CN111668088B 一种碳化硅衬底的处理方法 （全球能源互联网研究院有限公司）

司US2014065799A1,2014.03.06US2003080384A1,2003.05.01过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝发明通过氧族气体中的氧等离子体消除碳化硅体和磷族气体中的磷等离子体对碳化硅衬底表2基于氧族气体、氮族气体和磷族气体中的一种或多种，采用以10℃/min_200℃/min的升温速率将退火炉的内部温度升高到800℃_1000℃,之后以将高温退火后的碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到900℃_1200℃,以1SLM_10SLM的将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,维持以50℃/min的升温速率将氧化炉的内部温度升高到1300℃,得到的所述氧化层厚度为3将高温退火后的碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到900℃_1200℃,以1SLM_10SLM的将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,维持将高温退火后的碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到900℃_1200℃,以1SLM_10SLM的流量通入H2和O2；将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,维持5.根据权利要求1所述的碳化硅衬底的处理方4用。[0015]将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃_400℃,之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W_1000W，接着以10SCCM_1000SCCM的流量通入氧族气体，维持1s_5[0018]将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃_400℃,之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W_1000W，接着以10SCCM_1000SCCM的流量通入氮族气体，维持1s_[0021]将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃_400℃,之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W_1000W，接着以10SCCM_2000SCCM的流量通入磷族气体，维持1s_[0024]以10℃/min_200℃/min的升温速率将退火炉的内部温度升高到800℃_1000℃,之℃/min的升温速率升高到900℃_1200℃,以1SLM_10SLM的流量[0029]将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,℃/min的升温速率升高到900℃_1200℃,以1SLM_10SLM的流量通入H2和O2；[0032]将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,℃/min的升温速率升高到900℃_1200℃,以1SLM_10SLM的流量[0035]将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,6[0063]时间10～20min(利用络合作用去除重金属杂质)，取出样品支架，放入1#液，7[0071]将等离子体处理设备的内部温度调至200℃_400℃,之后将等离子体处理设备的实施例中，将等离子体处理设备的内部温度调至250℃,将等离子体处理设备的功率调至[0074]将等离子体处理设备的内部温度调至200℃_400℃,之后将等离子体处理设备的实施例中，将等离子体处理设备的内部温度调至250℃,将等离子体处理设备的功率调至[0077]将等离子体处理设备的内部温度调至200℃_400℃,之后将等离子体处理设备的实施例中，将等离子体处理设备的内部温度调至250℃,将等离子体处理设备的功率调至8[0081]以10℃/min_200℃/min的升温速率将退火炉的内部温度升高到800℃_1000℃,之20℃/min的升温速率将将氧化炉的内部温度升高到1000℃,通入的气体为N2O；[0087]将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,℃/min的升速率升高到900℃_1200℃,以1SLM_10SLM的流量通入H2和O2；[0090]将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,20℃/min的升温速率将将氧化炉的内部温度升高到1000℃,通入的气体为N2O；[0093]将氧化炉的内部温度以10℃/min_200℃/min的升温速率升高到1200℃_1500℃,[0094]维持氧化炉内部温度(即保持氧化炉内部温度为1200℃_1500℃)，以1SLM_10SLM的流量通入H2和O2，维持1min_5h，之在实施本申请时可以把各模块或单元的功能在同一个或多个9现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定[0098]这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一