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文档简介

本文采用MEMS工艺中的光刻、刻蚀方法对传感器进行制备。整个制备过(1)选定传感器中的螺旋电感与叉指电容的几何尺寸参数，运用CAD进行(3)采用刻蚀铜的工艺进行刻蚀，得到所需要的图形单元。根据之前的优化设计，得到了相应的平面螺旋电感与又指电容以及LC谐振如图4-1所示。用的是聚酰亚胺单层覆铜膜，其介电常数为3.5,介质材料厚度为25μm,覆铜厚度为0.018mm。准备完前面的光刻掩模和基底材料后，开始光刻与刻蚀制备。本论文中因为后面采用的是刻蚀铜工艺，所以选用了正性光刻胶AZ6112,步骤操作片分别在烧杯中装入适量的内酮、无水乙醇、去离子水，首先用棉签蘸适量丙酮在基片表面进行清洗，然后把清洗完的基片放入无水乙醇中冲洗去除残留丙酮，再用去离子水对基片进行冲洗，冲洗去除残留无水乙醇，最后用氮气枪进行吹干。此步骤主要是为了让基片表面干燥，防止后续步骤涂光刻胶附片胶置涂胶机旋转步骤，前转5秒1000转匀胶，后转30烘烤曝光元显影片图形坚膜在120摄氏度的加热板上烘烤5.10分钟。由于显影时，光刻胶膜与金属层之间的粘贴更加牢果曝光过长、过短都会使图形单元的线宽发生偏差，过曝光会使线宽变窄(以正性光刻胶为例)。显影时间的控制也很重要，如果在把基片从显影液转移到去离的是湿法刻蚀，实验步骤如下：把配好的FeC13腐蚀液放在水浴缸里，加热到45摄氏度，并保持45摄氏度的水浴温度，然后把己经完成光刻的基片放入腐蚀液中，腐蚀时间参数为200秒，然后再进行上述清洗步骤，用丙酮去胶，然后用整个光刻、刻蚀工艺流程如图4●2所示，经过以上工艺制备后，可以得到平面螺旋电感、平面叉指电容和LC谐振应变传感器，传感器和平面叉指电容后续经过外面企业的协作加工完成了保护层加工和背部穿孔工艺，实物如图4-3、图4-4、图4-5所示。1、清洗覆铜板3、掩模板对准、曝光6、去胶图4-2光刻、刻蚀工艺流程图图4-3平面叉指电容实物图图4-4平面螺旋电感实物图图4-5LC谐振应变传感器实物图图4-3、图4-4、图4-5中的平面叉指电容叉指电极对数Nc、叉指电极长度lc、叉指电极宽度wc、相邻叉指电极间

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