雨课堂学堂在线学堂云《混合集成电路芯片测试（深圳信息职业技术学院）》单元测试考核答案

第1题作为新时代的新青年，理应学习前辈们艰苦奋斗，无私奉献的精神。以后遇到任何难题，要像”两弹一星“功臣们那样，迎难而上，不畏艰险，勇往直前，主动把国家未来、民族希望扛在肩上，在实现中国梦的生动实践中放飞青春梦想。（

）第2题当前国家迫切需要封测领域的人才，希望同学们能始终保持对集成电路专业的敬畏之心，怀揣专业热忱，走稳脚下的每一步，把小我融入大我，不仅仅考虑自己今后就业，也为了我国集成电路产业的发展做出自己应有的贡献。（

）第1题分析线性区理想运放的两个重要依据是“虚短”和“虚断”。（

）第2题集成运算放大器存在两种工作模式：开环回路工作模式和闭环回路工作模式。（

）第3题共模抑制比KCMRR为集成运放开环差模电压增益Aud与共模电压增益Acd之比的

值。（

）A对数B指数第4题集成运算放大器的主要性能指标有差模特性、共模特性、失调参数、直流参数等。2.1LM358测试电路搭建与资源分配作业第1题LM358芯片的电参数是在电源电压（V+）-（V-）等于

V时给出的。（

）A2.5B5第2题LM358芯片包含一个运放。（

）第3题DPS资源，提供V+引脚和V-引脚电源输入，并测量被测器件电流功耗。（

）2.2LM358输入失调电压和输入失调电流测试作业第1题理想集成运放两个输入端都接地，输出为零。（

）第2题继电器K1闭合的代码为cbit.Signal("K1").SetOn();sys.DelayUs(8000);（

）第3题输入失调电流测量值在

单位量级。（

）A毫安

B微安C纳安第4题根据运放“虚断”的概念，理想运放输入电阻无穷大，流入运放两个输入端电流为

。（

）A无穷大B零2.3LM358共模抑制比测试作业第1题对于运放来说，由于共模信号会对电路产生干扰，因此要抑制共模信号。（

）第2题共模抑制比（CommonModeRejectionRatio,CMRR）——共模电压增益与差模电压增益的比值。（

）第3题共模抑制比测试在TMF文件中编写测试程序。（

）第4题复位DPS_GRP引脚分配的DPS资源的代码如下（不需要断开继电器）：dps.Signal("DPS_GRP").SetMode("FVMI").VoltForce(0.0).Execute();（

）2.4LM358开环电压增益测试作业第1题实际运放的开环电压增益是一个定值吗？（

）A是B不是第2题采用辅助运放测量法来测量开环电压增益。（

）第3题建立开环电压增益测试工程主要步骤：（

）（1）建立Signal文件（2）建立Group文件（3）建立TMF文件（4）在test.cpp文件中编写测试程序（5）测试工程经过编译、加载、运行，得到最终测试结果。2.5LM358电源抑制比测试作业第1题实际运放在工作时，电源变化不会引起输出的变化。（

）第2题电源抑制比（PowerSupplyRejectionRatio，PSRR）定义为集成运放的电源电压变化量与所引起的集成运放输入失调电压变化量的比值。（

）第3题电源抑制比的单位是。（

）AdBBV第4题代码bpmu.Measure(Uo1,MEAS_AVG,10,10)；中第一个10代表什么含义？（

）A测量十次B测量间隔10微秒2.6LM358电源静态功耗测试作业第1题采用单电源供电时，集成运放的静态功耗等于电源电压与电源电流的乘积。（

）第2题当采用双电源供电时，集成运放的静态功耗等于双电源功耗之积。（

）第3题LM358芯片电源静态功耗测试测试工程不需要经过编译、加载、运行，就能得到最终测试结果。（

）第4题LM358芯片电源静态功耗测试在test.cpp文件中编写测试程序。（

）项目二集成运算放大器测试作业第1题分析线性区理想运放的两个重要依据是“虚短”和“虚断”。（

）第2题LM358芯片包含一个运放。（

）第3题根据运放“虚断”的概念，理想运放输入电阻无穷大，流入运放两个输入端电流为

。（

）A无穷大B零第4题共模抑制比（CommonModeRejectionRatio,CMRR）是共模电压增益与差模电压增益的比值。（

）第5题实际运放的开环电压增益是一个定值吗？（

）A是B不是第6题电源抑制比的单位是。（

）AdB

BV第7题LM358芯片电源静态功耗测试在test.cpp文件中编写测试程序。（

）3.0项目准备作业第1题电源管理芯片（PowerManagementIC，PMIC）广泛应用于通讯设备、消费电子、工业控制、汽车电子、医疗器械等应用领域。（

）第2题希望同学们在未来的学习和工作中，善于观察、勇敢地抓住机会，从点点滴滴做起，注重科技创新，来完善现有科技的不足，肩负起科技创新的责任。（

）第3题串联型稳压电路的工作原理是：电源输出端的取样电阻检测到电压的变化，把这变化的电压通过取样管放大送到调整管的基极，让调整管导通程度变化，这种变化总是与电压的波动相，从而保证输出电压的稳定。（）A同B反3.1TPS73625测试电路搭建与资源分配作业第1题对于TPS736系列芯片，最后两位数字代表输出的电压值。（

）第2题TPS73633芯片稳定输出电压V。（

）A2.5B3.3第3题TPS73625芯片的NR引脚为使能引脚。（

）第4题BPMU资源：板级4通道电压电流源及精密测量单元，具有比PPMU更优的量程范围及测量精度。（

）3.2TPS73625开短路测试作业第1题做电路实验的时候，通常第一步要检查电路的连通性。对于芯片测试来说，也需要首先测试芯片自身电路的连通性。（

）第2题集成电路设计时，为了保护输入、输出引脚电路，避免因静电放电（ESD）或过压等情况导致电路损坏，会在引脚与地/电源之间加入一个保护二极管。电路正常工作时保护二极管处于正向导通状态，不会对电路正常工作造成影响。（

）第3题以ATE为参照，流出ATE的电流为电流。（

）A正B负第4题钳制电压的绝对值要小于电压判断值的上限（Limit），否则会因为电压被钳制而造成错误判断。（）3.3TPS73625输出电压测试作业第1题TPS73625芯片固定输出电压精度是±0.5%。（

）第2题芯片数据手册中输入电压范围为2.7V~6.5V。（

）第3题建立TPS73625输出电压测试工程主要步骤：（

）（1）建立Signal文件（2）建立Group文件（3）在test.cpp文件中编写测试程序（4）测试工程经过编译、加载、运行，得到最终测试结果。第4题闭合连接到EN引脚的PPMU通道的继电器的代码为：bpmu.Signal("EN").Connect();sys.DelayUs(10000);（

）3.4TPS73625最大输出电流测试作业第1题稳压芯片的输出电流并不跟输出电压一样，它是根据负载大小而变化的。（

）第2题TPS73625最大输出电流的单位量级为。（

）A微安B毫安第3题建立TPS73625最大输出电流测试工程主要步骤：（

）（1）建立Signal文件（2）建立Group文件（3）建立TMF文件（4）在test.cpp文件中编写测试程序（5）测试工程经过编译、加载、运行，得到最终测试结果。3.5TPS73625输入输出压差测试作业第1题如果让LDO保持稳定输出，输入电压要大于输出电压+压差。（

）第2题压差越低，稳压芯片的性能就越差。（

）第3题TPS73625输入输出压差测试不需要建立TMF文件。（

）第4题使用DPS资源分别向被测芯片IN引脚施加2.4V直流电压的代码如下：dps.Signal("EN").SetMode("FVMV").VoltForce(2.4).CurrRange(500e-3).CurrClamp(500e-3,-500e-3).Execute();sys.DelayUs(10000);（

）3.6TPS73625接地电流测试作业第1题接地电流测试条件是使得输出电流保持10mA或者400mA。（

）第2题接地电流单位量级不是微安级。（

）第3题接地电流测试工程经过编译就可以得到最终测试结果。（

）第4题断开K4的代码为cbit.Signal("K1").SetOff();sys.DelayUs(10000);（

）3.7TPS73625负载调整率测试作业第1题负载调整率（又称负载效应）是指在额定输入电压下，随着负载变化，输出电压的变化程度。（

）第2题LDO输入电压始终不变，输出电压不会受到负载变化的影响。（

）第3题复位EN引脚分配的PPMU资源代码：ppmu.Signal("EN").SetMode("FVMI").VoltForce(0.0).Execute();ppmu.Signal("EN").DisConnect();sys.DelayUs(10000);（

）3.8TPS73625线性调整率测试作业第1题线性调整率（LINEREGULATION）是指在特定负载电流条件下，当输入电压变化时，引起对应输出电压的变化程度。（

）第2题线性调整率越大，输入电压变化对输出电压影响越小，芯片的性能越好。（

）第3题线性调整率测试工程经过编译、加载、运行，得到最终测试结果。（

）第4题使用DPS资源分别向被测芯片IN引脚施加3.0V直流电压时，不需要打开连接到IN引脚的DPS通道继电器。（

）项目三电源管理芯片测试作业第1题串联型稳压电路的工作原理是：电源输出端的取样电阻检测到电压的变化，把这变化的电压通过取样管放大送到调整管的基极，让调整管导通程度变化，这种变化总是与电压的波动相，从而保证输出电压的稳定。（

）A同B反第2题TPS73633芯片稳定输出电压V。（

）A2.5B3.3第3题以ATE为参照，流出ATE的电流为电流。（

）A正B负第4题闭合连接到EN引脚的PPMU通道的继电器的代码为：bpmu.Signal("EN").Connect();sys.DelayUs(10000);（

）第5题TPS73625最大输出电流的单位量级为。（

）A微安B毫安第6题使用DPS资源分别向被测芯片IN引脚施加2.4V直流电压的代码如下：dps.Signal("EN").SetMode("FVMV").VoltForce(2.4).CurrRange(500e-3).CurrClamp(500e-3,-500e-3).Execute();sys.DelayUs(10000);（

）第7题接地电流测试工程经过编译就可以得到最终测试结果。（

）第8题LDO输入电压始终不变，输出电压不会受到负载变化的影响。（

）第9题线性调整率测试工程经过编译、加载、运行，得到最终测试结果。（

）4.0项目准备作业第1题电可擦可编程只读存储器（ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory，EEPROM）属于掉电后数据不丢失的存储芯片，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。（

）第2题本项目测试的存储器芯片属于什么总线兼容系列？（

）AMicrowire

BI2CCSPI第3题I2C总线传输数据的起始条件是：SCL线是高电平时，SDA线从高电平向低电平切换。（

）第4题I2C总线传输数据的停止条件是：SCL线是高电平时，SDA线从高电平向低电平切换。（

）4.1HK24C02测试电路搭建与资源分配作业第1题测试HK24C02芯片时,给芯片VCC引脚分配DIO通道的PPMU资源以提供电源电压,SDA和SCL引脚分配了数字DIO资源。()第2题Pattern最后一行必须为是stop语句。(

)第3题DIO模块主要由驱动单元(输入)、动态负载单元和电压接收单元(输出)组成。(

)第4题若对芯片内部所有的存储单元进行读写以确认ROM部分的问题,最好采用按页写和当前地址读操作。(

)第5题HK24C02芯片采用256×8bit的组织架构,即内部含有256个字节。每页有8个字节,总共32页。通过2线串行接口进行读写操作。(

)4.2HK24C02开短路测试作业第1题ppmu.Signal("pattern_pins").SetMode("FIMV").CurrForce(-1.0e-4).CurrRange(1.0e-4).VoltClamp(2,-2).Execute();sys.DelayUs(2000);该段代码出现在测试芯片引脚对电源保护二极管开短路测试中。()第2题建立HK24C02开短路测试工程主要步骤:(1)建立Signal文件(2)建立Group文件(3)建立TMF文件(4)在test.cpp文件中编写测试程序(5)测试工程经过编译、加载、运行,得到最终测试结果。()第3题开短路测试时,需要对测得的电压进行钳制限制,避免输出电压过大损坏测试机和被测芯片。(

)第4题对于存储芯片测试来说,开短路具体流程如下:(1)将所有引脚接地(“清零”);(2)给被测引脚施加-100μA电流,使保护二极管

;(3)测量导通压降,判断被测引脚的开短路状态。(

)A正向导通B反向截止4.3HK24C02漏电流测试作业第1题ppmu.Signal("pattern_pins").SetMode("FVMI").VoltForce(0).CurrRange(2.0e-2).Execute();sys.DelayUs(1000);该段代码出现在IIH测试中。（

）第2题测量IIL时,被测引脚处于电平。(

)A低B高第3题HK24C02漏电流测试不需要建立Signal文件。()第4题漏电流测试方法:漏电流测试需要根据产品手册()或测试规范(TestSpecification)对被测引脚施加额定的电压,然后测量其流入或流出的电流是否符合相应的设计规范。()4.4HK24C02写操作测试作业第1题使用API手册的PinLevel资源设置输入输出电平值。（

）第2题查阅芯片数据手册,芯片的频率为1MHz,则时钟周期为ns。(

)A100B1000第3题芯片读写测试中需要关注两个非常重要的文件,分别是Timing文件和Pattern文件。(

)第4题回顾HK24C02芯片技术手册,芯片一共有256字节,32页,第一页地址为00000000,第二页地址为00000001。(

)4.5HK24C02读操作测试作业第1题查阅API手册中的DIO模块下的Pattern模块,可以实现加载Pattern文件的功能。(

)

第2题建立HK24C02读操作测试工程主要步骤如下:

(

)

(1)建立Signal文件

(2)建立Group文件

(3)建立Timing文件

(4)建立Pattern文件

(5)建立TMF文件

(6)在test.cpp文件中编写测试程序

(7)测试工程经过编译、加载、运行,得到最终测试结果。第3题Pattern文件中stop表示暂停执行向量。(

)第4题“读完一个字节的数据无需测试机发送应答位。”是读操作与写操作的不同点。(

)项目四EEPROM测试作业第1题ppmu.Signal("pattern_pins").SetMode("FVMI").VoltForce(0).CurrRange(2.0e-2).Execute();sys.DelayUs(1000);该段代码出现在IIH测试中。(

)第2题测试HK24C02芯片时,给芯片VCC引脚分配DIO通道的PPMU资源以提供电源电压,SDA和SCL引脚分配了数字DIO资源。(

)第3题I2C总线传输数据的停止条件是:SCL线是高电平时,SDA线从高电平向低电平切换。(

)第4题建立HK24C02开短路测试工程主要步骤：（

）（1）建立Signal文件（2）建立Group文件（3）建立TMF文件（4）在test.cpp文件中编写测试程序（5）测试工程经过编译、加载、运行，得到最终测试结果。

第5题芯片读写测试中需要关注两个非常重要的文件，分别是Timing文件和Pattern文件。（

）第6题查阅API手册中的DIO模块下的Pattern模块，可以实现加载Pattern文件的功能。（

）5.0项目准备作业第1题单片机主要由CPU、存储器、定时器/计数器、I/O口和中断系统等组成。(

)第2题同学们应该不为名利所惑,不为浮华所扰,真正静下心来,刻苦钻研、不懈追求,为我国芯片事业发展贡献智慧和力量。(

)5.1HK32F031F4P6测试电路搭建与资源分配作业第1题HK32F031F4P6芯片型号中的F代表什么含义?(

)A10pinsB20pins第2题Socket插座一侧带有倒三角的为芯片第一管脚,以逆时针的方向依次为芯片的2~20引脚。(

)

第3题测试HK32F031F4P6芯片时,给芯片VDD和VDDA引脚分配了PPMU资源。(

)第4题HK32F031F4P6典型的封装结构为DIP,引脚间距为0.65mm。(

)5.2HK32F031F4P6开短路测试作业第1题binObj.CheckResultAndBin(0,OSP,17);代码中的17代表测量比较的个数(为除VDD,VDDA和GND引脚以外的17个引脚的测量结果)。(

)

第2题HK32F031F4P6开短路测试工程经过加载,得到最终测试结果。(

)第3题对于MCU芯片测试来说,开短路具体流程如下:(1)将所有引脚接地(“清零”);(2)给被测引脚施加100μA电流或者-100μA电流,使保护二极管正向导通;(3)测量导通压降,判断被测引脚的开短路状态。(

)5.3HK32F031F4P6输出高低电平测试作业第1题Timming文件中L代表低电平比较。(

)

第2题Timming文件中H代表输入高电平。(

)第3题不同芯片进入设计模式的方法不同，主要方法有以下两种：一、使用测试机向芯片输入指定Passcode。二、使用测试机向某些芯片指定引脚施加高低电平。(

)第4题为了仅通过芯片引出的引脚来完成内部所有模块的测试,就需要设计测试模式以提高芯片测试覆盖率。(

)5.4HK32F031F4P6噪声滤波功能测试作业第1题同学们可以根据编程思路,用自己的编程风格编写代码。(

)第2题Pattern文件可以在excel文档中编写,再加载到工程文件中。(

)第3题Timming文件中U代表高电平比较。(

)第4题Timming文件中D代表输入低电平。(

)5.5HK32F031F4P6HSE时钟输入引脚漏电流测试作业第1题建立HK32F031F4P6HSE时钟输入引脚漏电流测试测试工程步骤如下:(1)建立Signal文件(2)建立Group文件(3)建立TMF文件(4)在test.cpp文件中编写测试代码(5)测试工程经过编译、加载、运行,得到最终测试结果。(

)

第2题当PA4引脚完成44位Passcode输入后,Boot0引脚需要再多输入一个时钟周期。(

)第3题Pattern最后一条语句不需要一定是Stop语句。(

)第4题Timming文件中X代表不关。(

)5.6HK32F031F4P6掉电工作模式测试作业第1题VOH电平一般是电源电压的倍。(

)A0.3B0.7第2题HK32F031F4P6掉电工作模式测试时,芯片电源不需要供电。(

)第3题芯片TestPlan里面已经给出掉电工作模式测试的Passcode,需要用到三个引脚,分别是NRST,Boot0和PA4引脚。(

)5.7HK32F031F4P6自检测试模式测试作业第1题VOL电平一般是电源电压的()倍。()A0.3B0.7第2题Pattern运行结果:-1~1。()第3题查阅芯片TestPlan,芯片BIST测试的目的是对芯片内部10KbyteSRAM进行自测试。()5.8HK32F031F4P6高速晶振电路频率测试作业第1题HK32F031F4P6芯片进入高速晶振电路频率测试（HIST）的Passcode是什么？（

）A00100101001100011011111000001000011010001100B01001101100010110011001000001000011010001100第2题建立HK32F031F4P6高速晶振电路频率测试工程主要步骤：（

）（1）建立Signal文件（2）建立Group文件（3）建立Timing文件（4）建立Pattern文件（5）建立TMF文件（6）在test.cpp文件中编写测试代码（7）测试工程经过编译、加载、运行，得到最终测试结果。第3题使用TMU资源中的Freq模块测量PA7引脚频率。（

）项目五MCU芯片测试作业第1题使用TMU资源中的Freq模块测量PA7引脚频率。(

)第2题Pattern运行结果:-1~1。(

)第3题建立HK32F031F4P6HSE时钟输入引脚漏电流测试测试工程步骤如下:(1)建立Signal文件(2)建立Group文件(3)建立TMF文件(4)在test.cpp文件中编写测试代码(5)测试工程经过编译、加载、运行,得到最终测试结果。(

)第4题binObj.CheckResultAndBin(0,OSP,17);代码中的17代表测量比较的个数(为除VDD,VDDA和GND引脚以外的17个引脚的测量结果)。(

)第5题VOH电平一般是电源电压的倍。(

)A0.3B0.7第6题Timming文件中U代表高电平比较。(

)第7题Timming文件中H代表输入高电平。(

)第8题HK32F031F4P6芯片型号中的F代表什么含义?(

)A10pinsB20pins第9题单片机主要由CPU、存储器、定时器/计数器、I/O口和中断系统等组成。(

)6.0项目准备作业第1题A/D的转换过程主要是取样、保持、量化及编码这几个步骤。(

)

第2题A/D转换的作用是将时间连续、幅值也连续的模拟信号转换为时间离散、幅值也离散的数字信号。(

)第3题ADC芯片是将数字信号转换成模拟信号的器件,称为模数转换器(AnalogToDigitalConverte),又称A/D转换器。(

)6.1ADC0832芯片测试电路搭建与资源分配作业第1题当ADC0832芯片DI（datain）引脚MUXAddress为11时，对通道进行转换。（

）ACH1

BCH2第2题给ADC0832芯片CH0和CH1引脚分配DIO资源即可。()第3题给ADC0832芯片CLK引脚分配了DPS资源。()第4题ADC0832芯片CS为片选使能,高电平有效。(

)6.2ADC0832开短路测试作业第1题binObj.CheckResultAndBin(0,N_RESULT,7);代码中“0”代表tmf文件中测试项的ParamID索引为0。(

)

第2题建立ADC0832开短路测试测试工程主要步骤:(1)建立Signal文件(2)建立Group文件(3)建立TMF文件(4)在test.cpp文件中编写测试代码(5)测试工程经过编译、加载、运行,得到最终测试结果。(

)第3