CN111524796B 一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法 （全球能源互联网研究院有限公司）

一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳22.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在在所述碳化硅外延片正面第三介质层外涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行图形化处对所述碳化硅外延片背面的第二介质层进行湿3.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在4.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在基于所述剂量和温度对刻蚀完的碳化硅外延片正面5.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在6.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在7.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在8.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在所述离子注入温度为25℃~600℃。9.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片的处理方法，其特征在3采用RCA标准清洗方法对所述碳化硅外延片进行清洗，以去除碳化硅外延片表面的金所述碳化硅外延片正面和碳化硅外延片背面分别按照如权利要求1_7任一项所述的处理方法得到。4[0002]第三代半导体碳化硅(SiC)材料和传统的硅(Si)基半导体衬底材料电学参数差异半导体领域研发重点逐渐转移到碳化硅材料上。碳化硅材料和硅材料的物理参数差别较浓度并不会出现较大变化，在实际工艺中，无法通过热扩散方法对SiC材料进行选择性掺积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)方法在SiC外延片表面沉积一[0004]现有技术通常将准备好的碳化硅外延片放入反应室，在650_1050℃下保温10_5[0015]以图形化后的光刻胶作为掩膜对所述碳化硅外延片正面进行刻蚀，并去除光刻[0033]采用RCA标准清洗方法对所述碳化硅外延片进行清洗，以去除碳化硅外延片表面6硅外延片正面涂覆光刻胶对碳化硅外延片正面进行保护，防止碳化硅外延片正面被腐蚀，[0048]图7是本发明实施例中以图形化后的光刻胶作为掩膜对碳化硅外延片正面进行刻[0054]图13是本发明实施例中去除第三介质层和第一介质层后得到的碳化硅外延片示7O2碳化硅外延片1正面沉积的第一介质层2能够对碳化硅外延片1的正面进行保护，防止沾污[0071]上述淀积介质层可以采用等离子体增强化学气相沉积方法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)或低压力化学气相沉积方法(LowPressure[0073]对碳化硅外延片1正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片1背面的介质8[0075]以图形化后的光刻胶作为掩膜对所述碳化硅外延片1正面~200μm。采用本发明实施例提供的碳化硅功率器件制备在实施本申请时可以把各模块或单元的功能在同一个或多个9现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定[0087]这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一属领域的普通技术人员参照上述实施例依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者