CN119451201A 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆 （长飞先进半导体(武汉)有限公司）

发区高新大道999号武汉未来科技城触电阻小于金属钛与半导体本体形成欧姆接触2沟槽栅极，所述沟槽栅极位于所述栅极沟槽内所述绝缘层远离所述半导体本体的一欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述第一表面；所提供半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第在所述栅极沟槽内所述绝缘层远离所述半导体本体的一侧形3在所述第一表面形成欧姆接触层；所述欧姆接TiAl合金以及Ti和Al的叠层中的任意一种或其组提供包括碳化硅半导体本体或者氮化镓半导体本体的提供在所述栅极沟槽的一侧设置有多个源极沟槽的半导体本体，所述源极所述功率转换电路包括电路板以及至少一个如权利要求1_7任一项所述的半导体器4[0002]以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体的金属氧化物半导体场效应晶体管[0003]如图1所示，图1是现有技术提供的一种双沟槽的MOSFET半导体器件的结构示意触层303接触的填充层302和位于栅极沟槽T1的沟槽栅极202的材料相同，沟槽栅极202通常包括半导体材料多晶硅。为了使得欧姆接触层303和第二区域105形成良好的欧姆接触，通间间隔有层间绝缘层203，而填充层302和欧姆接触层303直接接触，当填充层302和沟槽栅5在所述欧姆接触层的退火温度下，所述填充层和所述欧姆接触层之间无化学反应中间产述第一表面，所述阱区设置为第二导电类型且位于所述第一区域远离所述第一表面的一设置为第二导电类型且包围所述源极沟槽的底面和侧壁；所述半导体本体还包括绝缘层，[0021]所述功率转换电路包括电路板以及至少一个如本发明实施例任意所述的半导体姆接触层与半导体本体间的欧姆接触电阻小于金属钛与半导体本体形成欧姆接触时的欧接触层的退火温度下，填充层和欧姆接触层相比金属镍与多晶硅之间更难发生化学反应，6[0024]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特[0032]图7图15是本发明实施例提供的一种半导体器件的制造方法各步骤对应的结构员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范7通过一次外延工艺形成的半导体层，外延工艺包括化学气相外延生长(CVE)、分子束外延(MBD)以及原子层外延(ALE)等工[0038]MOSFET半导体器件包括N型MOSFET半导体器件或者P型MOSFET半导体器件。以N型电阻小于金属钛与半导体本体100形成欧姆接触时的欧姆接触电阻，降低了接触电阻以及需将欧姆接触层303设置为化学性能稳定但是欧姆接触电阻大的材料比如金属钛或者钛化Ti和Al的叠层的中的任意一种或其组合可以和第二区域105形成良好欧姆接触，欧姆接触8302和欧姆接触层303之间无化学反应中间产物，可以避免欧姆接触层303在其退火过程中[0051]具体的，半导体本体100包括碳化硅半导体本体，该MOSFET半导体器件为碳化硅9类型且位于第一表面101，阱区103设置为第二导电类型且位于第一区域104远离第一表面沟槽T1从第一表面101延伸至半导体本体100中，源极沟槽T2从第一表面101延伸至半导体通过一次外延工艺形成的半导体层，外延工艺包括化学[0060]MOSFET半导体器件包括N型MOSFET半导体器件或者P型MOSFET半导体器件。以N型小于金属钛与半导体本体形成欧姆接触时的欧姆接触电阻；且在欧姆接触层的退火温度[0066]图9图15示出了S120S150的结构示意图以及在栅极沟槽T1的底面和侧壁形成绝[0068]如图10所示，可以通过湿法腐蚀工艺去除第一表面101以及栅极沟槽T1的填充层[0072]如图14所示，在第一表面101形成欧姆接触层303。在欧姆接触层303的退火温度电阻小于金属钛与半导体本体100形成欧姆接触时的欧姆接触电阻，降低了接触电阻以及将欧姆接触层303设置为化学性能稳定但是欧姆接触电阻大的材料比如金属钛或者钛化TiAl合金以及Ti和Al的叠层中的任意一种或其组Ti和Al的叠层的中的任意一种或其组合可以和第二区域105形成良好欧姆接触，欧姆接触[0086]如图8所示，提供包括源极沟槽T2的宽度W1小于栅极沟槽T1的宽度W2的半导体本的宽度W1大于或等于栅极沟槽T1的宽度W2的方案，使得源极沟槽结构300在实现降低沟槽[0094]如图7所示，提供包括碳化硅半导体本体或者氮化镓半导体本体的半导体本体[0095]具体的，半导体本体100包括碳化硅半导体本体，该MOSFET半导体器件为碳化硅