CVD 化学气相沉积镀膜技师考试试卷及答案

CVD化学气相沉积镀膜技师考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分）1.CVD是______的缩写。2.常用硅源中，硅烷的化学式是______。3.等离子增强CVD的英文缩写是______。4.CVD反应中，基片表面发生______反应生成薄膜。5.制备氮化硅薄膜常用气源为SiH₄和______。6.金属有机CVD的英文缩写是______。7.低温CVD一般指沉积温度低于______℃。8.CVD设备中承载基片的部件是______。9.控制薄膜厚度的关键参数之一是______（写1种）。10.CVD反应腔常用密封材料是______（写1种）。二、单项选择题（共10题，每题2分）1.下列属于CVD的是？A.溅射B.PECVDC.蒸发D.离子注入2.PECVD相比常规CVD的优势是？A.温度高B.速率快C.纯度低D.气源少3.不用于SiO₂沉积的气源是？A.SiH₄+O₂B.TEOS+O₂C.AlCl₃+H₂D.SiCl₄+H₂O4.CVD反应腔真空度一般处于？A.10⁻⁶TorrB.10⁻¹TorrC.常压D.超高压5.半导体绝缘层常用薄膜是？A.CuB.Si₃N₄C.AlD.Ti6.MOCVD主要沉积？A.金属氧化物B.单质SiC.铜D.铝7.基片温度过高会导致？A.附着力差B.速率慢C.分解不充分D.均匀性好8.不属于CVD设备的是？A.射频电源B.蒸发源C.气体面板D.真空泵9.低温CVD主要应用于？A.高温陶瓷B.半导体器件C.刀具D.玻璃10.控制薄膜应力的常用方法是？A.提高流量B.调整温度C.增加压力D.缩短时间三、多项选择题（共10题，每题2分）1.CVD基本步骤包括？A.气源输送B.基片加热C.化学反应D.薄膜沉积2.常用CVD气源类型有？A.氢化物源B.卤化物源C.金属有机源D.单质源3.PECVD关键组件有？A.射频发生器B.电极C.反应腔D.加热台4.薄膜性能指标有？A.厚度B.均匀性C.附着力D.纯度5.MOCVD应用领域包括？A.LEDB.太阳能电池C.高温超导D.防雾膜6.影响沉积速率的因素有？A.气源流量B.基片温度C.腔压D.射频功率7.CVD安全注意事项有？A.气源检漏B.真空维护C.高温防护D.静电防护8.常用CVD薄膜材料有？A.SiO₂B.Si₃N₄C.SiCD.Cu9.APCVD（常压CVD）特点是？A.无需真空B.温度高C.均匀性好D.成本低10.等离子体在PECVD中的作用是？A.降活化能B.提速率C.增杂质D.降温度四、判断题（共10题，每题2分）1.CVD是物理气相沉积的一种。（）2.PECVD可在低温沉积。（）3.SiH₄有毒，使用需防护。（）4.MOCVD主要沉积单质薄膜。（）5.腔压越高，沉积速率越快。（）6.基片清洁度不影响薄膜质量。（）7.Si₃N₄绝缘性和抗腐蚀性好。（）8.所有CVD都需真空。（）9.沉积时间越长，厚度一定越厚。（）10.射频功率越高，PECVD速率越快。（）五、简答题（共4题，每题5分）1.简述CVD与PVD的核心区别。2.影响PECVD薄膜均匀性的主要因素。3.CVD设备真空系统的作用。4.制备SiO₂常用CVD工艺及特点。六、讨论题（共2题，每题5分）1.如何解决CVD薄膜的应力问题？2.MOCVD在GaN制备中的应用优势。---答案部分一、填空题1.化学气相沉积2.SiH₄3.PECVD4.化学5.NH₃6.MOCVD7.5008.基片架（样品台）9.沉积时间（气体流量/温度）10.O型圈（氟橡胶）二、单项选择题1.B2.B3.C4.B5.B6.A7.A8.B9.B10.B三、多项选择题1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABCD7.ABCD8.ABC9.ABD10.ABD四、判断题1.×2.√3.√4.×5.×6.×7.√8.×9.×10.×五、简答题1.CVD与PVD核心区别：CVD依赖气相化学反应生成薄膜，需反应气源；PVD通过物理过程（溅射/蒸发）沉积靶材原子，无化学反应。CVD沉积温度较高（部分PECVD除外），薄膜附着力、均匀性佳，可沉积复杂形状基片；PVD温度低，适用于不耐高温基片，但均匀性和附着力略逊。CVD适合化合物薄膜（如SiO₂），PVD易沉积单质/合金。2.PECVD均匀性影响因素：①基片温度分布不均；②射频功率分布差异；③气体流量/扩散不均；④腔压波动；⑤基片位置偏移。优化加热台温度、电极设计、气源入口可提升均匀性。3.真空系统作用：①排除空气，避免杂质反应，保证薄膜纯度；②控制腔压，调节气体分子自由程，影响速率和质量；③防止有毒气源泄漏，保障安全；④维持稳定反应环境。4.SiO₂常用CVD工艺：-PECVD：低温（~300℃）、速率快，适用于半导体；-LPCVD：低压（~1Torr）、纯度高/均匀性好，温度~600℃；-APCVD：常压、成本低，但均匀性差。六、讨论题1.解决CVD薄膜应力：应力分热应力和本征应力。方法：①降沉积温度（如PECVD替代常规CVD）；②优化气源比例（如SiO₂增O₂比例）；③加缓冲层（如Si₃N₄/SiO₂交替）；④退火释放应力；⑤调整参数（降腔压、优化射频功率）。需平衡应力与附着力等性能。2.MOCVD在