CN119422239A 基板处理装置和基板处理方法 （东京毅力科创株式会社）

2024.12.25PCT/JP2023/0229712023.06.21WO2024/009775JA2024.01.11从与所述基板吸附部相反的一侧保持由所述基部与所述基板之间的所述液体吸引到所述基板2所述控制部进行以下控制：利用所述第一搬送部从与所述基板吸附部相所述基板吸附部具有多孔体，所述多孔体具有用于吸附所述基板所述控制部进行以下控制：在使所述基板从所述基板吸附部分离了设定距离的状态在向所述基板吸附部的内部供给所述液体之后、且向所述加工部，其具有所述基板吸附部和工具驱动部，所述工具待机部，其使所述基板在从所述加工部到所述清洗部的所述基板的所述待机部具有液体去除部，所述液体去除部从所述基板的与所述所述液体去除部具有气体喷出部，所述气体喷出部朝向所述基板的所述气体喷出部通过在喷出所述气体之前喷出清洗液，来向所述所述液体去除部具有风量增大部，所述风量增大部利用附壁效应将所述风量增大部具有包围所述气体喷出部的整个周围3通过第一搬送部来从与所述基板吸附部相反的一侧保通过使所述第一搬送部移动设定距离，来使所述基板从所述基板吸附部分离设定距在使所述基板从所述基板吸附部分离了设定距离的状态下，所述基板吸附部具有多孔体，所述多孔体具有用于吸附所述基板的在使所述基板从所述基板吸附部分离了设定距离的状态在向所述基板吸附部的内部供给所述液体之后、且向所述通过具有所述基板吸附部和工具驱动部的加工部来对所述基板进行加工所述基板处理方法还包括：在所述清洗部中利用基所述待机部中从所述基板的与所述基板保持部接触的区域在所述待机部中，通过在所述气体喷出部喷出所述气体之前喷在所述待机部中，设置于所述气体喷出部的周围的风量增大所述风量增大部具有包围所述气体喷出部的整个周围4[0007]本公开的一个方式提供如下一种技术：向保持盘等基板残留于所述基板吸附部与所述基板之间的所述液体吸引到所述基板吸附5[0018]图7是示出清洗部的一例的截面图，是示出由基板保持部保持基板的状态的一例[0019]图8是示出清洗部的一例的截面图，是示出由一对吸盘保持基板的状态的一例的[0025]在从上方观察时，第二搬送部36和第三搬送部37设置于矩形状的清洗块3的对角[0026]第二搬送部36在与第二搬送部36相邻的多个装置之间搬送基板W。第二搬送部36具有保持基板W的搬送臂。搬送臂能够在水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)及铅直[0027]第三搬送部37在与第三搬送部37相邻的多个装置之间搬送基板W。第三搬送部37具有保持基板W的搬送臂。搬送臂能够在水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)及铅直[0029]加工部50还可以包括以旋转中心线R1为中心旋转的旋转台51。四个保持部52A~52D同旋转台51一起旋转。四个保持部52A～52D绕旋转台51的旋转中心线R1隔开间隔地设6[0030]两个保持部52A、52C以旋转台51的旋转中心线R1为中心对称地配置。各保持部52A、52C在由第一搬送部54搬入和搬出基板W的第一搬入搬出位置A3与由一个工具驱动部部52B、52D在由第一搬送部54搬入和搬出基板W的第二搬入搬出位置A0与由其余的工具驱[0035]加工块5具备在加工块5的内部搬送基板W的第一搬送部54。第一搬送部54包括用于保持基板W的吸盘。吸盘能够在水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)及铅直方向上[0037]待机部57A和57B兼作对基板W的中心位置进行调节的对准部。对准部通过引导件交送基板W时使各保持部52A～52D的旋转中心线的切口。能够在同各保持部52A～52D一起旋转的旋转坐标系中使基板W的晶体取向定位成[0040]翻转部58兼作在从加工部50到清洗部31A的基板W的搬送路径的中途使基板W暂时7[0041]基板处理装置1还具备控制部9。控制部9例如是计算机，具备CPU(Central传送部35取出基板W，并搬送到待机部57A。基板W具有朝向彼此相反的第一主面和第二主使旋转台51旋转180°,来使保持部52C从第一加工位置A1移动到第一搬入搬出位置A3。接使旋转台51旋转180°,来使保持部52D从第二加工位置A2移动到第二搬入搬出位置A0。接着，第一搬送部54从位于第二搬入搬出位置A0的保持部52D取出基板W，并搬送到待机部8[0058]基板吸附部61对基板W进行吸附。基板吸附部61例如是真空保持盘(保持盘：[0059]吸引部62从基板吸附部61的内部吸引流体。吸引部62包括在控制部9的控制下在9[0063]供给部63向基板吸附部61的内部供给流体。供给部63包括在控制部9的控制下在也可以向基板吸附部61的内部供给液体L与气体的混合流体，利用混合流体的压力来推压[0065]供给部63例如通过向多孔体611的内部供给液体L来利用液体L的压力推压基板[0066]利用液体L的压力使基板W从基板吸附部61剥离，并将该基板W从基板吸附部61转[0067]吸引部62将残留于基板吸附部61与基板W之间的液体L吸引到基板吸附部61的内基板吸附部61移除之后残留于基板W的液体L的量。能够抑制由于之后的基板W的搬送而使辊设置于基板吸附部61的旁边等，用于在基板W的搬送路径的中途将残留于基板W的液体L[0072]基板吸附部61吸附着基板W，以使得在第一搬送部54对基板W进行吸附时基板W不[0076]当在步骤S206中判定为基板W被保持于第一搬送部54的情况下，使第一搬送部54[0079]吸引部62将残留于基板吸附部61与基板W之间的液体L吸引到基板吸附部61的内的膜的直径逐渐变小的现象是在由多孔体611形成基板吸附部61的吸附面的情况下产生在基板W离开基板吸附部61之后进行清洗步骤，以避免由于使基板吸附部61旋转而基板吸的间隙的大小可以大于也可以小于在步骤S208中形成的间隙的大小D0，也可以是两者相部61旋转。液体L在与基板吸附部61和基板W这两方接触的同时通过离心力从基板W的径向板W和基板吸附部61这两方接触的同时从基板W的径向外侧向径隔着基板保持部311设置有一对(在图7和图8中仅图示出一个)吸盘313。一对吸盘313与环[0091]在如图7所示那样基板保持部311吸附着基板W的下表面的第一区域时，通过旋转[0092]在如图8所示那样一对吸盘313吸附了基板W的下表面时，通过未图示的驱动部使能够对基板W的下表面整体进行刷洗。此外，摩擦部315在本实施方式中配置于基板W的下[0094]另外，基板W以被加工部50供给的液体润湿了的状态从加工部50被搬送到清洗部将被加工屑污染了的液体带入到清洗部31A、31B。被加工屑污染了的液体附着于清洗部[0097]待机部57C例如具有支承基板W的外周的多个支承销571、以及竖立设置有支承销[0098]液体去除部70使基板W的第一区域干燥。基板W的第一区域是清洗部31B的基板保[0101]液体去除部70例如具有朝向基板W的第一区域喷出气体的气体喷出部71。通过调[0103]喷嘴711所喷出的气体在被喷出到基板W的下表面中央后沿着基板W的下表面辐射711喷出。能够在通过气体使基板W的第一区域干燥之前利用清洗液对基板W的第一区域进[0105]液体去除部70具有用于向喷嘴711供给气体和清洗液的供给线路73。供给线路73具有共用线路731和多个分支线路732、733。共用线路731将喷嘴711与多个分支线路732、[0106]分支线路732将共用线路731与气体供给源74连接。在分支线路732的中途设置有[0107]分支线路733将共用线路731与清洗液供给源76连接。在分支线路733的中途设置喷出部71的周围的气体吸引到气体喷出部71所喷出的气体流中，由此增大喷出到基板W的[0109]风量增大部72例如具有包围气体喷出部71的整个周围的环状部721。通过环状部[0110]气体喷出部71可以比风量增大部72更朝向基板W突出，例如可以比风量增大部72[0112]风量增大部72在环状部721与水平板572之间具有用于取入周围的气体的取入口722。取入口722的面积例如等于环状部721与水平板572之间的间隙的高度同环状部721的[0113]风量增大部72在环状部721的与基板W相向的面具有用于朝向基板W吹送气体的吹[0115]环状部721也可以在吹送口723具有随着去向基板W(例如去向上方)而扩展的锥面[0116]环状部721在同与基板W相向的面朝向相反的面(例如下表面)具有开口725。环状部721也可以在开口725具有随着去向与基板W相反的一侧(例如去向下方)而扩展的锥面板W的搬送路径的中途暂时等待的待机部57C，但也可以具备使基板W在从加工部50到清洗[0120]本申请主张在2022年7月4日向日本专利局申请的特愿2022_108009号的优先权，