硅集成电路工艺基础复习

硅集成电路工艺根底

绪论：

单项工艺的分类：

I、图形转换：光刻、刻蚀

2、掺杂：扩散、离子注入

3、制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积

第2章氧化

竽。2的作用：

1、在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成局部

2、作为集成电路的隔离介质材料

3、作为电容器的绝缘介质材料

4、作为多层金属互连层之间的介质材料

5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料

6、扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3Nq层一起使用)阻挡层

热氧化方法制备的SKh是无定形

制养二氧化硅的方法：热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热氧化法:

热氧化法制备的SiO2具有很高的重复性和化学稳定性，其物理性质和化学性质不太受湿度和中等热处

理温度的影响。

SiO2的主要性质：

密度：表征致密程度

折刖率：表征光学性质

密度较大的Si。?具有较大的折射率

波长为5500A左右时，SiCh的折射率约为1.46

电阻率：与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温I二氧氧化制备的电阻率达10,6Q-cm

介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压

大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关一般为106To'「/cm(10-,-IV/nm)

介电常数：表征电容性能C=£o£s，5](SiCh的相对介电常数为3.9〕

腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反响

SiO2+4HF->SiF4+2H2O

S/+2”尸―/⑹砧…六氟硅酸还可与强碱缓慢反响

SiO2+6HFtH2(SiF6)+2H2O

薄膜应力为压应力

晶体和无定形的区别：桥键氧和非桥键氧

桥联氧：与两个相邻的Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧

非桥联氧：只与一个Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧

非桥联氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小

无定形SiO2的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数

结晶态和无定形态区分一一非桥联领是否存在

杂质分类：网络形成者和网络改变者

网络形成者：可以替代SiO2网络中硅的杂质，即能代替Si-0四而体中心的硅、并能与氧形成网络的

杂版

网络改变者：存在于Si02网络间隙中的杂质

SiOz作为掩蔽层对硼、磷有效，对钠离子无效

B、P、As等常用杂质的扩散系数小，SiCh对这类杂质可以起掩蔽作用

Ga、某些碱金属（Na）的扩散系数大，SiO?对这类杂质就起不到掩蔽作用

Si热氧化生长SiO2的计算：CSix=CSl0：x（）

无定形SiO2的分子密度：CSiO2=2.2X1（）22〃加

2:

硅晶体的原子密度：C5/=5.0xi0/（77?

干氧、水汽和湿氧。实际生产采用干氧•湿氧•干氧的方式

1、干氧氧化

①氧化剂：枯燥氧气

②反响温度：900~1200℃

干氧氧化制备的Si02的特点：

①结构致密、枯燥、均匀性和重复性好

②与光刻胶粘附性好，掩蔽能力强。

③生长速度非常慢

干氧氧化的应用：MOS晶体管的栅轨化层

2、水汽氧化

反响条件：

①氧化剂：高纯水产生的蒸汽

②反响温度：高温

水汽氧化制备的SiCh的特点：

①SiO2生长速率快

②结构粗糙

3、湿氧氧化

反响条件：

氧化剂：高纯水（95℃左右）+氧气

特点：

①生长速率较高

②SiO2结构略粗糙

4、三种氧化法比拟

干氧氧化：结构致密但氧化速率极低

湿氮氧化：氧化速率高但结构略粗糙，制备厚二氧化硅薄膜

水汽氧化：结构粗糙一一不可取

热氧化的过程（D・G模型）

①氧化剂从气体内部以扩散形式穿过附面层运动到气体-

面，其流密度用Fi表示。流密度定义为单位时间通过单位

粒子数。

②敏化剂以扩散方式穿过SiO?层（忽略漂移的影响），到达

Si界面，其流密度用F2表示。

③包化剂在Si外表与Si反响生成SiO2,其流密度用F3表示.

④反响的副产物离开界面。

D・G模型适用氧化层厚度：30nm

热氧化存在两种极限情况

当氧化剂在SiO?中的扩散系数〃沏,很小时（。町«幺q），那么G-0，G-在这种极限情

况下，SiO2的生长速率主要由氧化剂在SiO?中的扩散速度所决定，故称这种极限情况为扩散控制。

当氧化剂在SiOz中的扩散系数很大，那么c=c=(?♦/(1+&.〃?)"在这种极限情况下，SiO2包

长速率由Si外表的化学反响速度控制，故称这种极限情况为反响控制。

决定氧化速率常数的因素：氧化剂分压、氧化温度

1、氧化剂分压

心通过C*对3产生影响，3与4成正比关系

2、氧化温度

温度对抛物型速率常数B的影响是通过影响Dsn产生的，B三2DMC/N、

温度对线性速率常数B/A的影响是通过影响ks产生的

分凝系数，图2.21

分凝系数：掺有杂质的珪在热氧化过程中，在Si—SiO?界面上的平衡杂质浓度之比

(a)当机<1,在SiCh中是慢扩散的杂质，也就是说在分凝过程中杂质通过SiO2外表损失的很少，硼

就属于这类。再分布之后靠近界面处的SiOz中的杂质浓度比硅中高，硅外表附近的浓度下降。

(b)当，〃<1,在SiCh中是快扩散的杂质。因为大量的杂质通过SiO?外表跑到气体中去，杂质损失羊

常厉害，使SiCh中杂质浓度比拟低，硅外表的杂质浓度几乎降到零。七气氛中的B就属于这种情况。

(c)当〃7>1,在SiCh中是慢扩散的杂质，再分布之后硅外表的浓度升高。P磷就属于这种杂质。

(<1)当〃t>l,在SiCh中是快扩散的杂质，分凝过程中杂质通过SiO?外表损失的厉害，最终使硅外表

附近的杂质浓度比体内还要低。Ga琢就属于这种类型的杂质。

Si-SiCh界面存在四种电荷

Si-SiO2界面电荷类型:

可动离子电荷

界面陷阱电荷

疑化层固定电荷

氧化层陷阱电荷

第3章扩散

扩散机构；间隙式和替位式

1、间隙式扩散：

①定义：间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置的运动

②杂质：Na、K、Fe、Cu>Au等元素

③间隙杂质在间隙位置上的势能相对极小，相邻两间

隙位置之间，对间隙杂质来说是势能极大位置。势垒

高度：叱=0.6~1.2cV

④主要与晶格结构与晶向有关，原子密度越大，间隙

越小，W,就越大

wfKT

⑤运动条件：E>Wt跳跃率：P.=voe-'

2、替位式扩散：

①定义：替位式杂质从一个替位位置到另一个替位位

置的运动

(a)直接交换

(b)空位交换(主要)

②杂质：III、V族元素

③对替位杂质来说，在晶格位置上势能相对最低，而间隙处是势能最高位置。势垒高度：VV

④运动条件：E>Ws,

平衡时单位体积的空位数为n=52,

每个格点上出现空位的几率为，2/N="吃4，

扩散方式：恒定外表源和有限外表源（定义和杂质分布形式）

I、恒定外表源扩散

①定义：在整个扩散过程中，硅片外表的杂质浓度始终不变的扩散

②边界条件和初始条件：

③恒定外表源扩散的杂质分布：

④杂质分布形式特点：

在外表浓度C,一定的情况下，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，扩到硅内的杂质数量也就越多。

Q（D=［；Cg）dx=^C标」HO

扩到硅内的杂质数量可用高为底为2j万的三角形近似：

外表浓度G由杂质在扩散温度下的固溶度所决定。而在90。~1200C­.”5

内，固溶度变化不大，可见很难通过改变温度来控制G」―'―7"

有限源JT敞的杂质分布形式

2、有限外表源扩散

①定义：扩散之前在硅片外表淀积一层杂质，在整个扩散过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新

源扑充

②初始条件和边界条件：

③杂质分布形式特点：

当扩散温度相同时，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，外表浓度就越低。

当扩散时间相同时，扩散温度越高，杂质扩散的就越深，外表浓度下降的也就越多

扩效过程中杂质量不变

实际生产中采用两步扩散（每一步的扩散方式及作用）

两步扩散：

①预扩散：在低温下采用恒定外表源扩散方式，控制扩散杂质的数量

②主扩散将由预扩散引入的杂质作为扩散源，在较高温度下进行扩散。控制外表浓度和扩散深度

③分布形式：

膨响杂质分布的因素：横向扩散

第4章离子注入

离子注入：最主要的掺杂工艺

①离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程，注入能量介于\KeV至ijIMeV之间，

注入深度平均可达10〃〃，〜10pm。离子剂量变动范围，从用于阈值电压调整的10%/。/到形成绝缘理

层的相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。离子注入已

成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般CMOS制程，大约需要6-12个或更多的离了•注入步骤

②应用：隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断

调整阈值电压用的沟道掺杂

CMOS阱的形成

浅结的制备

离子注入的特点

优点：离了•通过硅外表的薄膜注入，防止污染。

注入的离子纯度高可以对化合物半导体进行掺杂

可以精确控制掺杂原子数目缺点：

温度低：小于400℃产生的晶格损伤不易消除

掺杂深度可控很难进行很深或很浅的结的注入

非平衡过程，杂质含量不受固溶度限制高剂量注入时产率低

低温注入，防止高温扩散所引起的热缺陷设备价格昂贵（约200万美金）

横向扩散效应比热扩散小得多

LSS理论：注入离子在靶内的分布理论

LSS理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程：核碰撞（核阻止）和

电子碰撞（电子阻止）

不同能区的能量损失形式

低能区：以核碰撞为主

中能区：核碰撞、电子碰撞持平

高能区：以电子碰撞为主

注入离子在无定形靶中的分布计算

相同质量且相同初时能量的离子在靶中有一定的空间分布，投影射程的统计?投影偏

差沿着入射轴垂直方向上的统计涨落，称为横向偏差

纵向分布：一级近似下用高斯函数表示：

横向分布：高斯分布：横向渗透远小于热扩散

沟道效应及防止的方法

①定义：当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动。沟道离子

唯一的能量损失机制是电子阻止，因此注入离子的能量损失率就很低，故注入深度较大。

②防止方法：

a.倾斜样品外表，晶体的主轴方向偏离注入方向，典型值为7°。

b.先重轰击晶格外表，形成无定型层

在无定形靶运动的离子由于碰撞方向不断改变，因而也会右.局唧号子进入沟道，,但在沟道

运动过程中又有可能脱离沟道，故对注入离子峰值附近的分布并卜会产生实质

c.外表长二氧化硅薄层

注入离子造成的损伤

①级联碰撞

②简单晶格损伤

孤立的点缺陷或缺陷群（注入离子每次传递给硅原子的能

局部的非晶区域（单位体积的移位原子数目接近半导体篇原子密度）

③非晶层

注入离了•引起损伤的积累

热退火

①定义：又叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可

以称为退火

②作用

激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置.，以便具有电话性，产生自由我流子，

起到杂质的作用

消除损伤

③退火方式：

炉退火

快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源（如卤光灯、电弧灯、

石墨加热器、红外设备等）

④快速热退火

a.传统热退火的缺点

不能完全消除缺陷，产生二次缺陷

高剂量注入时的电激活率不够高

高温长时间热退火会导致明显的杂质再分布

b.快速退火技术

在氮气或惰性气体的气氛下，极短的时间内，把晶片温度提高到1000℃以上。

C.快速热退火作用：

消除由注入所产生的晶格损伤

恢复材料少子寿命和截流子迁移率

杂质激活

第5章物理气相淀积

两种根本方法

①物理气相淀积定义：利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子

或分子由源转移到衬底外表上，并淀积成薄膜。

②根本方法：

蒸发（HI-V族化合物半导体）

溅射

蒸发和溅射各自的优缺点

真空蒸发法溅射蒸发

优设备简单适用于任何物质较高的淀积速率

点操作容易不受蒸气压和膜成分限制薄膜纯度高

纯度较高靶材料与膜成分符合厚度控制精确

成膜快附着好生长机理简单

机理简单台阶覆盖较好

缺附着力小设备、操作较复杂台阶覆盖能力差

点工艺重复性差工艺重夏性不好

台阶覆盖性差淀积多元化合金薄膜时组

不适用多组分材料分难以控制

溅射作为主流

溅射方法；

①直流溅射：淀积金属薄膜

②射频溅射：适用于淀积各种金属和非金属薄膜

③磁控溅射：磁控溅射为淀积速率比一般方法高一个数星级：工作气压低，薄膜质量好。

④反响溅射：在淀积同时形成化合物

⑤偏压溅射：改善溅射薄膜的组织结构

⑥接触孔中溥膜的溅射淀枳：

（深宽比大于I）溅射原子离开靶面时遵守余弦分布，故溅射原子在衬底外表和接触孔上

外表的拐角处，沉积速率最高，侧壁适中，底角最低。

可采用带准直器的溅射淀枳方法（降低淀积速率，换准直器增加了本钱）

长投准直溅射技术

第6章化学气相淀积

Grove模型：两个重要环节

Grove模型认为控制薄膜淀积速率的两个重要环节是：其一是反响剂在边界层中的输运过

程；其二是反响剂在衬底外表上的化学反响过程。

淀积速率与反响剂浓度或气相中反响剂的摩尔百分比成正比

薄膜淀积速率（其中N1表示形成一个单位体积薄膜所需要的原子数量）：

结论：

（1）淀积速率与c,（反响剂的浓度）或者y（反响剂的摩尔百分比）成正比：

（）在或者为常数时，薄膜淀积速率将由和儿中较小的一个决定。

2qAyA

质量输送控制和外表化学反响控制

决定上的主要因素：温度ks=koc^（-EA/kT）

决定hg的主要因素：气体流速，气体成分，系统压力

所以为了保证统一的淀积速率，就必须：

①对于外表反响控制，保持处处恒定的温度

②对于质量输运控制，保持处处恒定的反响剂浓度

热壁和冷壁（冷壁的优点）

热壁系统：

冷壁系统：TW<TS

（,：反响室的侧壁温度放置硅片的基座温度

冷壁系统优点：能够降低在侧壁上的淀积，降低了壁上颗粒因剥离对淀积薄膜质量的影响,

也减小了反响剂的损耗。

CVD系统的分类：三种CVD系统优缺点比照

优点缺点

常压化学气相淀积（APCVD）操作简单易发生气相反响

淀积速率高产生污染

适合介质薄膜的淀积台阶覆盖性和均匀性比拟差

低压化学气相淀积（LPCVD）污染少相对低的淀积速率

均匀性和台阶覆盖性较相对高的工作温度

APCVD好

对反响室结构要求低

装片量大

等离子增强化学气相淀积反响温度低

(PECVD)附着性好

良好的阶梯覆盖

良好的电学特性可以与精细

图形转移工艺兼容

薄膜应力低

主流工艺

具备LPCVD的优点

①APCVD：质量输运控制淀积速率，对反响室结构和气流模式提出高的要求

②LPCVD：外表反响速率控制淀积速率

③PECVD：外表反响控制淀枳速率

气缺现象及减轻方法(LPCVD)

①气缺现象：当气体反响剂被消耗而出现的反响剂浓度改变的现象

对于只有一个入气口的反响室，情况比拟严重。

②措施：

在水平方向上逐渐提高温度来加快反响速度，从而提高淀积速率

采用分布式的气体入口

增加反响室中的气流速度

多晶硅采用硅烷热分解实现

①多晶硅的优点：

多晶硅与随后的高温热处理工艺有很好的兼容性

与A1栅相比，多品硅与热生长二氧化硅的接触性能更好

在陡峭的台阶上淀枳多晶硅时能够获得很好的保形性

②应用：栅电极互联引线

③电学特性

a.多晶硅的电阻率高于单晶硅的电阻率

掺杂原子在热处理过程中易到晶界处，不能有效的奉献自由载流子

品界处的悬挂犍俘获自由我流子，由此降低载流子的浓度

b.晶粒尺寸大的多晶硅的电阻率低

④一般是用LPCVD,在580℃〜650C下热分解硅烷实现：SiH4->Si+2H2

多晶硅的掺杂技术

①扩散掺杂：在淀积完成之后在较高的温度下进行掺杂

优点：能够在多晶硅薄膜中掺入浓度很高的杂质。同时完成渗杂和退火工艺

缺点：温度较高、薄膜外表粗糙程度增加

②离子注入：淀积后的离子注入和退火

优点：可精确控制掺入杂质的数量，适合于不需要太高掺杂的多晶硅薄膜

特点：形成的高掺杂多晶硅电阻率约为扩散形成的电阻率的10倍

③原位掺杂：边淀积边掺杂

简单，但薄膜厚度、掺杂均匀性及淀积速率会随着掺杂气体的参加变得复杂

CVD和热氧化SiO2的比照

CVDSiO2的方法

低温CVDSiO2：低于500c

中温LPCVDSiO2：500〜800C

TEOS与臭氧混合源的SiO?淀枳：低于500℃左右

氮化硅的应用

应用：

①钝化层和机械保护层

钠和水汽在氮化硅中的扩散速度非常慢，即拥有很强的掩蔽能力

②硅选择性氧化的掩蔽膜

氮化硅氧化速度非常慢（LOCOS工艺基于此）

二氧化硅缓冲层

③电容中的绝缘材料

④作为MOSFETs的侧墙

用于LDD结构的侧墙

浅沟隔离的CMP的停止层

鸦的应用

①鹤栓塞（plug）:CVD鸽比PVD铝有更好的通孔填充能力

②局部互连材料

短程互联（电导率较低）

全局互联（AUCu）

③鸨广泛用于互连的原因

优点：缺点：

体电阻率小（7-12uQ）电阻率相对铝高

热稳定性好（熔点最高）在氧化物和氮化物上附着力差

应力低，保形性好：铝与硅在600c以上接触时，会形成鸽的

抗电迁移能力和抗腐蚀性强硅化物

④鸽的淀积方法

覆盖式（过程复杂，费用高，但比拟成熟）

选择式（存在问题，如选择性差、横向扩展、空洞形成）

第七章：光刻与刻蚀工艺

ULSI中对光刻的根本要求

①③高分辨率

在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，一般也可以用加工图形线宽的能力

来代表集成电路的工艺水平。

②高灵敏度的光刻胶

光刻胶的灵敏度是指光刻胶的感光速度。

为了提高产品的产量，曝光时间越短越好。

确保光刻胶各项属性均为优异的前提下，提高光刻胶的灵敏度

③低缺陷

缺陷关系成品率

④精密的套刻对准

集成电路芯片的制作需要经过屡次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。

ULSI的图形线宽在1必〃以下，通常采用自对准技术。

⑤大尺寸硅片上的加工

ULSI的芯片尺寸为1〜2。〃

提高经济效益和硅片利用率

光刻工艺流程

①涂胶：在硅片外表形成厚度均匀、附着性强、并且没有缺陷的光刻胶薄膜。

②前烘：去除胶内的溶剂，提高胶的粘附力

提高胶的抗机械摩擦的能力

减小高速旋转形成的薄膜应力

③曝光：确定图案的精确形状和尺寸

完成顺序两次光刻图案的准确套制

④显影：

⑤坚膜：去除光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片外表的附着力

提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力

⑥刻蚀

⑦去胶：经过刻蚀或离子注入后，将光刻胶从外表除去

⑧检验

SiO2外表是亲水性的，光刻胶是疏水性的

分辨率：每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数，是对光刻工艺中可以到达的最小光刻图

形尺寸的一种描述

光刻胶分为正胶和负胶

主要有两种光刻胶：

正胶：曝光后显影时曝光局部被溶解，而没有曝光的局部留下火邻性氮醍类

负胶：曝光后显影时没有曝光局部被溶解，而曝光的局部留下来一一聚乙烯醉肉桂酸酯和聚

乙烯氧乙基肉桂酸酯

实际工艺中正胶用的比拟多，原因如下：

a.分辨率高

b.抗干法腐蚀的能力较强

c.抗热处理的能力强

d.可用水溶液显影，溶涨现象小

e.可涂得较厚（2-3um）不影响分辨率，有较好台阶覆盖性

f.适合1：1及缩小的投影光刻

负胶也有一些优点，如：粘附性好，抗湿法腐蚀能力强等

比照度、光敏度和抗刻蚀能力

①比照度：比照度会宜接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽.

光刻胶的比照度越高，光刻胶层的侧面越陡，线宽描述掩模尺寸的准确度就越高。IL陡峭

的光刻胶在干法刻蚀中可以减小刻蚀过程中的钻蚀效应，从而提高分辨率。

②光敏度：指光刻胶完成所需图形曝光的最小曝光剂量

曝光剂量（mj/cm?）=光强（单位面积的功率）X曝光时间

光敏度由曝光效率决定

曝光效率：参与光刻胶曝光的光子能量与进入光刻胶中的光子能量的比值

正股比负胶有更高的曝光效率，故正胶的光敏度大，光敏度大可减小曝光时间

③抗刻蚀能力

图形转移时，光刻胶抵抗刻蚀的能力。

光刻胶对湿法腐蚀有比拟好的抗腐蚀能力，对大局部的干法刻蚀，光刻胶的抗刻蚀能力

那么比拟差

投影曝光的两个突出优点，W3um

优点：样品与掩膜版不接触，防止缺陷产生

掩膜板不易损坏，可仔细修整

缺点：结构复杂，工艺要求高，产率低

过刻蚀和选择比计算

湿法和干法刻蚀的优缺点

优点缺点

工艺简单各向同性

湿法刻蚀选择性好精细线条难以刻蚀

（液态溶液，化学反响）操作方便大量的颗粒污染

化学废液

较高的各向异性

能形成更小的特征尺寸

干法刻蚀等离子体可以容易的开始和结天选择性比拟差

〔等离子体，温度不敏感设备复杂

化学反响+物理溅射）工艺重复性好

更少的颗粒玷污

很少的化学废液

三种干法刻蚀的比照

①等离子刻蚀：化学反响，高速率，高选择比，低缺陷，但各向同性

②溅射刻蚀（粒子铳）：物理溅射，各向异性，低选择比，高缺陷

③反响粒子刻蚀：化学和物理双重作用，各性能介于二者之间

共同点：都是利用低压状态卜气体放电来形成等离子体作为刻蚀根底

不同点：刻蚀系统压力：等＞反＞溅：温度：等＞反＞溅：功率：反之：气流等相关可控参

数。

优点缺点

分辨率高

各向异性腐蚀能力强本钱高

干法刻蚀均匀性选择比一般较低

重复性好

便于连续自动操作

湿法刻蚀木钱低廉各向同性

选择比高腐蚀速率难以控制

第7章金属化与多层相连

互连线延迟与RC

铝的优点，尖楔现象和电迁移及改良方法

①铝作为互连金属材料的优点：

应用最广泛的互联材料

电阻率低，2.7uC,cm

与n+和p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻低，10FQ/cm2

与硅和磷硅玻璃的附着性很好

易于淀积和刻蚀

铝作为互连金属材料的缺点：

Al/Si接触的尖楔现象

在较大的电流密度下的电迁移现象

②Al/Si接触中的尖楔现象：

硅向铝中扩散，同时铝也向硅中扩散，形成尖楔，可能会造成pn结失效

Al/Si接触的改良方法：

a.铝-硅合金金属化引线

b.铝-掺杂多晶硅双层金属化结构

c.铝-阻挡层结构

d.其它方法

减小铝体积采用AI/阻挡层/ALSi-Cu

降低Si在AI中的扩散系数

③电迁移现象：在较高的电流需度作用卜，互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进

行迁移，这种现象就是电迁移(E