建材新材料行业研究：AIPCB升级迭代通胀看上游新材料

1、上游材料是PCB升级迭代过程中的通胀环节产业角度，AIPCBRubinPCB3PCB对应PCBPCB（提价PCB/GPUPCB2026VeraRubinNVL144CPXcomputertrayswitchtrayPCBCPXMidplanetrayBiancaCPXCPXSemianalysis，MidplanePCBpaladinboardtoboardconnectorBiancaCPXCPXRubinGPUUBB+OAM图表1：英伟达Rubin144-PCB潜在的PCB架构设计图Semianalysis此外，RubinUltraNVL72NVL576PCBPCBCCL，CCLAIPCBPCBASICRzRzVLPRTFHVLPPCBHVLPHVLP-1Rz1.5-2HVLP-2Rz1-1.5HVLP-3Rz值＜1、HVLP-4的Rz值＜0.5。图表2：CCL基材产品结构图GGII，公司公告图表3：高性能计算、超5G应用等领域需使用到Rz值低于2的铜箔（Low-Dk25.83/Low-CTE83.41Q200/AIRubinUltraQ图表4：随着PCB对电性能要求越来越高，上游原材料电子布价格通胀属性强中材科技公司公告or“升级”方向2025PCB3PCB0.5-12026/25H2PCBPCB0.5-1PCB7-8（①721，②72510819日鹏80205年9-2（9月2944.8122916.93（253PCBCB/255Low-CTEBT16-20257RTF0.5/kg3500/HVLP3-4RTF③258HVLP2/kg1.4/HVLP2/PCB//>CC—>PCCCLPCB200-300（AI025资范式，上游材料环节我们建议关注2大方向：“终局”技术，2“升级”方向，1（后文均有详细表述）图表5：PCB上游材料主流标的市值（截至2026年2月13日）板块公司总市值（亿元）电子布中材科技837菲利华524宏和科技645国际复材482铜箔铜冠铜箔306德福科技197隆扬电子152树脂东材科技284美联新材732松下电工Megtron系列为高速CCL领域分级标杆,其对于高速CCL等级分类为M2至M9，其中M9为最高级别：M2、M4CCLM65GDf3-5‰；M7、M8CCL，Df1-2AI800GM9CCLAIGB300Rubin1.6T图表6：不同损耗级别的CCL对应不同应用领域中材科技公司公告2.1Q27/新型玻璃，具有优良的DfLow-Dk一代1GHz下为3.7）1GHz下为.2Q布Dk3.7Low-Dk布的4.6Df值0.7Low-Dk1.8-2.6‰。图表7：各类型电子布介电数较 图表8：各类型电子布介电耗较 超低耗石纤维子布开发与究作者李树国证券研 超损石英维电布开发与究（者：树，证券研究所 究所中材科技公司公告Q2015QPCB2024CCLQ/Q图表10：石英纤维拉丝工艺不同于传统玻纤超低损耗石英纤维电子布的开发与研究》（作者：李树新Q布2726Q20262010AGYPCBDkDf信号传输速度与信号完整性要求,标志着低介电纤维布正式迈入第二代技术阶段。相较Low-Dk一代，Low-Dk二代布Dk进一步降至4.2-4.3区间，且Df因子显著降低，可有效提升CCL信号传输能力。TPUAI/ASICTPUV7GeminiGoogleCloudV7TPU二代布池窑/26fo-kElass高10L-Dk100窑炉Low-DkS02CO270/CCL/PCBLow-DkB2O35G用电子级玻璃纤维布发展现状及趋势》（作者：陶应龙2.3low-CTE布：预计2026年持续提价动力强/PCBPCB（CTE）PCBLow-CTELow-CTEBTLow-CTE16-20周。图表12：南亚新材Low-CTE产品分类及其应用领域一种LowCTE的无卤覆铜板的研制》（作者：邹水平等3、铜箔：明确升级，HVLP全系列提价动力强HVLP生成AI需求高涨等因素导致数据通信量增加，高速化需求也在扩大，以全球高阶铜箔龙头日本三井金属为例，其正在正式量产销售HVLP4铜箔，HVLP5铜箔已进入量产阶段。图表13：随着HVLP铜箔升级迭代，其Rz值不断降低三井金属官网2511HVLP272025HVLP3HVLP2HVLP2460258526-27年11月三井金属中国台湾+马来西亚2个基地HVLP出货量合计620吨/月，计划于26-28年9月分别扩产至840、1000、1200吨/月。图表14：三井金属HVLP铜箔出货量同比高增三井金属官网明确升级，我们预计ASIC平台（亚马逊、谷歌等）及NV在2026年高阶方均会大面积采用HVLP4铜箔方案。CCLHVLP258HVLP2/kg1.4HVLP2511RTFHVLPRTF257RTF0.5/kg3500/26PCBHDIICmS，而mSAP50AI图表15：载体极薄铜箔结构图（4、树脂：M8/M9推动碳氢上量CCLk与fCLPTF(PPEPTFE（约2.D（1PCBPTFEPPEDk约3.-3.8Df在2-对应4M67CC，200-220DK2.5-3.5，10GHzDf280PCB图表16：5G高频通讯用常见高分子材料的介电特性面向5G应用需求的低介电高分子材料研究与应用进展》（作者：皇甫梦