CN111128938B 半导体封装和制造半导体封装的方法 （英飞凌科技奥地利有限公司）

F.施诺伊US2001048156A1,2001.12.06US7757392B2,2010.表面上的第一功率电极和控制电极以及在第二板的第一主表面上并且封装覆盖区的可焊接接夹，其包括腹板部分和一个或多个外围边缘部2半导体器件，包括在第一表面上的第一功率电极和控制电极，以及再分布衬底，包括具有第一主表面和第二主表面的绝缘板，其中第一功接触夹，包括腹板部分和一个或多个外围边缘部其中绝缘板包括从第一主表面延伸到第二主其中第一功率电极和控制电极通过绝缘粘合剂安装在绝缘板的第一主表面上并与绝2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中接触夹包括从腹板部分的相对侧延伸的两3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体接触夹的外围边缘部分安装在绝缘板的第一主表面上的第三导电焊盘上并且电耦合接触夹的外围边缘部分通过焊料安装在绝缘板的第一主表面上的第三导电焊盘上并6.根据权利要求1至2中任一项所述的半导体过绝缘粘合剂安装在绝缘板的第一主表面上并与绝缘板的第一7.根据权利要求1至2中任一项所述的半导体8.根据权利要求6所述的半导体封装，还包括位于外围边缘部分上且位于孔径的至少9.根据权利要求1至2中任一项所述的半导体封装3在再分布衬底上布置半导体器件，所述半导体器件具有在和控制电极以及在与第一表面相对的第二表面上的第二功率电极，再分布衬底包括绝缘板，所述绝缘板具有第一主表面和具有形成封装覆盖区的可焊接接触焊盘的第二主表面，通过绝缘粘合剂将第一功率电极和控制电极安装在绝缘板的第一在半导体器件上布置包括腹板部分和一个或多个外围边缘部将第一功率电极、控制电极和外围边缘部分电耦合到再分布衬底的12.根据权利要求11所述的方法，其中再分布衬底包括从第一主表面延伸到第二主表将第一功率电极或控制电极或接触夹的外围边缘部分布置在第一主表将焊料插入孔径中，使得其位于第一功率电极或控制电极或外围径的至少在侧面上并且位于再分布衬底的第二主表面上的可熔化焊料以将第一功率电极或控制电极或外围边缘部分电耦合到可焊接4（redistributionsubstrate包括具有第一主表面和第二主表面的绝缘板，其中第一功率电极和控制电极安装在绝缘板的第一主表面上并且封装覆盖区的可焊接接触焊盘被布边缘部分。腹板部分安装在第二功率电极上并电耦合到第二功率电极，并且外围边缘部分安装在绝缘板的第一主表面上。且外围边缘部分被布置在绝缘板的第一主表面上的第三导电焊盘上，以及将第一功率电[0005]附图中的元素不一定相对于彼此按比例。相同的附图标记表示相应的类似部[0006]图1包括图1a至1c，其示出了根据实施例的半导体封装的截面图、仰视图和俯视5他实施例并且可以进行结构或逻辑改变。其以下详细描述不被视为具有限制意义，并且本发明的范围由所附权利要求书来限定。[0019]如在本说明书中所采用的，当诸如层、区或衬底之类的元素被称为在另一元素[0024]再分布衬底24包括具有第一主表面32和与第一主表面32相对的第二主表面33的6器件23的第一功率电极26和控制电极27安装在绝缘板31的第一衬底24的第一主表面32，该第一主表面32与半导体器件23的相对的第一表面28相邻布置。[0031]通过将导电焊盘40和/或可焊接接触焊盘22与垂直导电路径41组合地适当定位，缘部分35和第一负载电极26以及控制电极27的布[0033]半导体封装20可以被认为将诸如以商品名DirectFET®或Can的封装之类的基于罐的封装与提供导电再分布结构39和封装覆盖区21的再分布衬底24组726和/或控制电极27的位置的任何改变不导致封装的覆盖区的改变。由第一主表面32上的封装20可以与不同横向大小的半导体器件23一起使用而保持[0038]如图2中可以看到的，由于半导体器件239的第一功率电极269具有较小的横向区体器件23的封装20相中同。接触夹25可以具有与图1中所示的半导体封装中的形状相同的衬底24的导电再分布结构39使能从下表面更好8接过程期间封装20经受温度的变化。例如，用于外部接触焊盘22的焊料可具有230℃的熔点。可以在焊接过程中使用略高于230℃的温度以确保焊料已经完全熔化。在这些实施例[0046]半导体器件23可以是垂直晶体管器件，诸如MOSFET器件、绝缘栅双极晶体管[0047]半导体器件23的第一和第二功率电极26以及控制电极27和第二功率电极29可以[0050]根据本文描述的实施例的半导体封装可以用于具有较小厚度的半导体器件，例9因为再分布板具有与封装安装在其上的较高级别的再分布板的热膨胀系数类似的热膨胀[0054]参考图3a和3b描述了制造半导体封装的方法，所述半导体封装诸如图1中所示的上方。焊料沉积物61被施加到第二功率电极29并且导电夹25位于布置在半导体器件23上[0065]参考图3和4描述的制造半导体封装的方法是关于单个半导体封装来进行描述装位置提供用于封装20的再分布衬底24。在每个位置组装半导体器件23和接触夹25之后，[0066]图5示出了包括半导体器件23的半导体封装80，半导体器件23包括在第一侧28上一主表面32上的导电焊盘40和布置在第二主表面33上的形成覆盖区21的可焊接接触焊盘22的绝缘板31的再分布衬底24，以及具有从腹板部分34的相对侧延伸的外围边缘部分35、[0067]半导体封装80与图1至图3中所示的半导体封装在垂直导电路径41的结构方面不盘43布置在与孔径82的侧面相邻的第二主表面33上。孔径82的中心部分未被接触焊盘46、至少一部分位于孔径82的上方并且保持未被接触焊盘46[0071]第一功率电极26和布置在绝缘芯层31的第二主表面33上的可焊接接触焊盘43之电极26、孔径82的侧壁84上的导电层83和位于第二主表面上的可焊接接触焊盘43直接接电极27通过位于孔径90中的焊料93电连接到可焊接接触焊盘44，使得焊料93与控制电极绝缘粘合剂86通过焊料93和可焊接接触焊盘44电耦合到再分[0074]半导体器件80可以具有与图1至3中所示的实施例的连续接触可焊接接触焊盘22在绝缘板31的第二主表面33上的可焊接接触焊盘42、429的导电垂直导电路径41是由导电第二主表面上的可焊接接触焊盘42、429的垂直导电路径41方面与图5的半导体封装80不同。在图6中所示的实施例中，至少两个导电通孔54在绝缘板31的上表面32上的导电焊盘48、49中的每个与布置在绝缘板31的第二主表面33上的相关联的可焊接接触焊盘42、429[0078]如在图5中所示的实施例中，半导体器件23通过电绝缘粘合剂86附接到绝缘板31[0079]图7示出了包括半导体器件23、再分布衬底24和接触夹25并且类似于图5和6中所[0081]绝缘板31包括孔径111，孔径111定位在绝缘板31中并且延伸穿过绝缘板31的厚包括用于每个外围部分的图7中所示的外围边[0083]对于内部连接中的每个使用相同类型的垂直导电路径41可用于简化制造并降低相对表面的导电连接可以通过使用例如焊料之类的相同线框122使得多个接触夹或罐能够基本上同时被施加到面板120上的[0088]可以通过使用电绝缘粘合剂将半导体器件23附着到绝缘板31的第一主表面32来极27位于孔径90的上方并覆盖该孔径90。然后可将焊料128施加到用于接触夹25的外围边使得每个夹25的安装表面36位于定位在第二功率电极29上的焊料128上，并且外围边缘部[0089]然后可以通过将组件加热到高于焊料128的熔点的温度来执行焊料回流过程，以将接触夹25附接到第二功率电极29和再分布衬底24并且将第一功率电极26和控制电极27过沿着引线框122的系杆123切割并且穿过在封装位置121之间的切割位置130处的面板120[0090]包括多个接触夹25的引线框122可以通过半蚀刻来形成，以便形成用于容纳半导布衬底24的第二主表面33上的可焊接接触焊盘形成封装覆盖区。再分布衬底包括从第一主表面延伸到第二主表面的一个或多个孔位或位于可焊接接触焊盘之一中并且与第一和第二导电焊盘之一相邻定位或位于第一和[0096]在框142中，在半导体器件上布置包括腹板部分和一个或多个外围边缘部分的接[0097]在框143中，第一功率电极或控制电极或接触夹的外围边缘部分布置在第一主表[0099]在框145中，熔化焊料以将第一功率电极或控制电极或外围边缘部分电耦合到可相对术语来解释一个元素相对于第二元素的定位。除了与图中所示的取向不同的取向之不脱离本发明范围的情况下，可以用各种替代和/或等同实现方案来替代所示出和描述的