CN118785563B 一种高纯度单壁碳纳米管的连续制备装置和方法 （青岛超瑞纳米新材料科技有限公司）

司一种高纯度单壁碳纳米管的连续制备装置本发明提供了一种高纯度单壁碳纳米管的甚至直接利用生长室的热量低速蒸发底电极催2石墨坩埚侧面设置有吹扫气体入口（3负责将蒸发产生的催化剂吹入下一段生长室2.根据权利要求1所述的一种高纯度单壁碳纳范围为500_1000℃。3.基于权利要求1或2所述的一种高纯度单4.根据权利要求3所述的一种高纯度单壁碳纳米管的连续制备装置的方法，其特征在5.根据权利要求3所述的一种高纯度单壁碳纳米管的连续制备装置的方法，其特征在7.根据权利要求6所述的一种高纯度单壁碳纳米管的连续制备装置的方法，其特征在8.根据权利要求6所述的一种高纯度单壁碳纳米管的连续制备装置的方法，其特征在3其中碳源气体的体积为10_80%，氢气的体积为1_40%，其余为惰性气体，流量为1L/9.根据权利要求6所述的一种高纯度单壁碳纳米管的连续制备装置的方法，其特征在4[0002]单壁碳纳米管是一种全碳_碳共价键构成的一维管状纳米结构，得益于其完美的[0004]中国发明专利CN201010234322.4公开了一种基于电弧法的直径可控单壁碳纳米米管产物(K.S.Kim,C.T.Kingston,D.Ruth,M.Barnes,B.Simard,Synthesisofhighqualitysingle_walledcarbonnanotubeswithpurityenhancementanddiametercontrolbyliquidprecursorAr_H2plasmaspraying,Chemical[0005]中国发明专利CN201910533219.0是申请人早期公开的一种单壁碳纳米管的制备碳源气和载气导致电弧不稳定，严重制约反应的连续进行。中国发明专利5[0012]石墨坩埚侧面设置有吹扫气体入口，负责将蒸发产生的催化剂吹入下一段生长室的温度升至指定温度1000_1700℃;[0024]S5)将碳源气和载气混合后，携带第二催化剂一并经碳源混合气入口进入生长6传递热量至生长室，即能够有效降低等离子体电弧炉蒸发产生的催化剂进入生长室的量，生长室8温度升至指定温度1200℃;7[0052]S5）将碳源气和载气的混合气携带第二催化剂硫粉一并经碳源混合气入口7进入[0055]产物经过扫描电子显微镜观察形貌如图3所示，采用拉曼光谱中G峰和D峰峰强比[0063]S5）将碳源气和载气的混合气携带第二催化剂硫粉一并经碳源混合气入口7进入室8和出料室9，水冷电极1设置于石墨坩埚2的底部，其中等离子体电弧炉4电源功率7508直至生长室温度升至指定温度1700℃;[0072]S5）将碳源气和载气的混合气携带第二催化剂硫粉一并经碳源混合气入口7进入室8和出料室9，水冷电极1设置于石墨坩埚2的底部，其中等离子体电弧炉4电源功率300[0081]S5）将碳源气和载气的混合气携带第二催化剂硫粉一并经碳源混合气入口7进入9[0090]S5）将碳源气和载气的混合气携带第二催化剂硫粉一并经碳源混合气入口7进入[0094]该对比例与实施例1设备参数和实验参数一样，差别在于对比例没有分隔蒸发室86.4%78.1%75.6%85.4%83.6%41.5%发明技术方案范围内进行的通常变化和替换