新能源汽车电力电子技术 习题答案 项目二 电力电子元器件的特性

项目二电力电子元器件的特性

任务1晶闸管

班级：

任务1:晶闸管学习任务单

姓名：

（A）1.晶闸管的导通条件是什么？

A.外加正向电压且控制极外加合适的触发信号B.只需外加正向电压

C.控制极外加触发信号I）.外加正向电压为额定电压

（C）2.双向晶闸管的内部结构与普通晶闸管不一洋，它的内部有什么？

A.PNP三层、两个PN结B.PNPN四层、三个PN结

C.NPNPN五层、4个PN结D.NP两层、一个PN结

（B）3.如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为82£V,

则该晶闸管的额定电压应为多少？

A.700VB.750VC.800VD.850V

（C）4.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技

术的诞生。

A.IGBTB.电子管C.晶闸管D.MOSFET

（ABC）5.晶闸管有三个电极，分别是（）、（）和（）。

A.阳极B.门极C.阴极D.基极

（B）6.已经导通的晶闸管是如何关断的？

A.要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到1A以下。

B.要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近了零的某一数值以下。

C.要使晶闸管关断，只能在晶闸管两端加反向电压。

D.要使晶闸管关断，只能要求晶闸管门极电流等于0。

（A）7.已对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个？

A.允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。

B.允许流过最大工频正弦半波电流的有效值。

C.允许流过最大方波电流的平均值。

D.允许流过最大电流的平均值。

班级：

晶闸管导通关断实验工作任务单■

姓名：

1.作业场地准备

检查电气试验箱及附件是否齐全0是口否

检查实验工位通电是否正常0是□否

检查方用表各功能是否正常0是口否

评估实验工位区域风险等级是否合格0是□否

2.记录测量数据

任务：晶闸管导通关断实验

实验前灯的情实验时晶间管条件实验后灯的情

实验顺序

况阳极电压以门极电压必况

1暗反向零暗

2暗反向反向暗

导通实3暗反向正向暗

验1暗正向零暗

2暗正向反向暗

3暗正向正向亮

1亮正向零亮

2亮正向反向亮

关断实3亮正向正向亮

验正向（电流逐

4亮渐减小到接近任意暗

零）

结论：

晶闸管在反向阳极电压作用下，不论门极为何电压，晶闸管都处于0关断口导通状态。

晶闸管在正向阳极电压作用下：

1）正向回阻断口导通状态：门极加上反向电压或者不加电压，晶闸管不导通；

2）正向口阻断0导通状态：门极加上正向电压，晶闸管导通。

3.作业场地恢复

万用表复位及关闭0是口否

恢复电路实验箱内元件及导线0是口否

断口检查□是口否

清洁、整理场地□是口否

项目二电力电子元器件的特性

任务2电力场效应管

班级：

任务2：电力场效应管学习任务单

姓名：

(B)1.MOSFET属于()器件

A.双极性B.单极性

C.复合性D.多极性

(A)2.电力场效应管MOSFET是理想的()左制器件。

A.电压B.电阻

C.功率D.电流

(B)3.电力MOSFET的通态电阻具有()温度系数。

A.一B.正

C.一D.负

(B)4.下面的描述()不属于电力MOSFET的特性

A.驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快

B.耐压高，电流容量大

C.反型层形成沟道导电

D.通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利

(A)5.MOSFET的输出特性分为：

A.MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。

B.MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区以及放大区。

C.MOSFET的输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。

D.MOSFET的输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区

项目二电力电子元器件的特性

任务3绝缘栅双极晶体管

班级：

任务3：绝缘栅双极晶体管学习任务单

姓名：

（A）1.绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域；正向阻断区、有源区和饱和区。

A.VB.X

（BD）2.IGBT管是由（）器件和（）器件复合而成。

A.GTOB.MOSFET

C.MCTD.GTR

（B）3.IGBT属于（）控制型元件。

A.电流B.电压

C.电阻D.频率

（A）4.以下器件不属于电力电子器件的是（）

A.运算放大器B.IGBT

C.IGCTD.晶闸管

（A）5.IGBT的开启电压随温度升高而（），开关速度（）电力场效应管。

A.略有下降小于B.略有下降大十

C.略有上升小于I）,略有上升大于

6.简答题：何为IGBT的电流拖尾现象？它是怎么产生的？

答：1）IGBT的电流拖尾现象是指IGBT在驱动信号关断后，流过开关管的电流无法快

速到零，而是有一个缓慢减小的过程。

2）电流拖尾现象对应IGBT内部PNP晶体管的关断过程，由于PNP晶体管基区

载流子高注入，存储电荷无法用外加反向抽流使其迅速消失，只能靠自然复合消失，从而

出现IGBT关断时特有的电流拖尾现象。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)班级:

工作任务单

检测姓名:

1.作业场地准备

检查电气试验箱及附件是否齐全0是口否

检查实验工位通电是否正常0是□否

检查万用表各功能是否正常0是□否

评估实验工位区域风险等级是否合格0是□否

2.记录测量数据

任务1：IGBT栅极加正电压时检测

观察现象灯泡L：团亮□不亮

测量电流测量点E:0.0729mAA

测最电压G极-地：14.99V

测量点C-E:2.