CN111199878B 多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法 （三星显示有限公司）

JP2002237600A,200US2004042307A1,2004.03.04制造方法包括以下步骤：在衬底上形成非晶硅27.如权利要求1所述的方法，其中，所述多晶其中，所述有源图案具有在150nm至200nm的范围内的晶粒尺寸并且cm2至500mJ/cm2的范围内的能量密度的激光束照射3布置在所述栅电极上的源电极和漏电极，所述源电极和所述在所述栅电极上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电4[0002]本申请要求于2018年11月19日提交的韩国专利申请第10_2018_0142225号的优先用的非晶硅TFT可具有1cm2/Vs或更小的低电子迁移率。因此，非晶硅TFT最近已被多晶硅多晶硅TFT可适合用作AM型有机发光显示装置的驱动TFT和[0008]沉积非晶硅并使非晶硅结晶化的方法的示例包括固相结晶化(SPC)、准分子激光结晶化(ELC)、金属诱发的结晶化(MIC)、金属诱发的横向结晶化(MILC)、顺序横向凝固[0010]根据本发明的原理和示例性实现方式构造的多晶硅层的制造方法能够降低多晶低薄膜晶体管(TFT)中的有源图案的表面粗糙度。由于根据示例性实施方式的显示装置包5[0019]激光束的宽度可为约480μm，并且激光束的扫描间距可在约9μm至约30μm的范围图案上的栅极绝缘层和布置在栅极绝缘层上的栅电极，有源图案具有约4nm或更小的均方6[0037]用激光束照射非晶硅层的步骤可包括：用具有在约450mJ/cm2至约500mJ/cm2[0042]附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部且图5是示出根据本发明的原理的多晶硅层的制造方7[0053]交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。由[0058]本文中参考作为理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图8可为包括塑料(诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚[0065]可在衬底110上形成缓冲层120。缓冲层120可在衬底110上方提供平坦化的表[0066]可在缓冲层120上形成非晶硅层132。非晶硅层132可通过诸如低压化学气相沉积[0069]非晶硅层132可使用氢氟酸210来清洗。氢氟酸210可为溶解有氟化氢(HF)的水溶9[0073]如果非晶硅层132用脱氢去离子水来漂洗，则去离子水中的氧可能残留在非晶硅高的功率和相对高的效率的激光束240的准分子激光器。准分子激光器可包括例如惰性气[0076]在沿着第一方向D1移动衬底110时，通过用从激光器250发射的激光束240照射非光束240在第一方向D1上的宽度WB可为约480μm，并且激光束240在第一方向D1上的扫描间[0077]当激光束240照射在固态的非晶硅层132上时，非晶硅层132可吸收热量并变为液并且可形成晶粒134a。当在从液态变为固态的过程中非晶硅层132中的冷却速率中存在差慢冷却速率的区中形成晶粒边界134b。[0080]在执行了结晶化工艺的多晶硅层134的表面上的晶粒边界134b处可形成有突起有与从多晶硅层134的表面到突起134c的端部的距离对应的硅层134的表面上的突起134c的厚度的RMS值可为约4nm[0085]在下文中，将参考图8至图15对薄膜晶体管衬底和薄膜晶体管衬底的制造方法进[0087]参照图8，根据示例性实施方式的薄膜晶体管衬底100可包括衬底110和布置在衬或相似的根据示例性实施方式的薄膜晶体管衬底的制造方法的元件的描述可不被重复以[0092]可在衬底110上形成缓冲层120。缓冲层120可在衬底110上方提供平坦化的表缓冲层120可防止杂质穿过衬底110渗透到衬底1[0093]可在缓冲层120上形成非晶硅层132。非晶硅层132可通过诸如LPCVD、APCVD、[0095]非晶硅层132可使用氢化去离子水来漂洗。例如，氢化去离子水的氢浓度可为约[0098]激光器可用具有在约450mJ/cm2至约500mJ/cm2的范围内[0099]当激光束照射在固态的非晶硅层132上时，非晶硅层132可吸收热量并变为液[0101]在执行了结晶化工艺的多晶硅层134的表面上的晶粒边界处可形成有突起。突起硅层134可使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层来蚀刻。[0105]在示例性实施方式中，具有约4nm或更小的表面粗糙度的RMS值的多晶硅图案136可形成为使得多晶硅图案136可具有相对低的表面粗糙度。相应地，由形成在多晶硅图案136的表面上的突起对形成在多晶硅图案136上的栅极绝缘层140的影响可被最小化，并且[0111]离子可不被掺杂并且残留在多晶硅图案136的与栅电极GE重叠的一部分中，从而形成沟道区CR。多晶硅图案136的掺杂有离子的部分可具有增加的导电性并且可具有导电[0116]参照图8，分别电连接到有源图案AP的源区SR和漏区DR的源电极SE和漏电极DE可[0117]例如，第二金属层可形成在绝缘中间层150上并且被图案化以形成与源区SR接触的源电极SE和与漏区DR接触的漏电极DE。例如，源电极SE和漏电极DE中的每个可包括Au、输入端子以及连接到有机发光二极管OLED的输出端子。驱动晶体管TR1可将其幅度取决于驱动晶体管TR1的控制端子和输出端子之间的电压而变化的输出电流Id传输到有机发光二[0123]开关晶体管TR2可包括连接到栅极线GL的控制端子、连接到数据线DL的输入端子[0124]存储电容器CST可连接驱动晶体管TR1的控制端子和输入端子。存储电容器CST可[0125]有机发光二极管OLED可包括与驱动晶体管TR1的输出端子连接的阳极和与公共电[0129]图17中所示的薄膜晶体管TR1和有机发光二极管OLED可分别对应于图16中所示的有机发光二极管OLED可基于从薄膜晶体管TR1接收的驱动根据示例性实施方式的薄膜晶体管衬底的制造方法的元件基本上相同或相似的根据示例性实施方式的显示装置的制造方法的元件的描述可不被重第三金属层可形成在平坦化层160上并且被图案化以形成与漏电极D