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第5章半导体、二极管和三极管

§5－2第二节PN结PART0105第二节PN结

在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，由于存在浓度差，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。图5-2-1第二节PN结P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。空间电荷区越宽，E越强。内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区，也称耗尽层。图5-2-2第二节PN结1.PN结形成

－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空间电荷区N型区P型区外部条件不变时，扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡：扩散漂移。结中电流为零，空间电荷区的厚度固定不变，PN结的厚度不变。图5-2-3第二节PN结1.PN结形成

1、空间电荷区中没有载流子。2、空间电荷区中内电场阻碍P区中的空穴、N区中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。3、P区中的电子和N区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。注意:第二节PN结2.PN结的特性

（1）正偏

PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是：P区加正电压、N区加负电压。

当电压表V的读数增大时，电流表A的读数也随之增大。说明：PN结的电阻很小。内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流I。PN结呈导通特性（正向电阻小）图5-2-4第二节PN结2.PN结的特性

（2）反偏

PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是：P区加负电压、N区加正电压。

当电压表V的读数增大到几十伏，电流表A的读数也很小（几个或几十个微安）。说明：PN结的电阻很大。内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流IS。PN结呈截止

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