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文档简介
提供了一种显示装置和一种制造该显示装电极和设置在第一电极与第二电极之间的第一到第一电极和第二电极并且设置在第一电极与并且止动区域具有与第一区域和第二区域中的2第二绝缘层,覆盖所述第一电极、所述第二发光元件,在所述第二绝缘层上电连接到所述第一电极和所其中,所述第二绝缘层包括与所述第一电极叠置的第一区比所述第一区域和所述第二区域中的每个的最小厚述宽度等于或大于所述发光元件在所述第一方向上小厚度与所述止动区域的最小厚度之间的差个倾斜表面包括从所述平坦表面延伸的第一倾斜表面和从所述第一倾斜表面延伸的第二形成覆盖所述第一电极、所述第二电极和设置在所述第一电极与通过去除所述第二绝缘层的从所述光致抗蚀剂图案暴露的一部分来形成止3[0001]本申请要求于2018年11月8日提交的第10-2018-0136730号韩国专利申请的优先[0005]发光元件与电极之间的布置关系可以分为在电极上直接生长发光元件的方法和[0007]本公开还提供了能够在两个电极之间容易地对准微型发光元件的制造显示装置厚度之间的差可以是大约3000A或更大。4[0012]在示例性实施例中,第一区域和第二区域中的每个可以具有大约5000A的最小包括从平坦表面延伸的第一倾斜表面和从第一倾斜第二倾斜表面在其处相交的边界上并且发光元件的第二端部设置在第三倾斜表面与第四[0026]在示例性实施例中,向第一外部电极和第二外部电5在绝缘表面上将第一外部电极和第二外部电极中的每个布置在与发光元件间隔预定距离[0027]在示例性实施例中,向第一外部电极和第二外部电6[0057]显示面板110可以包括多条数据线DL1至DLm、多条扫描线SL1至SLn和多个像素[0058]多条扫描线SL1至SLn可以均在第一方向DR1上延伸并且在与第一方向DR1交叉的[0059]像素PX11至PXnm中的每个可以连接到多条扫描线SL1至SLn中的对应扫描线和多条数据线DL1至DLm中的对应数据线。像素PX11至PXnm可以根据预定规则布置在显示面板[0060]时序控制器120接收输入图像信号RGB和控制信号CS,并且输出第一控制信号的集成电路芯片并且电连接到显示面板11[0062]数据驱动器140从时序控制器120接收第一控制信号CONT1和图像数据信号RGB'。数据驱动器140将图像数据信号RGB'转换为数据信号,并且将数据信号输出到多条数据线[0063]电压发生器150产生第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。第一电源电压7可以产生被提供给多个像素PX11至PXnm的初始化电压和对于数据驱动器140的操作是必要[0064]图2是根据发明构思的实施例的像素的等效电路图。尽管图2仅示出图1中的多个[0067]开关晶体管TR1可以响应于通过扫描线SLi传输的扫描信号,将通过数据线DLj传[0068]电容器C1充入与从开关晶体管TR1传输的数据信号与施加到第一电源线PL1的第[0069]驱动晶体管TR2响应于储存在电容器C1中的电荷量来控制流过发光元件ED的驱动[0070]在该实施例中,开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2中的每个可以实现为P型薄膜晶[0071]发光元件ED可以与连接到驱动晶体管TR2的第一电极E1和连接到第二电源线PL2[0072]发光元件ED可以通过对应于通过驱动晶体管TR2传输的信号与通过第二电源线PL2接收的第二电源电压ELVSS之间的差[0074]尽管在图2中示例性地示出了包括一个发光元件ED的一个像素PXij,但是发明构8以具有比当半导体图案11和半导体图案21直接设置在第一基体层BL1上时更大的与缓冲层体层BL1引入的污染物或湿气渗透到半导体图案11[0080]第一绝缘层L1可以设置在缓冲层BFL上以覆盖半导体图案11和半导体图案21。第[0083]第三绝缘层L3设置在第二绝缘层L2上以覆盖第二盖电极CPa。源电极14、漏电极13可以通过穿过第一绝缘层L1、第二绝缘层L2和第三绝缘层L3的通孔连接到半导体图案[0086]第五绝缘层L5可以设置在第四绝缘层L4上以覆盖连接电极CNE和第二连接线CNL2。第五绝缘层L5可以包括有机材料。第五绝缘层L5覆盖设置在其下方的像素电路PXC[0087]第一分隔件BR1和第二分隔件BR2设置在第五绝缘层L5上。第一分隔件BR1和第二[0088]第一电极E1可以覆盖第一分隔件BR1,并且第二电极E2可以覆盖第二分隔件BR9极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有单层结构或其中层叠多个层的结构。例如,第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有其中顺序地层叠氧化铟锡[0093]在平面上,第六绝缘层L6设置在第一电极E1与第二电极E2之间的第五绝缘层L5管发光元件ED具有大约几百微米或更小的长度,但是由于第八绝缘层L8,第二连接电极有像素电路PXC(参照图2)和发光元件ED的第一基体层BL1和其上设置有波长转换部分CL和SCP可以通过在半导体层中掺杂P型掺杂剂来提供。半导体层可以包括半导体材料,例如,[0109]N型半导体层SCN可以连接到第一电极E1(参照图3B)和第二电极E2(参见照图3B)[0110]发光元件ED可以是微型发光二极管(LED)。发光元件ED可以具有几纳米至几百微[0113]第一电极层ECL1可以与N型半导体层SCN相邻设置,第二电极层ECL2可以与P型半[0114]第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个可以由金属或它们的合金制成。例覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个的至少一部分或第一电极层ECL1和第二[0123]止动区域A3可以具有在第一方向DR1上的宽度,该宽度等于或大于发光元件ED在发光元件ED的长度LT1平行于第一电极E1和第二电极E2沿其彼第六绝缘层L6的厚度可以表示第六绝缘层L6的基本彼此平行的底表面与顶表面之间的距[0125]在该实施例中,第一区域A1的第一厚度t1与第二区域A2的第二厚度t2基本相第二厚度t2中的每个可以是大约SOOOA,并且止动区域A3的第三厚度t3可以是大约2000A.在实施例中,第一厚度t1与第三厚度t3之大。[0127]止动区域A3具有包括第一倾斜部分SP1、第二倾斜部分SP2和平坦表面FL的顶表面。第一倾斜部分SP1可以设置在止动区域A3的朝向第一电极E1的一侧处,第二倾斜部分SP2可以设置在止动区域A3的朝向第二电极[0128]第一倾斜部分SP1包括第一倾斜表面SLP1和第二倾斜表面SLP2。第一倾斜表面[0129]第二倾斜部分SP2包括第三倾斜表面SLP3和第四倾斜表面SLP4。第三倾斜表面[0130]发光元件ED可以具有第一端部和第二端部,所述第一端部设置在第一倾斜部分SP1的第一倾斜表面SLP1和第二倾斜表面SLP2在其处彼此相交的边界上,所述第二端部设置在第二倾斜部分SP2的第三倾斜表面SLP3和第四倾斜表面SLP4在其处彼此相交的边界FL之间的间隔距离d1可以根据第一倾斜表面SLP1和第三倾斜表面SLP3中的每个的长度和[0131]根据发明构思的实施例,由于止动区域A3设置在第一电极E斜表面SLP2和第四倾斜表面SLP4中的每个可以具有与在垂直于发光元件ED的长度LT1的方[0133]图6A至图6L是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的工艺的一部分的视[0135]可以在第一基体层BL1上形成包括开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2的像素电路绝缘层L5可以提供平面化的表面。在第五绝缘层L5上形成第一分隔件BR1和第二分隔件图案OLP1可以通过形成正性光致抗蚀剂层或负性光致抗蚀剂层,然后对其图案化来形成。[0140]当去除第一导电层CDL1的一部分时,形成第一反射电极RFE1和第二反射电极[0141]参照图6E,形成覆盖第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2的第二导电层CDL第二导电层CDL2可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌缘层L6-B的所述一部分可以通过湿法蚀刻或干法蚀刻第六绝缘层L6-B厚度t3可以是大约2000A.件ED诱导偶极性,并且可以通过电泳力在第一电极E1与第二电极E2之间对准发光元件ED。极E1与第二电极E2之间形成电场EF1。第一电压V1可以是由图1中的电压发生器150产生的第二电极E2的电极性而产生电位差以形成电场。当在不均匀电场EF1下对发光元件ED诱导偶极性时,发光元件ED可以通过介电泳(DEP)力而在电力的倾斜度沿其更大或更小的方向第一外部电极E11与第二外部电极E12之间形成电场EF2。尽管为了便于描述而提供了第一外部电极E11和第二外部电极E12中的每个的形状以及第一外部电极E11与第二外部电极[0156]在该实施例中,第一外部电极E11在第一方向DR1上与第二外部电极E12间隔预定距离。第一外部电极E11和第二外部电极E12中的每个在与第三方向DR3相反的方向上与第五绝缘层L5间隔预定距离。可以考虑适于对准发光元件ED的电场EF2的方向和强度来确定第一外部电极E11与第二外部电极E12之间的间隔距离以及在与第三方向DR3相反的方向上约±20V和大约100kHz的交流电压,第二电压V2可以是大约±20V和大约100kHz的交流电而首次对准发光元件ED,并且通过将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极然后将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极E12而第三次对准发光元件ED。极E1和第二电极E2而第二次对准发光元件的每个在第三方向DR3上与第五绝缘层L5间隔预定距离。可以考虑适于对准发光元件ED的电场EF4的方向和强度来确定第一外部电极E21和第二外部电极E22之间的间隔距离以及在第三方向DR3上距第五绝缘层L5的间隔距离。例如,可以在绝缘表面上设置第一外部电极电极E1和第二电极E2时,第三电压V3可以同时施加到第一外部电极E21和第二外部电极一外部电极E31和第二外部电极E32可以在第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3上移电极E1和第二电极E2时,第四电压V4可以同时施加到第一外部电极E31和第二外部电极[0173]根据发明构思的实施例,由于止动区域A3设置在第一电极E[0177]由于止动槽HM包括第二方向DR2上的倾斜表面SLP5和SLP6以及第一方向DR1上的第二方向DR2上延伸。由第六绝缘层L6-B形成的支撑部分SM可以设置在止动区域A3的中心[0182]参照图12B,支撑部分SM可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间的止动区域A3支撑部分SM可以支撑以下面的工艺布置的[0185]首先,参照图6A和图13,在第一基体层BL1上形成开关晶体管TR1和驱动晶体管[0191]参照图7B和图13,通过将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极过电场EF2在第一电极E1和第二电极E2之间对准发光[0195]具有上述的构造的显示装置将设置在第一电极和第二电极上的绝缘层形成为具
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