CN111128288B 温度控制输出驱动电路、驱动方法和存储器 （长鑫存储技术有限公司）

CN209087412U,2019.07.09KR20150107982A,2015US2014269107A1,2014.0驱动模块的电阻大小来调节整个输出驱动的电2所述主驱动模块包括上拉主驱动模块和下拉主驱动模块，所述上拉主所述辅助驱动模块包括上拉辅助驱动模块和下拉辅助驱动模块，所述上其中，所述上拉主电阻元件和上拉辅助电阻元件并联，所述上拉辅助驱动模块还包括N个并联的上拉晶体管开关元件，所述N所述下拉辅助驱动模块还包括M个并联的下拉晶体管开关元件，所述M所述上拉电阻调整模块包括P个与所述上拉晶体管开关元件并联的上拉调整晶体管开关元件，所述P个上拉调整晶体管开关元件的控制端与所述P个上拉信号端口一一对应连所述下拉电阻调整模块包括Q个与所述下拉晶体管开关元件并联的下拉调整晶体管开关元件，所述Q个上拉调整晶体管开关元件的控制端与所述Q个下拉信号端口一一对应连3根据需要的电阻值向所述驱动电路中并联若干调整电阻4[0002]DDR4芯片的输出驱动电路通常由多个输出驱动单元配置而成。如图1所示，对于[0015]在本发明的一种示例性实施方式中，所述上拉辅助驱动模块还包括N个并联的上5[0019]所述上拉电阻调整模块包括P个与所述上拉晶体管开关元件并联的上拉调整晶体[0020]所述下拉电阻调整模块包括Q个与所述下拉晶体管开关元件并联的下拉调整晶体或消除了输出驱动电阻阻值随温度变化而引起的变化，使其输出驱动电阻稳定在预设值，6要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素在较大范围的波动(约150～400ohms)，所以最后输出驱动的电阻会和预期值有一定的误7节电阻调整模块的电阻，从而通过并入驱动模块的电阻大小来调节整个输出驱动的电阻，[0045]驱动模块分为上拉驱动和下拉驱动，上拉驱动和下拉驱[0048]本发明的逻辑控制模块6可以根据温度传感器的温度数据进行逻辑运算，当检测块3还包括N个并联的上拉晶体管开关元件，N个上拉晶体管开关元件的控制端用于接收对8[0058]在本示例实施方式中，电阻调整模块包括上拉电阻调整模块5和下拉电阻调整模9[0060]本实施方式的上拉调整晶体管开关元件和下拉调整晶体管开关元件的设置方式[0062]上拉电阻调整模块5包括三个并联的PMOS管，三个PMOS管的栅极分别接收各自对PMOS管均与上拉辅助驱动模块3的五个PMOS管Zqpup[4:0]并联，即这八个PMOS管的一端共辑控制模块8的三个上拉信号端口一一对应连接，通过各自端口发送对应的控制信号控制[0063]相对应的，下拉辅助电阻调整模块4包括三个并联的NMOS管的栅极分别接收各自信号端口一一对应连接，通过各自端口发送对应的控制信号控制相应NMOS管的导通或关[0064]逻辑控制模块8根据温度传感器7感应的实时温度数据计算出当前上拉驱动(上拉主驱动和上拉辅助驱动)和下拉驱动(下拉主驱动PMOS管和NMOS管，并分别向上拉电阻调整模块5和下拉电阻调整模块6输出电阻调整信号。[0066]相应的，逻辑控制模块8的上拉信号端口和下拉信号端口的个数也随着上拉电阻调整模块5和下拉电阻调整模块6中PMOS管和NMOS管的个数而定，只要保证端口能与MOS管[0073]通过温度传感器7感应的温度数据判断当前驱动电路的电阻值，再通过并入驱动[0074]步骤S210和S310中，可以利用一控制逻辑根据温度传感器7获取的输出驱动电路[0075]在本示例性实施方式中，并入电路用于调整阻值的电阻元件采用晶体管开关元[0076]上拉和下拉驱动电路的结构以及用于调整阻值的电路结构参照本发明温度控制[0078]逻辑控制模块8根据驱动电路的温度计算其各自需要的电阻调整值，并生成上拉[0079]本发明的方法的执行可以随着工作的进行不断重复进行，根据需求设置执行间