CN119451150A 半导体器件及其制造方法、电子设备 （北京超弦存储器研究院）

开发区科创十街18号院11号楼四层极和漏电极；对所述源电极和/或所述漏电极进行加热处理，使所述源电极和/或所述漏电极中的至少部分杂质元素通过扩散离开所述源电极制造方法可以有效抑制晶体管的源电极和/或漏电极中的杂质元素扩散进入金属氧化物半导体2对所述源电极和/或所述漏电极进行加热处理，使所述源电经过加热处理，所述源电极或所述漏电极中的氢元素的含量在所述衬底上形成所述晶体管的所述源电极、所述5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述加热处理的温度为250℃至9007.根据权利要求1至4中任一项所述的制9.一种半导体器件，其特征在于，通过根据权利要位于晶体管的所述源电极与所述漏电极之间的绝缘层中的氢元素的浓度不高于1020原34[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范有效抑制晶体管的源电极和/或漏电极中的杂质元素扩散进入金属氧化物半导体材料沟道5[0018]对所述源电极和/或所述漏电极以及所述绝缘层进行加热处理，并且在加热处理[0025]在本申请的示例性实施例中，所述晶体管的源电极中的氢元素的[0026]在本申请的示例性实施例中，所述晶体管的漏电极中的氢元素的元素通过扩散离开这部分杂质元素原来所在的所述源电极和/或所述漏电极，从而降低甚[0033]图2为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法在形成第一电极图[0034]图3为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法在形成绝缘层后的[0035]图4为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法在形成第二电极图6[0036]图5为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法在形成通孔K后的[0037]图6为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法在进行杂质元素扩[0038]图7为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法在形成栅电极后的等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具情况可以适当地更换。7管需要经历高温过程，那么引入的杂质元素例如H元素可能会扩散进入金属氧化物半导体[0051]图1为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法的工艺流程图。如[0053]对所述源电极和/或所述漏电极进行加热处理，使所述源电极和所述漏电极中至元素通过扩散离开这部分杂质元素原来所在的所述源电极和/或所述漏电极，从而降低甚对所述源电极和所述漏电极中含有杂质元素8[0068]对所述源电极和/或所述漏电极以及所述绝缘层进行加热处理，并且在加热处理栅电极以及形成位于所述沟道与所述栅电极[0083]图2为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法在形成第一电极图形后的纵截面示意图；图3为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方法在形成绝缘层后的纵截面示意图；图4为本申请示例性实施例提供的一种半导体器件的制造方9法在形成第二电极图形后的纵截面示意图；图5为本申请示例性实施例提供的一种半导体导体器件的制造方法在进行杂质元素扩散时的纵截面示意图；图7为本申请示例性实施例[0087]S20：在衬底10上沉积覆盖第一电极图形21的绝缘层30，采用化学机械抛光[0092]S40：沿着朝向衬底的方向对图案化的第一导电层和第二导电层以及绝缘层30进至900℃,以使图案化的第一导电层和第二导电层以及绝缘层30中的至少部分杂质元素例因此图案化的第一导电层和第二导电层以及绝缘层30中含有杂质元素的膜层中的杂质元第二导电层以及绝缘层30中的杂质元素在浓度梯度的作用下可以扩散进入杂质元素浓度[0097]示例性地，步骤S50的加热处理可以在真空或不含有所述杂质元素的气体氛围中在加热处理时杂质元素例如氢元素可以通过这些露(ZrInZnO)、铪铟锌氧化物(HfInZnO)、锡铟锌氧化物(SnInZnO)、铝锡铟锌氧化物(AlSnInZnO)、硅铟锌氧化物(SiInZnO)、铝锌锡氧化物(AlZnSnO)、镓锌锡氧化物[0110]在本申请的示例性实施例中，所述栅极绝缘层的材料可以包含一层或多层Low_K中的氢元素的浓度不高于1020原子个数/cm3，例如，可以为1012原子个数/cm3至1020原子个中的氢元素的浓度不高于1020原子个数/cm3，例如，可以为10