CN119416725A Eco基本单元结构、布局方法和系统 （台湾积体电路制造股份有限公司）

本公开涉及ECO基本单元结构、布局方法和第三n阱中的每一者分开对应的空间；第一多个电连接到位于第一n阱中的有源区；第一分接结2在半导体衬底中沿着第一方向对准的第一到第三n阱，其中，所述其中，所述第二金属段覆盖并电连接到所述第三和第四分接结所述第二金属段被配置为具有不同于所述第一电压电平的第二电压所述第二图案与所述第一图案关于垂直于所述第一方向的第其中，所述第三和第四图案与所述第一和第二图案关于沿所述第一方向的第二轴对沿所述IC布局图中的第一方向对准第一到第三n阱区域，其中，述第二和第三n阱区域中的每一者分开至少对应于最小n阱3将第一工程变更单(ECO)基本单元放置在所述第一n通过将所述第一和第二分接通孔区域中的每一者与在所述第一方向上延伸跨过所述通过将所述第三和第四分接通孔区域中的每一者与在所述第一方向上延伸跨过所述第一ECO基本单元的第二金属区域重叠，建立所述第三和第四分接通孔区域之间的第二电一种包括用于一个或多个程序的计算机程序代码的非暂态非暂态计算机可读存储介质和所述计算机程序代码被配置为利用所述处理器使得所述处将第一分接通孔区域定位在集成电路(IC)布局图的第一到第三n阱区域的第二n阱区将第一工程变更单(ECO)基本单元放置在所述第一n将所述第一和第二分接通孔区域中的每一者与在所述第一方向上延伸跨过所述第一n对到所述第一电连接的第一电压分配路径布线，所述第一电压分4[0002]集成电路(IC)小型化(miniaturizing)的持续趋势已导致了比先前技术消耗更少域中的每一者与在所述第一方向上延伸跨过所述第一n阱区域的第一金属区域重叠，建立态计算机可读存储介质和所述计算机程序代码被配置为利用所述处理器使得所述处理器执行下述操作：将第一分接通孔区域定位在集成电路(IC)布局图的第一到第三n阱区域的第二n阱区域中，所述第一n阱区域沿第一方向与所述第二和第三n阱区域中的每一者分开域中的每一者与在所述第一方向上延伸跨过所述第一n阱区域的第一金属区域重叠，从而建立所述第二和第三n阱区域之间的第一电连接；对到所述第一电连接的第一电压分配路5[0006]在结合附图阅读时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各方[0017]图11是根据一些实施例的集成电路(IC)制造系统的框图和与之相关联的IC制造[0018]以下公开内容提供了用于实现所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或示接触方式形成的实施例，并且还可以包括附加特征可以在第一特征和第二特征之间形成，多个)特征的关系。这些空间相关术语还意在涵盖器件在使用或操作中除了图中示出的朝单元：标准功能单元和标准备用单元，后者被称为工程变更单(engineeringchange[0021]ECO单元包括ECO基本单元和ECO编程单元。ECO编程单元指已被编程的ECO基本单6例中，通过改变至少一个ECO基本单元内[0023]在一些应用中，电子设计自动化(EDA)工具用于从标准单元库中选择标准功能单标准功能单元或其他ECO单元中的晶体管)的体区域的电压电平不同的电压电平。与ECO基[0027]如下文所讨论的，图1至图8是根据一些实施例的IC布局图和对应的IC结构的图1至图8中的图表示IC布局图100至800和(例如，根据下文参考图11讨论的IC制造系统和相关联的IC制造流程1100)至少部分地基于IC布局图100至800制造的对应的IC结构100至并且图10是被配置为执行方法900的一些或全部操作的IC设计系统1000(例如，EDA系统[0028]如图1所描绘的，IC布局图/结构100包括：位于衬底SUB中的n阱区域/n阱NW1至域/结构V0(为清楚起见而标记了单个)的实例、以及沿垂直于Y方向的X方向延伸的第一金属区域/段M1(为清楚起见而标记了单个)的实例。7[0030]n阱区域/n阱NW1至NW3沿X方向对准，n阱区域/n阱NW1和NW2在X方向上隔开空间[0032]在各种实施例中，空间S1或S2对应于位于对应的n阱区域/n阱对NW1/NW2和/或[0033]n阱区域/n阱NW1至MW3中的每一者包括MD区域MD的至少一个实例，MD区域是IC布局图中与对应n阱区域NW1至NW3重叠并且至少部分地限定导电MD段MD的区域，导电MD段MD覆盖并电连接到下方的n阱NW1至NW3。MD段MD在一些实施例中也称为氧化物之上的金属零[0034]n阱区域/n阱NW1至MW3中的每一者还包括通孔区域V0的至少一个实例，通孔区域结构V0覆盖并电连接到对应的下方的MD段MD。通孔结构V0是被配置为提供下方的特征(例结构V0的实例的组合因此对应于被配置为至少部分地限定下方的n阱区域/n阱NW1至NW3和[0036]金属区域M1是IC布局图中与包括通孔区域V0的实例的一个或多个特征重叠并且[0038]区域Function包括对应于一个或多个功能器件和金属区域/段M1的重叠/覆盖实例之间的电连接的通孔区域/结构V0的实例，金属区域/段M1的每个实例电连接到位于n阱如基于通过覆盖金属互连结构来布线)将n阱区域/n阱NW2和单元ECObase(无论是否被编[0039]金属区域/段M1的一个单独实例与位于n阱区域/n阱NW1和NW3中的每一者中的分配置为将n阱区域/n阱NW1和NW3彼此电连接，同时将n阱区域/n阱NW2与n阱区域/n阱NW1和来布线)将n阱区域/n阱NW1和NW3以及任何对应的功能电路驱动到不同于第一电压电平的第二电压电平。8[0042]在图1所描绘的实施例中，n阱区域/n阱NW1至MW3中的每一者在Y方向上延伸跨过被驱动到与相邻n阱区域/n阱NW1和NW3中的晶体管(例如，包括在标准功能单元或其他ECO[0045]如图2所示，区域Function的非限制性示例(为了清楚起见未标记)包括呈两行两于单元ECObase的单个实例，该单个实例在X方向上的宽度是单元ECObase的其他实例的[0046]图2所描绘的单元ECObase的布置是出于说明目的而提供的非限制性示例。在各[0047]在图2所描绘的实施例中，IC布局图/结构200包括在X方向上延伸并且与位于n阱区域/n阱NW1、NW2和NW3的每一者中的分接特征/结构Tap重叠/覆盖于其上的金属区域/段和NW3以及任何对应的ECO单元和/或功能电路驱动到同一电压电阱NW2中的单元ECObase的一个或多个实例能够被驱动到与施加到n阱区域/n阱NW1和NW3每一者都没有描绘具有特定配置的金属区域/段M[0050]图3描绘了IC布局图/结构300包括呈两行两列布置的单元ECObase的四个实例的9例包括MD区域/段MD和通孔区域/结构V0的实例)、以及X和Y方向，上文对每一者进行了讨金属零(M0PO)区域/段M0、和切割MD区域CMD的[0056]切割MD区域是IC布局图中限定对应的IC结构中的下述区第一图案关于沿Y方向延伸的边界对称)和第二行(其[0060]图5和图6中的每一者描绘了对应的IC布局图/结构500或600的简化图，对应的IC布局图/结构500或600包括位于衬底SUB中的n阱区域/n阱NW1至NW3、单元ECObase的六个实例(为了清楚起见标记了单个实例)(每个实例包括有源区域/区AA、栅极区域/结构G、[0061]在各种实施例中，被包括在IC布局图/结构500和600中的单元ECObase的实例包[0062]图7和图8中的每一者描绘了对应的IC布局图/结构700或800的简化图，对应的IC[0063]图7描绘的非限制性示例包括位于n阱区域/n阱NW2中的单元ECObase的四个实[0064]通过将单元ECObase的各种实例包括在n阱区域/n阱NW2中，根据IC布局图/结构[0066]在一些实施例中，方法900的一些或全部由计算机的处理器执行。在一些实施例中，方法900的一些或全部由下文关于图10讨论的IC布局图生成系统1000的处理器1002执包括上文关于图1和图2讨论的与MD区域MD的对应实例重叠的的n阱区域NW2中的单元ECObas将第一和第二分接通孔区域中的每一者与在第一方向上延伸跨过第一n阱区域的第一金属区域重叠来建立第二和第三n阱区域之间的过第一n阱区域的第一金属区域重叠包括：将对应于n阱区域NW1和NW3的分接特征Tap的实例与在X方向上延伸跨过n阱区域NW2的金属区域M1的实例重叠，如上文关于图1和图2讨论域中的每一者与在第一方向上延伸跨过第一ECO基本单元的第二金属区域重叠，建立第三从而将ECO基本单元配置为执行一个或多个逻辑或其配置上文关于图1至图8讨论的单元ECObase的一个或[0081]在一些实施例中，将ECO基本单元配置为功能单元包括：执行一个或多个布线操[0085]在各种实施例中，将IC布局图存储在存储设备中包括将IC布局图存储在非易失多个实例被放置在根据IC布局图100和200配置的专用n阱区域中，因此该IC布局图能够实现上文关于IC布局图/结构100和20根据一个或多个实施例的导线布线布置是可以例如使用根据一些实施例的EDA系统1000来[0090]在一些实施例中，EDA系统1000是包括硬件处理器1002和非暂态计算机可读存储组可执行指令)以及其他事项。由硬件处理器1002执行指令1006(至少部分地)表示EDA工通过总线1008电气地耦合到I/O接口1010。网络接口1012还经由总线1008电气地连接到处编码的计算机程序代码1006，以便使系统1000可用于执行所描述的过程和/或方法中的一代码1006被配置为使系统1000(其中这样的执行(至少部分地)表示EDA工具)可用于执行所[0095]EDA系统1000还包括耦合到处理器1002的网络接口1012。网络接口1012允许系统[0097]在一些实施例中，所描述的过程和/或方法中的一部分或全部被实现为供处理器从CADENCEDESIGNSYSTEMS公司获得的诸如VIRTUOSO@之类的工具或另一合适的布的功能。非暂态计算机可读记录介质的示例包括但不限于外部/可移动和/或内部/内置的[0099]图11是根据一些实施例的集成电路(IC)制造系统1100及其相关联的IC制造流程模室1130和ICfab1150中的两者或更多者在公共设施中共存并使用[0102]掩模室1130包括数据准备1132和掩模制造1144。掩模室1130使用IC设计布局图掩模数据准备1132和掩模制造1144可以被统称为掩模数创建标准规则来检查已经在OPC中进行处理的IC设计布局图1122，该组掩模创建标准规则以撤消OPC所执行的部分修改以便满足掩模创建标[0105]在一些实施例中，掩模数据准备1132包括模拟将由ICfab1150实现以制造IC器1145的相移掩模(PSM)版本中，在相移掩模上形成的图案中的各种特征被配置为具有适当的相位差以增强分辨率和成像质量。在各种示例中，相移掩模可以是衰减的PSM或交替的[0108]ICfab1150是包括用于制造各种不同的IC产品的一个或多个制造设施的IC制造封装的后端制造(后段制程(BEOL)制造)，并且第三制造设施可以为铸造企业提供其他服[0109]ICfab1150包括制造工具1152，制造工具1152被配置为在半导体晶圆1153上执如本文所讨论的能够执行一个或多个合适的制[0110]ICfab1150使用由掩模室1130制造的(一个或多个)掩模1145来制造IC器件施例中，半导体晶圆1153由ICfab1150使用(一个或多个)掩模1145制造以形成IC器件对准第一到第三n阱区域，其中第一n阱区域与第二和第三n阱区域中的每一者分开至少对二分接通孔区域中的每一者与在第一方向上延伸跨过第一n阱区域的第一金属区域重叠，和第四分接通孔区域中的每一者与在第一方向上延伸跨过第一ECO基本单元的第二金属区对到第一电连接的第一电压分配路径布线，以及对到第二电连接的第二电压分配路径布三和第四分接通孔区域中的每一者与第一金属区域重叠，从而建立第二和第三n阱区域中ECO基本单元放置在第一n阱区域中，在第一方向上与第一ECO基本单元相邻，第一和第二ECO基本单元关于第一和第二ECO基本单元之间的边界对称；以及将第三和第四ECO基本单元放置在第一n阱区域中，在垂直于第一方向的第二方向上与第一和第二ECO基本单元相第一方向或垂直于第一方向的第二方向中的一个方向上与第一ECO基本单元相邻；以及将可读存储介质和计算机程序代码被配置为：利用处理器进一步使得该处理器执行下述操一者与在第一方向上延伸跨过第一ECO基本单元的第二金属区域重叠，从而建立第三和第利用处理器进一步使得该处理器将包括第一ECO基本单元的多个ECO基本单元放置在IC布于执行相同目的和/或实现本文中所介绍的实施例的相同优点的其他过程和结构的基础。[0146]通过将所述第一和第二分接通孔区域中的每一者与在所述第一方向上延伸跨过所述第一n阱区域的第一金属区域重叠，建立所述第二和第三n阱区域之间的第一电连接；[0150]通过将所述第三和第四分接通孔区域中的每一者与在所述第一方向上延伸跨过所述第一ECO基本单元的第二金属区域重叠，建立所述第三和第四分接通孔区域之间的第[0159]所述将所述第一ECO基本单元放置在所述第一n阱区域中还包括：将第二ECO基本[0161]将第二ECO基本单元放置在所述第一n阱区域中，在所述第一方向上与所述第一ECO基本单元相邻，所述第一和第二ECO基本单元关于所述第一和第二ECO基本单元之间的[0171]一种包括用于一个或多个程序的计算机程序代码的非暂所述非暂态计算机可读存储介质和所述计算机程序代码被配置为利用所述处理器使得所[0172]将第一分接通孔区域定位在集成电路(