电子行业市场前景及投资研究报告：AI驱动存储周期

证券研究报告行业专题报告AI驱动存储周期浪潮2025年12月12日目录一、AI存储周期深度分析：缺货涨价持续，2027或有转折点●三大主流存储介质原理及特点：机械硬盘VSDRAM

VS闪存●硬盘仍存储大部分数据，DRAM/NAND

FLASH规模均超$600亿●历史总结1：机械硬盘的市场规模和竞争格局●机械硬盘自身瓶颈难以突破，AI浪潮唤醒“冷数据”转“温热数据”，SSD大敌崛起●数字存储的演进：符合摩尔定律，每18个月存储单位价格下降1/2●存储芯片：供需格局紧张，预计25Q4DRAM/NAND价格均环比提升，有望创历史新高●存储供需周期(DRAM测算表)●存储供需周期(NAND

Flash测算表)●存储供给未来周期图(中国的机会及产业链的机会)二、投资建议及风险提示：●端侧AI一触即发，拥抱第四次工业革命，关注AI产业链相关公司。端侧AI产品加速发布，处理器和内存是两大核心变化点。IDC定义AI手机算力须达30TOPS，微软定义AI

PC算力须达40TOPS，以满足计算需求，驱动处理器在手机及电脑单机价值量提升。同时，端侧设备参数量不断变大，内存将不断增加，下一代AI手机内存有望增长至12~16GB，AI

PC内存有望增长至16~32GB，存储芯片领域有望持续受益。此外，AI时代功耗增加是必然结果，配套电源管理及散热材料值得关注。相关公司包括江波龙(大容量存储)、澜起科技(存储接口芯片)、长电科技(先进封装)等。数据：长城证券产业金融研究院2目录(续)●手机和PC需求温和复苏，看好“困境反转&龙头低估”企业。手机和PC等消费电子弱复苏，看好“困境反转&龙头低估”企业。我们认为26年智能手机和PC等消费电子呈现弱复苏，半导体龙头公司在行情来临时，有望获得较好的Beta收益，相关公司包括纳芯微(汽车模拟芯片)、卓胜微(射频前端芯片)、韦尔股份(CMOS传感器)等。●风险提示：下游需求不足风险；地缘政治风险；核心竞争力风险；估值风险等。图：重点公司财务指标及估值情况25年归母净利

25年预期归母市值(亿元)

润一致预期(亿

净利润增速

PE(2025E)26年归母净利润一致预期(亿元)27年归母净利润一致预期(亿元)代码公司名称立讯精密主营业务PE(2026E)PE(2027E)元)(%)002475.SZ603501.SH688008.SH600584.SH301308.SZ300782.SZ688300.SHAI果链4335.041496.031380.02665.48169.2144.5122.2016.6214.19-0.833.1826.6%33.9%57.2%3.3%25.6233.6162.1640.0476.50-450.8944.44213.5056.6430.9121.1824.674.3520.3026.4144.6531.4244.0085.8335.46262.7369.5939.1727.0227.217.5816.5021.5035.2324.6339.9049.2328.84豪威集团

CMOS图像传感器澜起科技长电科技江波龙内存接口芯片先进封装存储器1085.54373.34184.5%-120.6%26.5%卓胜微射频芯片联瑞新材HBM关键填料141.313.994.90数据：Wind，各公司公告，IDC，微软，长城证券产业金融研究院；市值及PE数据截至2025年12月10日3一、

AI存储周期深度分析：缺货涨价持续，2027或有转折点4三大主流存储介质原理及特点：机械硬盘VS

DRAM

VS

闪存➢

机械硬盘主要通过磁头和盘片表面磁性物质的相互作用存储0,1的信息。机械硬盘主要由很多的盘片组成，而其存储信息的方式就是通过盘片表面的磁性物质来存储数据，利用磁极的不同来标记0,1，当磁头扫过盘面，通过感应电流就可以识别出不同状态，即读取数据；增强磁头的磁性，可以改变盘面记录单元的状态，实现写入数据。➢

DRAM的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来标记二进制比特(bit)的0,1。DRAM的基本单元主要由一个晶体管和一个电容组成，电容中有电荷代表“1”，没有电荷代表“0”。由于电容中的电荷会随着时间而慢慢泄露，所以需要周期性地进行“充电”

。➢

Flash的最小存储单元是浮栅晶体管，利用导通特性对应记录不同状态。在存储单元晶体管的栅(Gate)中，注入不同数量的电子，通过改变栅的导电性能，改变晶体管的导通效果，实现对不同状态的记录和识别。图：三大主流存储介质的原理、特点及应用：各有千秋机械硬盘DRAM闪存工作原理优缺点容量大、价格低但物理体积大容量较小、读写速度快但数据易丢失，价格高容量较大，读写速度较快数据不易丢失，价格较高终端应用服务器企业办公电脑电脑内存智能手机智能手机、数码相机车载设备、工业设备数据：CSDN，与非网，中国存储网，Lam

Research，Gigazine，长城证券产业金融研究院5硬盘仍存储大部分数据，DRAM/NAND

FLASH规模均超$600亿➢

硬盘仍存储全球大部分数据，闪存存储容量迅速上升。从全球存储容量看，根据IDC数据，2022年全球存储年新增总容量约为3.0ZB，预计到2025年全球存储年新增总容量将达到4.7ZB。2022年，58.0%数据由硬盘存储，而闪存、DRAM、磁带、光学存储器分别为30.5%、1.0%、7.0%、3.5%。根据IDC预测，2023-2028年全球生成数据量将增长3倍，2028年达到394ZB；但对比2005年的0.425ZB，仅约2%的数据被实际存储，“存储能力滞后于数据生成能力”的缺口显著。➢

从存储市场规模看，根据IDC数据，2024年机械硬盘市场规模约为180亿美元，占据总体市场的9.89%；根据Trendforce数据，2024年DRAM市场规模约为959亿美元，占52.59%；根据Trendforce数据，2024年NAND

FLASH市场规模约为656亿美元，占36.01%。图：全球存储年新增总容量(ZB)：据IDC预计，到2025年全球存储年新增总容量将达到4.7

ZB图：2024年存储市场规模：DRAM、NAND占比分别达53%和36%HDDFLASHTapeOpticalDRAM2024年市场规模(亿美元)(左轴)占比(%)(右轴)54321012001000800600400200060%50%40%30%20%10%0%52.59%36.01%9.89%9591.52%656-10%-20%180282010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025DRAMNANDFLASHNORFLASHHDD数据：IDC，CFM闪存市场，日本HDD协会，CINNO，Trendforce，弗若斯特沙利文，长城证券产业金融研究院6历史总结1：机械硬盘的市场规模和竞争格局➢

根据IDC数据，2024年机械硬盘市场规模整体约180亿美元，占总体存储市场规模约10%，位列数字存储市场规模第三，据IDC数据，2024年HDD年出货量约为不到2亿个。据数据，机械硬盘出货量1996-2010年稳定增长，从1996年的1.05亿个增长至2010年的6.51亿个，达到历史最高点。随着存储器的更新迭代，尤其是SSD（固态硬盘）技术的进步，机械硬盘的地位受到挑战，2011年开始出货量整体呈现下降趋势，据IDC数据，截至2024年全球机械硬盘出货量下降至1.24亿个。➢

2010年以后机械硬盘厂商数量逐渐减少。2008年以前，机械硬盘市场集中度较低，各厂商竞争激烈。而后，市场集中度提升，西部数据、希捷、东芝等厂商成为机械硬盘龙头，从2012年开始，以上三家占据全球市场超过90%份额。根据IDC数据，2024年，希捷、西部数据、东芝市占率分别为40.0%、40.8%、19.2%，其中希捷、西部数据市占率合计达80.8%，呈现双寡头垄断格局。图：1976-2024年机械硬盘出货量先升后降

(单位:

亿个)图：2003-2024年机械硬盘市场集中度不断提升，其他厂商逐渐退出全球HDD出货量（亿个）希捷西数东芝富士三星日立其他76543210100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%17%20%37%19%41%21%22%43%35%38%25%13%43%43%39%40%40%30%24%19761978198019821984198619881990199219941996199820002002200420062008201020122014201620182020202220242003200820142020202220232024数据：IDC，ITCenter，TrendFocus，日本HDD协会，长城证券产业金融研究院7机械硬盘自身瓶颈难以突破，AI浪潮唤醒“冷数据”转“温热数据”，SSD大敌崛起➢

机械硬盘自身瓶颈难以突破，SSD大敌崛起。受限于物理结构瓶颈，机械硬盘体积难以缩小或成本较高，增长前景显现停滞。固态硬盘(Solid

State

Drives)由多个闪存颗粒和主控芯片组成，没有运动结构设计；而机械硬盘有碟盘和读写磁头组成。AI时代背景下，大规模“冷数据”变为“温热数据”，存储介质迎来新机遇。随着大模型训练与推理对数据访问需求持续增长，数据量在大幅增长的同时，大量先前被视为“冷数据”的资源被重新激活，这些数据因频繁参与模型迭代与实时推理，逐渐转变为“温数据”，甚至因持续调用而成为“热数据”，这意味着数据利用效率显著提升，同时对存储介质提出了新的要求。相比HDD，SSD不仅拥有更快的读写速度，而且具有低功耗、防震抗摔性好、发热低等优势。➢

SSD价格逐渐下降，与HDD价格差距不断缩小。随着技术的发展，SSD平均价格与HDD平均价格差异逐渐缩小，加之SSD各方面的性能优势，硬盘市场逐渐被SSD占领。图：与机械硬盘相比，SSD的速度性能更优，不存在物理结构瓶颈图：价格对比(USD/TB)：随着SSD价格下降，两者差距不断缩小机械硬盘固态硬盘较小HDD平均价格($/TB)SSD平均价格($/TB)容量价格大6005004003002001000便宜一般贵随机存取极快SLC：10万次MLC：1万次写入次数无限制磁盘阵列工作噪音工作温度防震能力数据恢复极难有可无较为明显较差极低很好难5010容易20152016201720182019202020212022202320242025数据：IEEE，IDC，Backblaze，Forbes，Tom’s

Hardware，西部数据，长城证券产业金融研究院8数字存储的演进：符合摩尔定律，每18个月存储单位价格下降1/2➢

存储价格变化符合摩尔定律，每18个月集成度提升1倍，性能提升1倍，单位价格下降1/2。根据NIMBUS数据，1960年代，磁带平均容量仅为2.3MB，而每GB价格却高达1791英镑，1970年代流行的软盘价格更是高达2-3万英镑/GB。伴随着硬盘技术的发展及普及，存储价格迅速下降，1990年代，单位GB存储价格跌至100英镑以下，CD-ROM价格仅为6.03英镑/GB。21世纪开始，DRAM、闪存进入人们视野，成为主流存储方式，存储价格进一步下降，单位GB存储价格平均为0.5-0.8英镑。图：存储行业遵循摩尔定律，集成度每18个月提升1倍，性能提升1倍，单位价格下降一半温氏架构基本确立存储芯片推出，DRAM技术进步闪存快速发展1.E+091.E+081.E+071.E+061.E+051.E+041.E+031.E+021.E+011.E+001.E-011.E-021.E-031.E-041.E-051.E-06芯片集成度提高，单位存储价格迅速下降Flip-FlopsCore存储行业每18个月ICs

onboards集100$/GB，DRAM技术日渐成熟SIMMs成度提升1倍10$/GB，FLASH市场需求爆发DIMMsBig

Drives性能FloppyDrives提升

1倍0.01$/GB，集成度不断提升100万$/GB，大型计算机存储为主SmallDrivesFlashMemory1万$/GB，家用PC等小型存储出现SSD单位价格ퟏ下降ퟐ1955

1960

1965

1970

1975

1980

1985

1990

1995

2000

2005

2010

2015

2020

2025数据：

NIMBUS，长城证券产业金融研究院9存储芯片：供需格局紧张，预计25Q4DRAM/NAND价格均环比提升，有望创历史新高⚫

25Q3存储芯片价格速递：旧制程产品价格激增带动DRAM合约价环比提升10%~15%；HDD供给短缺与过长交期使CSP需求快速转向QLC

Enterprise

SSD，短期内急单大量涌入，驱动NAND合约价环比提升3%~8%。⚫

从存储合约价看—（1）DRAM：25Q3季度一般型DRAM合约价环比提升10%~15%，若纳入HBM产品，价格环比提升15%~20%；（2）NAND：

25Q3季度NAND合约价环比提升3%~8%。⚫

从存储大厂看—（1）SK海力士：25Q3季度，DRAM

ASP环比提升中个位数百分比，NAND

ASP环比提升低十位数百分比；（2）美光：FY25Q4季度，DRAM

ASP环比提升低十位数百分比，NAND

ASP环比提升高个位数百分比。⚫

25Q4存储芯片价格展望：服务器需求提前发酵、旧制程产品涨幅仍较大，驱动Q4

DRAM合约价环比提升13%~18%；受QLC

NAND产品热度的外溢效应驱动，带动Q4

NAND合约价环比提升5%~10%。⚫

（1）DRAM：由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server

DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和，预计25Q4季度一般型DRAM合约价环比提升8%~13%，若纳入HBM产品，价格环比提升13%~18%

。⚫

（2）NAND：由于Server

OEM及CSP业者上半年积极清理库存，加上英伟达新一代Blackwell芯片于25H2进入放量出货阶段，叠加HDD供给吃紧，带动Enterprise

SSD需求大幅攀升，预计25Q4季度NAND合约价将环比提升5%~10%。图：旧制程产品价格激增带动DRAM合约价环比提升10%~15%；HDD供给短缺与过长交期使CSP需求快速转向QLC

Enterprise

SSD，短期内急单大量涌入，驱动NAND合约价环比提升3%~8%存储芯片(美元/颗，左轴)全球半导体产品平均单价指数(3MMA，1991年3月=1，右轴)美光存货周转天数(天，左轴)25020015010050库存至阶段性低点后，存储芯片价格开始回升库存至阶段性低点后，存储芯片价格开始回升库存至阶段性低点后，存储芯片价格开始回升美光：FY25Q4美光存货天数123天，环比-15天率先调整企稳存储芯片库存下降存储芯片库存下降至低点存储芯片价格企稳07存储芯片价格下跌半导体产品平均单价回升2.5265432102000年8月存储芯片价格领先半导体芯片平均价格4个月下跌半导体产品平均单价下跌半导体行业库存下降半导体行业库存上升主动去库存完成调整2018年10月1.512006年11月2007年1月2002年6月存储芯片价格领先半导体芯片平均价格2个月下跌2019年9月2009年6月2000年12月存储芯片价格领先半导体芯片平均价格6个月上升2018年12月2019年11月存储芯片价格领先半导体芯片平均价格2个月上涨0.502001年12月存储芯片价格领先半导体芯片平均价格2个月下跌存储芯片价格领先半导体芯片平均价格5个月上涨2009年1月数据：IDC，WSTS，Semi，Canalys，Omdia，ICInsignts，长城证券产业金融研究院10存储供需周期(DRAM测算表)⚫

据我们测算，2025年DRAM位元供给/需求增速将分别达+23%/+26%，供需充足率为-5%，供不应求状态下，价格有望上涨。⚫

从需求容量来看，2024年为2377亿Gb，同比+22%，并预计2025年提升至3000亿Gb，同比+26%。⚫

分下游应用来看，HBM及其他DRAM需求容量2025年分别同比+89%、24%。⚫

据我们测算，2026年DRAM位元供给/需求增速将分别达+17%/+25%，供需充足率为-9%，供不应求状态进一步加剧，价格有望上涨。⚫

从需求容量来看，预计2026年分别提升至3745亿Gb，同比+25%。⚫

分下游应用来看，

HBM及其他DRAM需求容量2026年分别同比+67%、22%。⚫

据我们测算，2027年DRAM位元供给/需求增速将分别达+20%/+18%，供需充足率为-7%，供不应求状态下，价格有望上涨。⚫

从需求容量来看，预计2027年提升至4418亿Gb，同比+18%。⚫

分下游应用来看，

HBM及其他DRAM需求容量2027年分别同比+30%、17%。11数据：ICInsights，Semi，WSTS，IDC，Omdia，TrendForce，各公司官网，长城证券产业金融研究院存储供需周期(NAND

Flash测算表)⚫

据我们测算，2025年NAND

Flash位元供给/需求增速将分别达+12%/+19%，供需充足率为9%，供需紧平衡状态下，价格有望上涨。⚫

需求容量来看，2024为7165亿GB，同比+13%，并预计2025年提升至8513亿GB，同比+19%。⚫

分下游应用来看，PC、手机、服务器需求容量2025年分别同比+17%、+12%、+55%。⚫

据我们测算，2026年NAND

Flash位元供给/需求增速将分别达+17%/+27%，供需充足率为1%，供需紧平衡状态进一步收紧，价格有望上涨。⚫

需求容量来看，预计2026年提升至10786亿GB，同比+27%。⚫

分下游应用来看，PC、手机、服务器需求容量2026年分别同比+15%、+14%、+69%。⚫

据我们测算，2027年NAND

Flash位元供给/需求增速将分别达+20%/+18%，供需充足率为3%，供需紧平衡状态有所放松，价格上涨趋势将存在挑战。⚫

需求容量来看，预计2027年提升至12737亿GB，同比+18%。⚫

分下游应用来看，PC、手机、企业级需求容量2027年分别同比

+9%、

+12%、+35%。12数据：ICInsights，Semi，WSTS，IDC，Omdia，TrendForce，各公司官网，长城证券产业金融研究院存储供给未来周期图(中国的机会及产业链的机会)存储器分类：光学+磁性+半导体半导体存储关键技术进展：NAND+DRAMDRAM/NANDFlash存储市场呈现海外寡头垄断格局，CR3/CR5高达95+%CD性能分类原理示意图关键制程节点技术路径DRAM:

CR3达97%959亿美元NAND

Flash:

CR5达95%656亿美元NORFlash:

CR3达63%28亿美元光学存储276L3DNAND通过电子隧穿进浮栅DVD行业概况NANDFlash磁盘SK海力士(含Solidigm)$140亿三星$234亿(占36%)NANDFlash(占比39.7%)其他$10亿(占37%)华邦$8亿(占27%)存储器SK海力士$330亿(占34%)三星$398亿(占42%)磁性存储软盘NORFlash(占比1.7%)(占21%)机械硬盘通过电容存储电荷10nm(1β)HBM(高带宽存储)EEPROM等WDC$72亿(占11%)非易失性存储易失性存储Kioxia$95亿(占14%)美光$85亿(占13%)DRAM(占比57.9%)DRAM兆易创新$5亿(占19%)旺宏$5亿(占17%)半导体存储美光$206亿(占22%)其他2024年市场规模1655亿美元，占半导体市场规模超1/4的比重其他SRAM等存储产业链结构产业周期：存储周期通常为3-4年，是半导体风向标供给侧：各原厂积极扩产HBM，25年资本开支预计高于原计划产业链及产业周期存储原厂铠侠2024年

(扩产/提高投资)2025年

(进一步扩产/提高投资)上游-原材料+设备同比YoY全球存储芯片市场规模(亿美元，3MMA)同比YoY计划将资本支出控制在营收的20%以内，计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线，在五年内(2024-2029财年)将产能翻一番存储芯片平均单价(美元/颗，3MMA)3月NAND

Flash产能利用率恢复至90%硅片PCB光刻机CMP设备刻蚀设备薄膜沉积设备封测设备160140120100806040200市场规模：存在周期性波动，当前已进入上行周期150%存储价格：AI带动终端需求回暖，当前价格仍处上涨阶段1210880%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%西部数据/闪迪

2024年继续严格控制资本开支公司总体目标是尽可能实现100%的产能利用率电阻/电容/电感100%50%2025财年资本支出计划保持不变，约为140亿美元(同比+73%)，其中大部分将用于支持HBM，以及设施建设、后端制造和研发投资2024财年资本支出81亿美元(高于此前规划)，同比略增，主要支持HBM3E扩产美光中游-存储器模组制造60%4为满足HBM扩产和M15X的新投资决定，2024年

将2025年资本支出上调30%至203亿美元(高于原计划的154资本支出约18万亿韩元，较年初计划略有增加SK海力士存储芯片设计Fabless-50%-100%亿美元)，其中大部分将用于HBM生产2IDM(原厂)0已在平泽P4园区启动首条1cDRAM量产线并追加投资，预计将达到每月4万片晶圆产能；并计划将华城17号线转换为1c产能，1c制程计划将用于HBM4生产主控芯片存储晶圆制造将超过20%的DRAM生产线转换为HBM生产线，2024年资本开支为53.6万亿韩元三星模组厂商&封测厂商器件/模组封测需求侧1：AI服务器存储量价齐升，AI算力催化HBM需求激增需求侧2：单机平均存储容量翻2/4倍，将带动总需求数倍增长下游-应用领域供需格局行业规律：每投资1美金算力→对应投资

0.5美金存储Yole预计26年全球HBM市场规模将达460亿美元，占DRAM市场比重达35%，CAGR(24~30)将达33%AI手机/AI

PC对存储需求升级→单机平均容量翻2/4倍+移动终端出货量稳定→总存储容量需求数倍增长移动终端摄影/监控…据测算：较普通服务器相比，AI服务器需求的HBM单机价值量达1.8万美元据Yole预测：2026年全球HBM市场规模将达460亿美元，占DRAM市场比重达34%全球智能手机出货量(亿部)全球PC出货量(亿台）12.9

13.512.1

11.6

12.3手机单机平均NAND容量：128GB→256GB\512GB20100HBM市场规模(十亿美元)占DRAM市场比重(%)80%14.4

14.7

14.7

13.9

13.7AI服务器

成本占比

普通服务器

成本占比13.0零件类型价值量提升金额(美元)16012080PC单机平均NAND容量：512GB→1TB10.2电脑/服务器汽车电子(美元)(%)(美元)(%)45%49%

49%

50%60%40%20%0%显存HBMDRAM18000

9%17000

9%19000

10%200000

100%-0%1800010400660035%26%34.0…18%存储3.2

3.1

2.8

2.6

2.6

2.6

2.7

3.0

3.5

2.9

2.5

2.62013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022

2023

2024封装测试6600

17%12400

31%40000

100%10%2%83.098.04059.0

71.0硬盘SSD+RAID总成本46.001600002022

2023

2024

2025

2026

2027

2028

2029

2030刻蚀设备薄膜沉积设备光刻机存储晶圆存储芯片设计存储模组主控芯片公司分类境外(含港澳台)中国大陆北方华创中微公司境外(含港澳台)TEL应用材料中国大陆境外(含港澳台)ASML尼康中国大陆华卓精科境外(含港澳台)美光三星中国大陆境外(含港澳台)中国大陆境外(含港澳台)Kingston中国大陆境外(含港澳台)Marvell慧荣科技中国大陆境外(含港澳台)中国大陆LamTELAMAT拓荆科技北方华创长江存储长鑫存储三星铠侠SK海力士兆易创新北京君正东芯股份普冉股份江波龙佰维存储德明利联芸科技得一微日月光深科技华天科技长电科技通富微电佳能SK海力士朗科科技13数据：IDC，WSTS，Omdia，Counterpoint，Yole，Gartner，ScienceDirect，TechInsights，Applied

Materials，半导体行业观察，闪存市场，TrendForce，各公司官网，长城证券产业金融研究院

13二、投资建议及