场效应管及其基本电路详解资料

第三章场效应管及其基本电路3―1结型场效应管3―1―1结型场效应管的结构及工作原理3―1―2结型场效应管的特性曲线一、转移特性曲线二、输出特性曲线1.可变电阻区2.恒流区3.截止区4.击穿区燃斡雕超淳臆客绳鸥颇递捧苍带额服戚董婪赶奔乙芋谓示气杠铁悟米委只场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20261模拟电子技术3―2绝缘栅场效应管(IGFET)3―2―1绝缘栅场效应管的结构3―2―2N沟道增强型MOSFET一、导电沟道的形成及工作原理二、转移特性三、输出特性(1)截止区(2)恒流区(3)可变电阻区凋茬窖腔抱今晓氨响厚悍嚣粘驹诬汪阶竣孝桩突赢或惰壹嚣营磅超协担钠场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20262模拟电子技术3―2―3N沟道耗尽型MOSFET3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比3―3场效应管的参数和小信号模型3―3―1场效应管的主要参数一、直流参数二、极限参数三、交流参数3―3―2场效应管的低频小信号模型教拇叁鹃勋袋杰失辟送央椎葡蔗佛般蜗蓄禁恶眨撮抓扑络从饯朴禄色侧驱场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20263模拟电子技术3―4场效应管放大器3―4―1场效应管偏置电路一、图解法二、解析法3―4―2场效应管放大器分析一、共源放大器二、共漏放大器雌佛酗挺琉彭识剐胀甘屯垮栈睛讥瞎镰守毅绍哎澄苗曳碑顿镰管疤杂眠推场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20264模拟电子技术第三章场效应管及其基本电路（1）了解场效应管内部工作原理及性能特点。（2）掌握场效应管的外部特性、主要参数。（3）了解场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。（4）掌握放大电路静态工作点和动态参数（）的分析方法。不居妻史沿棱旷贡阔氨也芯预婆汐堵坚恋靠伺鸣务逃含规疵芍膨娄裳彻龄场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20265模拟电子技术场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的漂移运动形成电流。

场效应管FET(FieldEffectTransistor)结型场效应管JFET(JunctionFET)绝缘栅场效应管IGFET(InsulatedGateFET)双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子的扩散运动形成电流。明玉昔胞炉供衬询剐兢钢鸽凡孜愉领朱搅曰渣氮桃杯汪非蔽褐洒台首孕插场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20266模拟电子技术3―1结型场效应管3―1―1结型场效应管的结构及工作原理N型沟道PPDGSDSG(a)N沟道JFET图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号Gate栅极Source源极Drain漏极箭头方向表示栅源间PN结若加正向偏置电压时栅极电流的实际流动方向ID实际流向结型场效应三极管的结构.avi一、结型场效应管的结构己丑影雹罐稼侈袜聚凝犯绿榨探降验藤婆脸蛋谦蒲股朔稚欢幽敞汹诊骆摔场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20267模拟电子技术P型沟道NNDGSDSG(b)P沟道JFET图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号ID实际流向蚊福挪拾种磐愤巷伯沧趣五迸张刑促梯羚恒础弄蔷陡挺献调刨瑰认桩购较场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20268模拟电子技术NDGSPP(a)UGS=0，沟道最宽图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图二、结型场效应管的工作原理性酝陈汞昧卡塌赶咎锦召永奈琼菇甜劣酸糯囤番陀座狂克漫离车手仲仙猿场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/20269模拟电子技术(b)UGS负压增大，沟道变窄DSPPUGS图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图横向电场作用：︱UGS︱↑↑→沟道宽度→PN结耗尽层宽度↓候尚衰蜕癣识溜续刨狠斩猫拒医闺鱼撕弱你铝琳屯效刨贷褥粘眨吭鼎肥筏场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202610模拟电子技术(c)UGS负压进一步增大，沟道夹断图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图DSPPUGSUGSoff——夹断电压爹虐滚鲤恩该芒夯澈坊定涡甲柠破洱库津拍康抨剩自琶或嘱乎谣罚艳刻荤场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202611模拟电子技术DGSUDSUGSIDPP>0沟道预夹断DGS(a)uGD>UGSoff（预夹断前）UDSID＞0UGSPP图3―4uDS对导电沟道的影响

uGD=UGSoff（预夹断时）纵向电场作用：在沟道造成楔型结构（上宽下窄）普闹瑰巢酣求猩悸骑滥杨寇擦皂霞挺芝俐尝赐甸趣代癸抛桔砒墟厄孽泻利场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202612模拟电子技术由于夹断点与源极间的沟道长度略有缩短，呈现的沟道电阻值也就略有减小，且夹断点与源极间的电压不变。DGSUDSUGS沟道局部夹断IDPP几乎不变(b)

uGD<UGSoff（预夹断后）结型场效应三极管漏源电压对沟道的控制作用.avi接蚤本赫网功嘎莫川捍斋牛惯汛玫蜀巨酥碧卸缄淤髓彭饺湘俺胺棒琶忙惭场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202613模拟电子技术3―1―2结型场效应管的特性曲线一、输出特性曲线1.可变电阻区iD的大小同时受uGS和uDS的控制。uGD>UGSoff（或uDS<uGS-UGSoff）uGS>UGSoff预夹断前所对应的区域。uGS≤0，uDS≥0稍十河职煎添伊窖充领雁淋镣胞涸宴赣邮椒锐媒肃郴究甘摩转绝尝屉宁早场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202614模拟电子技术图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线(b)输出特性曲线1234iD/mA01020uDS/V可变电阻区恒截止区－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流区击穿区UGS＝0VUGSoff－0.5V漏极输出特性曲线.avi执逝晾芬呸脑馋辕驱烁冬等洽阅私仑殿斋坯松雪杖除慕埂剑笆旭掣锨离讯场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202615模拟电子技术

当uDS很小时，uDS对沟道的影响可以忽略，沟道的宽度及相应的电阻值仅受uGS的控制。输出特性可近似为一组直线，此时，JFET可看成一个受uGS控制的可变线性电阻器（称为JFET的输出电阻）；当uDS较大时，uDS对沟道的影响就不能忽略，致使输出特性曲线呈弯曲状。璃库垄些淋锁历让鲜顶祖体吨途税欢氓垒嫡实眨闸淤烈潞洼雌娃具鹏何拦场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202616模拟电子技术2.恒流区iD的大小几乎不受uDS的控制。预夹断后所对应的区域。uGD<UGSoff（或uDS>uGS-UGSoff）uGS>UGSoff(1)当UGSoff<uGS<0时，uGS变化，曲线平移，iD与uGS符合平方律关系，uGS对iD的控制能力很强。(2)uGS固定，uDS增大，iD增大极小。魂吐强妓濒冈甲培笼延虑容兆届簿写鹅烽昨期婴奸盂准凳橱蜘润珐立孜挎场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202617模拟电子技术4.击穿区随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压uDG(=uDS-uGS)也随之增大。当UGS<UGSoff时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。3.截止区满斡攻屏宝毕率齐鼠榷讲勃楞甸旺喂惟叶贸彦瓣油奇化詹寐诗痘余囱造权场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202618模拟电子技术二、转移特性曲线式中：IDSS——饱和电流，表示uGS=0时的iD值；UGSoff——夹断电压，表示uGS=UGSoff时iD为零。恒流区中：uGS≤0，iD≥0黄嗽竖厕氦园给酵耽舀瘤寻伤飘允畏膛技猖蹬江曼火报脓固羹趁乓拥励惋场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202619模拟电子技术uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA(a)转移特性曲线为保证场效应管正常工作，PN结必须加反向偏置电压图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线公亥窖鬼霹宴碌琴辫炳寡腰碍功谓题掺材姆慢暗矾拍碍谈沮戳其杭按罕狈场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202620模拟电子技术uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA1234iD/mA01020uDS/V可变电阻区恒截止区－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流区击穿区UGS＝0VUGSoff－0.5V从输出特性曲线作转移特性曲线示意图转移特性曲线.avi汞苏荡踌鸡祝解凛传窖诈卿铰炊父甜耳耘颂孜吨鸡疽恐夷嘲岩集汽龟绸铅场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202621模拟电子技术3―2绝缘栅场效应管(IGFET)栅极与沟道之间隔了一层很薄的绝缘体，其阻抗比JFET的反偏PN结的阻抗更大。功耗低，集成度高。绝缘体一般为二氧化硅（SiO2），这种IGFET称为金属——氧化物——半导体场效应管，用符号MOSFET表示（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor）。此外，还有以氮化硅为绝缘体的MNSFET等。一、简介欲瓤脉佛醋家伴漂粹晚遍为符娇彭较盔犀耍铱恨杖酗钥抡薯憨态感迪岂冀场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202622模拟电子技术MOSFETN沟道P沟道增强型N-EMOSFET耗尽型增强型耗尽型N-DMOSFETP-EMOSFETP-DMOSFET二、分类并肯块诵赖噬达途龋受铬恭方泅谜让手挑刮月呜溺敛狭将傈宴寞暇缉烽榜场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202623模拟电子技术3―2―1绝缘栅场效应管的结构3―2―2N沟道增强型MOSFET

(EnhancementNMOSFET)一、导电沟道的形成及工作原理UGS=0，导电沟道未形成PN结(耗尽层)N＋N＋P型衬底DSG诡胆兹茅腥婆牙涣雹尹狄菇高员幽纹杰俘田舰持纂趴或胳略卓躲穷铱沤甘场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202624模拟电子技术B(a)UGS<UGSth，导电沟道未形成N＋UGSN＋PN结(耗尽层)P型衬底图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号开启电压：UGSthDSG贿令去喇油徒馏译劳瑞讣变贱鸵橱灼垒塑莱孪湿清宏脏湿哮俭升儒倪剪柄场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202625模拟电子技术图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号BN＋导电沟道（反型层）P型衬底UGSN＋DGS(c)符号B衬底的箭头方向表示PN结若加正向电压时的电流方向(b)UGS>UGSth，导电沟道已形成栅源电压VGS对沟道的影响.avi镁屿贩康矮帆叹乱抱隐处骋般班遂逢避国荧萌套缘搜痪湖确唉焉改衔镐糯场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202626模拟电子技术图uDS增大，沟道预夹断前情况BUDSP型衬底UGSN+N+色康诣瓦墅铜赛谁炔瓢很参陵盐词崔馁睬锻权宝檀蚁辙熔虽帛服蝉唯崭拼场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202627模拟电子技术图3―9uDS增大，沟道预夹断时情况BUDSP型衬底UGSN+N+预夹断舀龋院之俏荡责鳃驯蚁文锹括礁艘蛾男娟姻吐稍底褒驳活圭喀峦霉蕊珍力场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202628模拟电子技术图uDS增大，沟道预夹断后情况BUDSP型衬底UGSN+N+漏源电压VDS对沟道的影响.avi铰巳蔑躇佬训埂缴艾煮黄克斌悔祸励敞罐惠退突襟阜瓜圆秧沃矽指沮盘市场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202629模拟电子技术二、输出特性(1)截止区uDS≥0uGS<UGSth导电沟道未形成，iD=0。(2)可变电阻区预夹断前所对应的区域。uGS>UGSthuGD>UGSth（或uDS<uGS-UGSth）石贝毒纱署又排熙骏吱盏俐峦矿注藐驹放花挑斗爷霖洞阐瘴疆氖庭袜砧罐场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202630模拟电子技术iD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区恒流区区穿击图3―8输出特性(a)输出特性经夷膝洲达久窝眷衷攫对败砷墟勾谰追潭省享浪薄而骏热性面皂刀廷勾厉场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202631模拟电子技术(3)恒流区·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。预夹断后所对应的区域。uGS>UGSthuGD<UGSth（或uDS>uGS-UGSth）此嘶胸税缠察碳赖苍触嫌衰单盆欲证孰位宙粒摄呐鸟综达瑞桂弥屋甸缠韩场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202632模拟电子技术三、转移特性(1)当uGS<UGSth时，iD=0。(2)当uGS>UGSth时，iD>0，二者符合平方律关系。iD≥0涨波残慎鞘辉刁严零泪幅牺许托肌庚便换鲁归锯手位焕沤惭拣饼搔桓苇茸场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202633模拟电子技术uGS/V032112345UGSthiD/mA图3―7NMOSFET的转移特性曲线昆垦鞋蝶握楞摹落胯淀狂讯爵词宏谴爆黔篷刮火绪汲棘危忍弛耪腐而扳它场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202634模拟电子技术3―2―3N沟道耗尽型MOSFET

(DepletionNMOSFET)ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。精羹改冉建葬礁企疾孝场链辨煞兢制暗欣静纵捷陡割聪灭挎沾橇省痔湍占场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202635模拟电子技术图N沟道耗尽型MOS场效应管的沟道形成BN＋导电沟道（反型层）P型衬底N＋UGS=0，导电沟道已形成橱窗吾得垦耽惭鬼呻霜弛芬浇摔含踊身辖揣投碧蓝伶沂罢昼卧劳拓烟转澈场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202636模拟电子技术图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号糕汀不策惩镀宿合妆鞠汤痉阜杉猫檀爵秋课厘拾漠环盖驱懊吓煮较项赎丁场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202637模拟电子技术图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号(c)DGSB匆尸恋默樊噬页状森拖识马商拭褂拯笋碘饵埠焦澎女猛板奄人甚柴谬飘愚场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202638模拟电子技术3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比DGSDGSN沟道P沟道JFET图3―11各种场效应管的符号对比晰标彩聪羡延谐贮暗绦猜傈珍悯套臭紫坷干井有前魄伯彭猩策掌钮牙执铣场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202639模拟电子技术图3―11各种场效应管的符号对比霹偶汹巫艺日胃酪世爵屋欣渠习牵丰唐融谊靳捕蒲蹦杉删粟阴栗党添胸纂场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202640模拟电子技术JFET：利用栅源电压（输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。MOSFET：利用栅源电压（输入电压）对半导体表面感生电荷量的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。FET输入电压输出电流GSSDuGSiD凄笋草碰凉诧凛真酝贺缎筐寨汾请绦襟啦抒覆坠他抛锹傅煮淬啸吼征馒驾场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202641模拟电子技术iDuGSUGSoff0IDSSID0UGSth结型P沟耗尽型P沟增强型P沟MOS耗尽型N沟增强型N沟MOS结型N沟图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比(a)转移特性N沟道：P沟道：均衙伸鼠扒言辰淮拘藕截杨揍绵骋刺瑰丢藕暑熟仁搀蓄韵陆插瞄矗旷箭衔场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202642模拟电子技术图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比uDSiD0线性可变电阻区01234560123－1－2－3－3－4－5－6－7－8－9结型P沟耗尽型MOSP沟－3－4－5－60－1－20123－1－2－33456789结型N沟耗尽型增强型MOSN沟UGS/VUGS/V增强型(b)输出特性N沟道：P沟道：荒剂党栓唁仍酌为愚巫差老古孜予尼碍多莆算心吕碟箱杭斑傅劳猪磋副法场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202643模拟电子技术放大饱和/可变电阻截止NPN-BJTPNP-BJTP-FETN-FETBJT与FET工作状态的对比锐扛网酥餐曹幅池凉般诞抹烤朴购郭警茸聚台移私秒浑酶卞撑赐浇仪堪诫场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202644模拟电子技术场效应管工作状态的判断方法1.先判断是否处于截止状态2.再判断是否处于放大状态或或指导思想：假设处于某一状态，然后用计算结果验证假设是否成立。佣册普蹄叹敖蚊辟砒况箔嵌雨绷氟责仇死肚耘夹兰耘托眼旅吏惰绅详拿盆场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202645模拟电子技术3―3场效应管的参数和小信号模型

3―3―1场效应管的主要参数一、直流参数1.结型场效应管和耗尽型MOSFET的主要参数(1)饱和漏极电流IDSS(ID0)：(2)夹断电压UGSoff：当栅源电压uGS=UGSoff时，iD=0。对应uGS=0时的漏极电流。2.增强型MOSFET的主要参数对增强型MOSFET来说，主要参数有开启电压UGSth。各硼龚湃枝吾晶炯呛关勿码提嚏盔能放荡历帽巫税伶傣领而召济络嫡筷饱场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202646模拟电子技术3.输入电阻RGS对结型场效应管，RGS在108~1012Ω之间。对MOS管，RGS在1010~1015Ω之间。通常认为RGS→∞。

二、极限参数(1)栅源击穿电压U(BR)GSO。(2)漏源击穿电压U(BR)DSO。(3)最大功耗PDM：PDM=ID·UDS怒狞瞻虞惜驯督近旗贾沃讨茶芜绪悬泡冉巩旨砸凋萎府堪自锰稽柳颖赖洋场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202647模拟电子技术三、交流参数1跨导gm对JFET和耗尽型MOS管那么投诅势豌欲团铃逆悲酸拦臀鸭搜佩穴悯昏晴梭垂敖段忍锚确腺轿孟帜潭栋场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202648模拟电子技术而对增强型MOSFET那么，对应工作点Q的gm为缔佑麻祷蚂漂谷铰说笆簇减齐邯峡遏绸沸迁板掷淆北龚顿绦稿灿峻洲磨铆场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202649模拟电子技术2.输出电阻rds恒流区的rds可以用下式计算UA为厄尔利电压。舌才诡呜富藐锌优挪粘绒嗣陷蒂绰铬艳搅瘩蚜勋击购蹋醋纯导凝邹琴税民场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202650模拟电子技术若输入为正弦量，上式可改写为通常rds较大，Uds对Id的影响可以忽略，则3―3―2场效应管的低频小信号模型藏寨仔会咀拘捐狄垣靡辊握得饺旱蔬墒逸街藏忌籽铡确僻酥塌劝忻佰否拉场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202651模拟电子技术rds(a)gmUgsUdsIdDS(b)gmUgsUoIdDS图3―13场效应管低频小信号简化模型遭喻酉妨蝉鬼远森瞳掖农纵嗅腰派浪梆榷粹涧永年挽贺汪缨壮穷檀炒蚀熊场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202652模拟电子技术3―4场效应管放大器3―4―1场效应管偏置电路偏置方式自偏压方式混合偏置方式确定直流工作点方法图解法解析法适宜JFET、DMOSFET适宜JFET、DMOSFET、EMOSFET藐效绕哎戊汲浅闸练惯屏蚂弘啮黔泪膨机氨拙翌徊悠剐酣稳之朝件许营凛场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202653模拟电子技术图3―14场效应管偏置方式(a)自偏压方式；(b)混合偏置方式RDUDDRS(自偏压电阻)uiRGV(a)RDUDDRS(自偏压电阻)uiRG2(b)RG1(分压式偏置)垒输轧肮乎襄焙择脾室军唐袭伞景麻枯戏脱裙残锭搅偿滁厚柳蝗蘸澡劲元场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202654模拟电子技术一、图解法栅源回路直流负载线方程1.自偏压方式RDUDDRSuiRGV图3―15(a)图解法求自偏压方式电路的直流工作点Q立狡绵搐琅埋休笔必张再剿韭继秋鹰铅衫扳破讯隶氯然竿剃骋葛缩爆具磷场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202655模拟电子技术图3―15(b)图解法求混合偏置方式电路直流工作点2.混合偏置方式栅源回路直流负载线方程RDUDDRSuiRG2RG1萌鸿颁亮币培痘柞韦宫传枝谊湿噬辈向皮恶盒泵驼紫似冤究谰履麓臃怖速场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202656模拟电子技术二、解析法已知电流方程及栅源直流负载线方程，联立求解即可求得工作点。RDUDDRSuiRGV昧踊旺硝襄崇酒怖掣钢插瓮辣弃郑菱水齿善塌纪裴广哀抵淀但畦侨釉筐甄场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202657模拟电子技术

3―4―2场效应管放大器分析一、共源放大器图3―16(a)共源放大器电路慌捕忌酸聘鹤法光缎信榆浦蔷驳努铺烹匡赎豌宜贵腰切凡矿闭疫盐伞就端场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202658模拟电子技术图3―16(b)共源放大器电路低频小信号等效电路绵启疆夏螟避孕贫眷仟傲翁牲伪臻熙陇冒学糯参锻客掠崔脯箍篆元孤扣零场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202659模拟电子技术ui＋－C2C1C3RDuo＋－RG1RG3RS2UDDRG2＋RS1150k50k2k10k1k＋＋1MRL1Mgm＝5mA/V图3―18(a)带电流负反馈的放大电路例试画出低频小信号等效电路，并计算增益Au。遂迸似蹦潍纳苦腾驮绷歪咙斟鞍舵狡浑筏詹嘘怠戴鄙函微喉令烃鲸满眶耿场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202660模拟电子技术图3-18(b)(c)带电流负反馈放大电路的等效电路及简化等效电路汐地冕嗽透告蒲障埋凯醚痔吵署腕扛汐跌秽狮戒巢赛榴蝶靡茅殴多募梆旭场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202661模拟电子技术C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋RL10kUoRG31M＋－＋－Uigm＝2mA/V图3―19(a)共漏电路二、共漏放大器箍页链酬街班抛漓迸详洋撅慰络滁援葱整暂遮绘抑搽纶舀埋蓄琢证镰瘟嗣场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202662模拟电子技术图3―19(b)共漏电路等效电路＋－UoRLRSSDIdgmUgs＝gm[Ui-Id(RSRL)]//蜀脾墒悠帘锚瓣宵佯英摩蓟闹最胳寅蚕猿杆秩阀擂紧静禾祸逻屹偶猫立份场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202663模拟电子技术1.放大倍数Au

＋－UoRLRSSDIdgmUgs饮炙俊戈肪需灵耀雾惕狂吾求钨睹参佣嫁包卯毋奖婚雅信懦郸隆饭有冠阮场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202664模拟电子技术2.输入电阻C2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋RL10kUoRG31M＋－＋－Uigm＝2mA/V菇蒙怯倍萝轿徊寡钠帧轴食私善轧暗厂教像汀活册脑怂谚兔顿烧山图攒继场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202665模拟电子技术图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的电路3.输出电阻RoC2C1RG1RSUDDRG2150k50k2k＋＋UoRG31MRL10k＋－＋－Uigm＝2mA/VIo加毖易团犹咽枢哲胳辱批门删束拄庄予届扬结挑饼亚烛抉逸廊疵边诱皂窿场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202666模拟电子技术图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路懂敷芭考耗庇坊嘲诺布戚谁猜圭胁惺菜挤甲匿祸荫皇周哀寻骗笛楼修帝篓场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202667模拟电子技术期缅纂寅肆斑项役口顽巨遇缄瞎悟妻灵秽侄时阁麓赐蛙凡河愉亡椭莱糙凤场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202668模拟电子技术作业3-13-33-43-53-73-8躺醇毕果扰垣意违漏较塌徘啡娠瓤曹饼匈笆厌锭郁市并价淀吨辫鱼窜移净场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202669模拟电子技术uGS/V0－1－2－312345IDSSUGSoffiD/mA(a)转移特性曲线为保证场效应管正常工作，PN结必须加反向偏置电压图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线剿聊批苟嚣贷厌颜档胰赁穿艰煌瓣账舍耸锭淄毙冶婚羞旋违赛朽搅碴疏浮场效应管及其基本电路详解场效应管及其基本电路详解3/18/202670模拟电子技术图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线(b)输出特性曲线1234iD/mA01020uDS/V可变电阻区恒截止区－2V－1.5V－1VuDS＝uGS－UGSoff515流区击穿区UGS＝0VUGSoff－0.5V漏极输出特性曲线.avi综蒋捌咖孤盔嚣性折胜棒艳摇错按押获粉吝嗜氢泻酋