厂退出MLCNAND给公司带来机遇。12月营26.32+45%/环比+8%，旺宏表示，AI动能带动存储器市场，NORFlash大量应用于服务器与数据中心，除了现阶段的主流产品GbMLC，旺宏预计2026年将投入220亿新台币，积极扩充目前缺货最严重的MLCNAND产能，12寸厂的月产能将自2万片增至3万多片规模；晶豪科：12月营收同环比高增，各类AI周边需求均开始回升。12月营收21.71+108%/环比AI存储器需求也出现回升，包括网通等需求持续增加；钰创：存储价格快速上涨与供应短缺使公司营收迅速增长。12亿新台币，同比+170%/环比+24%司营收快速增长。图54：华邦月度营收及同比（亿新台币） 图55：旺宏月度营收及同比（亿新台币）华邦 yoy 旺宏0

150%100%50%0%-50%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12

70 120%60 100%40 30 0%-20%10 -40%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12晶豪科 yoy25201510516M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12

150% 86100% 7650% 540% -50% 21-100% 0

钰创 yoy

200%150%100%50%0%-50%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12彭博5ASP加速上升，公司对25Q4业绩预期乐观。25Q36.06+30%/环比+3pcts/环比12%，同比+7pcts/环比+8pctsASP加速上升，公司对四季度业绩乐观，预期营收与毛利率将环比持续改善；DDR425Q31.37亿美元，同比+63%/环比+27%14%，同比-15pcts/环比-2pcts，净利率-11%，同比-7pcts/环比+8pcts。创见表示，随着主要晶圆厂DDR5HBMAIHPC需求，DDR4DDR4威刚：2026年原厂DRAM与HBM产能已被订满，NAND与HDD也将进25Q34.85+54%/环比13%，同比-3pcts/环比-6pcts/环比+22pcts2026年上DRAMHBMNANDHDD也全面进营运获利；十铨：产品价格持续上涨，公司将持续向中高端产品发展。25Q31.39亿美元，同比-28%/环比-6%，毛利率13%，同比-5pcts/环比+6pcts，净利率-2pcts/环比+17pctsAI图58：群联电子季度营收及同比情况（亿美元） 图59：创见信息季度营收及同比情况（亿美元）群联电子 同比765432110Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%

3.53.02.52.01.51.00.50.0

创见信息 同比

80%60%40%20%0%-20%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1彭博 彭博图60：威刚季度营收及同比情况（亿美元） 图61：十铨季度营收及同比情况（亿美元）威刚 同比65432110Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%

2.52.01.51.00.50.0

十铨 同比

300%250%200%150%100%50%0%-50%19Q119Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q3彭博 彭博图62：台股模组厂毛利率对比 图63：台股模组厂净利率对比-10%

群联电子 创见信息 威刚 十铨

50%30%20%10%0%-10%-20%

群联电子 创见信息 威刚 十铨18Q319Q119Q320Q118Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q318Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q3月度营收来看，模组厂12月营收同比均高增，存储涨价与缺货明显且预计将在2026年持续。带动NAND12月87.12亿新台币，同比+93%/环比+24%，群联表示，12月整体营运表PCIeSSD15%16%CSPNAND存储需求，NAND涨价以及缺货情况；创见信息：DDR4供给紧缺持续，25Q4-26Q1合约价将进一步高增。12月营收30.58亿新台币，同比+242%/环比+51%，AI需求持续扩张、挤占非AIDigitimes年四季DDR48Gb4DRAM合约价格涨幅持DDR455~60%；威刚：公司加大采购力度12月库存大幅拉升，全力支撑客户2026年需求。1258.1亿新台币，同比+101%/环比+4%2025年三季度起已加速采购力道，凭借着稳固的业界根基与策略联盟关系，截至12月底已大幅拉升库存水位，将可全力支持重要与策略性客户的需求；26Q1-Q212月营收36.3亿新台币，同比+211%/环比+124%，十铨指出，2026AI应用将引1~220262027年下半或更久。图64：群联电子月度营收及同比（亿新台币） 图65：创见信息月度营收及同比（亿新台币）0

群联电子 yoy

100% 3580% 3060% 2540% 2020%0% 15-20% 10-40% 516M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12

创见信息 yoy

300%250%200%150%100%50%0%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12图66：威刚月度营收及同比（亿新台币） 图67：十铨月度营收及同比（亿新台币）威刚 yoy7060504030201016M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12

120% 40100% 3580% 3060% 2540%20%0% 15-20% 10-40% 5-60% 0

十铨 yoy

600%500%400%300%200%100%0%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M123、大陆：25Q4利基与模组盈利能力提升明显，存储价格持续2026年业绩增速更快利基型存储：存储行业周期上行，供需结构优化推动量价齐升，25Q4头部厂商营收与利润预计同环比增幅明显。兆易创新：存储行业周期上行，供需结构优化推动产品量价齐升。25Q423.71亿元，同比+39%/环比-12%5.27亿元，同比+95%/环比AIPC品价量齐升；普冉股份：受益AI服务器、手机等需求集中释放公司营收增长，收购珠海诺亚带来正向利润。25Q48.9亿元，同比+103%/环比+68%，1.46亿元，同比+115%/环比+711%，2025Q2开始，受益于存储芯片市场供给格局的有利变化，以及AI服务器、高端手机、PCMCUDriver等模拟类新产品自推出后，公“存储+”20251151%SHM2DNAND及衍生存储器（SLCNAND，eMMC，MCP）产品及方案，对公司利润产生积极影响；东芯股份：ASP回升盈利能力同步增长，投资砺算布局GPU赛道。25Q43.5亿元，同比+80%/环比+51%，归母净利润预计-0.48亿元，2025年公司所处的中小容量存储芯片市场受益于人工智能驱动的新一轮行20252.11GPU2025GPU芯片“7G100”首次流片成功，少量显卡已交付客户，产品量产及销售拓展等工作正在正常开展中；DRAM25Q4归母1.1-1.4亿元，中值同比+112%/环比+149%。2025年下半年以DRAM增长。EEPRMR导入多家Ti1Q33.58+41%/环比1.15+68%/环比+9%DDR5SPDEEPROM芯片和高性能工业级EEPROMNORFlashTier1供应商；恒烁股份：受益存储价格上涨，公司Q4利润大幅减亏。25Q4预计-0.03亿元，同比减亏，2025年公司营收与毛利率同比均有所增长。图68：兆易创新季度营收及同比情况（亿元） 图69：兆易创新季度归母净利润情况（亿元）营收 yoy3025201510521Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q3021Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q3

150% 8100% 650% 420% 0-225Q125Q325Q125Q3

归母净利润 yoy

400%200%0%-200%-400%-600%25Q125Q3-800%25Q125Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q3图70：普冉股份季度营收及同比情况（亿元） 图21Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q3营收 yoy876543210

150%100%50%0%-50%-100%

2.01.51.00.50.0-0.5-1.0

归母净利润 yoy

600%500%400%300%200%100%0%-100%-200%-300% 图72：东芯股份季度营收及同比情况（亿元） 图73：东芯股份归母净利润情况（亿元）营收 yoy443322110

100%50%0%-50%-100%

1.51.00.50.0-0.5-1.0-1.521Q121Q221Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3

归母净利润图74：北京君正季度营收及同比情况（亿元） 图75：北京君正归母净利润情况（亿元）营收 yoy16141210864221Q121Q221Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3

90%70%50%30%10%-10%-30%-50%

3.53.02.52.01.51.00.50.0

归母净利润 yoy

250%200%150%100%50%0%-50%-100%（25Q4预测为中值）图76：聚辰股份季度营收及同比情况（亿元） 图77：聚辰股份归母净利润情况（亿元）营收 yoy4433221121Q121Q221Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q3

150%100%50%0%-50%

1.41.21.00.80.60.40.20.0

归母净利润 yoy

600%500%400%300%200%100%0%-100%-200%图78：恒烁股份季度营收及同比情况（亿元） 图79：恒烁股份归母净利润情况（亿元）2.01.51.00.50.0

营收 yoy

60%40%20%0%-20%-40%-60