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文档简介
一种高光电转化率钙钛矿电池及其制备方法本发明公开了一种高光电转化率钙钛矿电池及其制备方法,钙钛矿电池的结构依次为FTO化率钙钛矿电池在钙钛矿吸光层表面上年制备25.根据权利要求4所述高光电转化率钙钛矿6.根据权利要求4所述高光电转化率钙钛矿电池7.根据权利要求4所述高光电转化率钙钛矿8.根据权利要求4所述高光电转化率钙钛矿电池的制锶盐溶液旋涂在钙钛矿吸光层上时,先将锶盐溶液静止10~15s,旋涂时的转速为3000~3[0001]本发明涉及有机-无机卤化钙钛矿薄膜电池制备技术领域,具体说是一种高光电[0003]由于在电流-电压扫描时给薄膜上施加高外场,卤化钙钛矿中的离子迁移几乎是[0004]本发明的目的是针对上述现有技术中的不足,提供一种高光电转化率钙钛矿电基)胺](PTAA)或2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺4钛酸二异丙酯和无水正丁醇按体积比1:(10~20)的比例配制而成,退火温度为450~500锶盐溶液静止10~15s,旋涂时的转速为3000~5000rpm,退火温度[0022]本发明的高光电转化率钙钛矿电池在钙钛矿吸光层表面上面制备了一层含有锶射复合。本发明的钙钛矿电池能有效地解决甲胺和甲脒材料在晶体结构中的离子迁移问的1000h干燥空气下的光电性能测试中,含有锶盐薄膜修饰层的钙钛矿电池一直保持较高[0023]图1是实施例1中高光电转化率钙钛矿电池与对比钙钛矿电池进行正扫和反扫的[0024]图2是实施例1中高光电转化率钙钛矿电池与对比钙钛矿电池在干燥空气下1000h5在第二阶段转速10s后移取1000uL乙醚迅速滴加于钙钛矿吸光层150℃退火15min。在第二阶段转速10s后移取1000uL乙醚迅速滴加于上述过程150℃退火15min。[0048]将实施例1得到的高光电转化率钙钛矿电池与对比钙钛矿电池进行正扫和反扫的6[0051]从表1和图1中可以看出,实施例1得到的高光电转化率钙钛矿电池的正扫和反扫效率明显升高。实施例1得到的高光电转化率钙钛矿电池的正扫和反扫的光电转换效率相[0052]将实施例1得到的高光电转化率钙钛矿电池与对比钙钛矿电池在干燥空气下后已经衰减到原来的20%以下,这证实了本发明的钙钛矿电池的电池器件长期稳定性更在第二阶段转速10s后移取500uL乙醚迅速滴加于钙钛矿吸光层150℃退火10min。的一步溶液法旋涂于步骤2的电子传输层上,第一转速1000rpm,时间10s,第二阶段转速7的一步溶液法旋涂于步骤2的电子传输层上,第一转速1000rpm,时间10s,第二阶段转速的一步溶液法旋涂于步骤2的电子传输层上,第一转速1000rpm,时间10s,第二阶段转速8证实了有锶盐薄膜修饰层后的钙钛矿晶粒尺寸和晶体质量9
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