CN110729271B 芯片封装方法及封装结构 （Pep创新私人有限公司）

US2015155248A1,2015US2006043364A1,2006.0US2017207194A1,2017.US2013154108A1,2013.CN210182379U,2020.03.24本公开提供了一种芯片封装方法和封装结该封装方法可以减小或消除面板封装过程中的2至少一部分所述晶片导电层和所述电连接点电连接，用于将的单个接触区域的接触面积小于所述晶片导电层与所述导电填充通孔的单个接触区域的9.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述裸片背面从所述塑封层暴315.根据权利要求14所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的杨氏模量为18.根据权利要求12所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的热膨胀系数为20.根据权利要求19所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层的热膨胀系数为23.根据权利要求22所述的芯片封装结构，24.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征25.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的抗拉强度为20-4电层将电连接点单独引出和/或至少一部分所述晶片导电层将多个电连接点彼此互连并引的接触面积小于所述晶片导电层与所述导电填充通孔的单和/或所述保护层表面进行等离子表面处理和/或化学促35.根据权利要求34所述的芯片封装方法，其特征在于：所述保护层的杨氏模量为39.根据权利要求38所述的芯片封装方法，其特征在于，所述塑封层的热膨胀系数为为有机/无机复合材料和/或所述保护层和所述43.根据权利要求26所述的芯片封装方法，其特征在于，所述5[0002]面板级封装(panel-levelpackage)即将晶片切割分离出众多裸片，将所述裸片[0004]尤其是在当今电子设备小型轻量化的趋势下，小型质薄的芯片日益受到市场青小于所述晶片导电层与所述导电填充通孔的单6[0020]在一个实施例中，所述保护层的杨氏模量为以下任一数值范围或数值：1000~[0022]在一个实施例中，所述保护层的热膨胀系数为以下任一数值范围或数值：3~所述电连接点单独引出和/或至少一部分所述晶片导电层将至少一部分中的多个所述电连[0031]在一个实施例中，所述方法还包括在所述保护层开口中形成导电填充通孔的步7[0034]在一个实施例中，所述方法还包括对所述晶片和/或所述保护层表面进行等离子[0035]在一个实施例中，所述保护层的杨氏模量为以下任一数值范围或数值：1000~[0055]图11是根据本公开示例性实施例中在面板组件上形成导电填充通孔和导电迹线[0057]图13a、图13b和图13c是根据本公开示例性实施例中在面板组件上形成介电层的8优选实施例给出详细具体的描述和说明，不能理解为以下描述是本公开的唯一实现形式，[0063]如图1所示，提供至少一个晶片100，该晶片100具有晶片活性面1001和晶片背面种功能。所述晶片活性面1001还包括用于将功能电路引出的电连接点103以及用于保护该[0066]至少一部分所述晶片导电层106与所述晶片活性面1001上的至少一部分所述电连导电层106按照电路设计首先将多个电连接点103彼此互联，省去了在每个电连接点103上上的一部分所述电连接点103单独引出并且将所述晶片活性面1001上的另一部分所述电连9片100的之间的结合更为紧密。处理方法可选的为等离子表面处理使表面粗糙化增大粘接例如同时带有亲和有机和亲和无机的基团的表面改性剂，增加有机/无机界面层之间的粘不使塑封材料渗入从而保护所述裸片活性面1131[0077]所述保护层107的存在同时也可以使所述裸片113和粘接层121之间的粘合作用更加优选的所述保护层107的杨氏模量为1000～10000MPa范围内；进一步优选的所述保护层[0080]所述保护层107的杨氏模量数值范围在1000～20000MPa时，一方面，所述保护层特性，使所述保护层107能够在之后的裸片转移过程中有效保护所述裸片对抗裸片转移设[0083]裸片转移过程是将切割分离后的裸片113重新排布粘合在载板117的过程[0085]在一个优选实施例中，所述保护层107为包括填料颗粒的有机/无机复合材料护层107单独采用有机材料时，由于有机材料的材料学性质和无机材料的材料学性质之间[0087]在一个优选实施例中，当(T<Tg)时，所述保护层107的热膨胀系数的范围为3~和裸片113之间的膨胀收缩程度保持相对一致，保护层107和裸片113的连接界面不易产生上形成具有较平滑侧壁的保护层开口，从而在导电材料填充工艺中可以使材料填充充分，避免具有大尺寸凹凸的保护层开口侧壁109c在有凸起遮挡的侧壁后侧导电材料无法填充，[0096]可选的，在所述晶片活性面1001上施加所述保护层107流程后，对所述晶片背面109将晶片导电层106暴露出来；所述保护层开口109具有保护层开口下表面109a和保护层于所述晶片导电层106与所述保护层开口109的单并引出的晶片导电层106上形成所述保护层107，图中示出了每个晶片导电层106对应多个一部分晶片导电层106对应一个保护层开口109，另一部分晶片导电层106对应多个保护层109成为导电填充通孔111，至少一部分所述导电填充通孔111与所述晶片导电层106电连[0108]导电介质的填充可以为对保护层开口109的完全填充，也可以为只在保护层开口111的理解为只要使保护层开口中具有导电介质，该导电介质能够和面板级导电层进行电[0109]首先形成晶片导电层106和电连接点103电连接，由于晶片导电层106是在晶片级加有所述保护层107的晶片100的具有保护层107的一面进行等离子表面处理，增大表面粗100切割成待封装裸片113后，在每个裸片113的裸片活性面1131上形成晶片导电层106和/在之后的流程中将载板117和背部塑封完成的裸片113分离，粘接层121优选的采用易分离[0123]排布在载板117上的裸片113的形式，可以为如图7a所示出的裸片113上的所述晶片导电层106将所述裸片活性面1131上的至少一部分中的多个所述电连接点103彼此互连并引出的裸片形式；也可以为如图7b所示出的所述晶片导电层106将所述裸片活性面1131片导电层106和保护层107的晶片100形成的裸片113的形式；切割如图5所示出的具有晶片[0126]在所述待封装裸片113的四周以及载板正面1171或粘接层121的裸露表面形成塑塑封层123背离载板正面1171或粘接层121的一面定义为塑料、高分子复合材料、聚合物复合材料，例如具有填充物的环氧树脂、ABF(Ajinomotobuildupfilm)或具有合适填充物的其[0130]在一实施例中，所述塑封层123采用有机/无机复合材料采用模压成型的方式形封层123的热膨胀系数为5ppm/K；在另一个优选实施例中所述塑封层123的热膨胀系数为[0133]将塑封层123的热膨胀系数选定为3～10ppm/K且选定和保护层107具有相同或相[0139]当裸片活性面1131有具有材料特性的保护层107时，可以在塑封压力下起到缓冲[0140]如图9a所示，所述塑封层123的厚度可以通过对所述塑封层背面1232进行研磨或[0144]在一个实施例中，当排布在所述载板117的所述裸片113为还未在所述保护层107上形成保护层开口时，在剥离完所述载板117后还有在所述塑封层123包覆的裸片113上的[0147]图11和图12示出了在塑封层123中的裸片113上形成图案化面板级导电层过程的[0149]导电介质的填充可以为对保护层开口109的完全填充，也可以为只在保护层开口111的理解为只要使保护层开口中具有导电介质，该导电介质能够和面板级导电层进行电[0155]面板级导电层由导电迹线125和/或导电凸柱127构成，面板级导电层可以为一层者全部的所述电连接点103从所述裸片活性面1131引出；导电填充通孔下表面111a和所述[0179]在一些实施例中，所述保护层107和所述塑封层123具有相同或相近的热膨胀系活性面1131上的至少一部分中的多个所述电连接面1131上的至少一部分所述电连接点1点103的单个接触区域的接触面积α2小于所述晶片导电层106与所述导电填充通孔111的单[0192]图16示出了封装芯片在使用时的示意图，在使用过程中通过焊料160将封装芯片