CN110492349A 驱动电路、驱动方法和激光器系统 （上海禾赛光电科技有限公司）

2驱动单元，与所述窄脉冲产生器和所述电压调节电压型数模转换器，所述电压型数模转换器配置成接收电压DAC数控输入并产生模拟其中，所述运算放大器的反相输入端与所述电压型逻辑与门，其第一输入端与所述电流控制延迟单元相连，第中所述第一窄脉冲的脉冲宽度为所述被暂存的输入脉冲与所述被延迟的输入脉冲之间的其中，所述第二PMOS晶体管(M1)的栅极与所述第一NMOS其中，所述第二PMOS晶体管(M1)的漏极与所述第一NMOS前置驱动单元，其输入端与所述窄脉冲产生器3基于输入脉冲产生第一窄脉冲，所述第一窄脉冲的脉冲宽基于所述第一窄脉冲和所述输出电压以产生第二窄脉冲，其对所述电压型数模转换器输出的模拟电压进行稳压操作，产生所述可调节的输出电接收所述输入脉冲，根据所述电流型数模转换器的输出电基于所述经延迟的输入脉冲和暂存的输入脉冲产对接收的所述第一窄脉冲的电流驱动能力进其中，所述激光二极管的阴极耦接所述NM4[0002]在应用激光光源系统中，常常需要考虑激光光源例如激光二极管(lase场效应管(PowerFET)接地，功率场效应管的导通和关断通过与功率场效应管的栅极耦接[0005]第一种方式，通过改变驱动器的输入脉冲的脉冲宽度可以等比例改变发光5及所述驱动单元耦接，被配置为对所述电压型数模转换器输出的模拟电压进行稳压操作，输入端与第一PMOS晶体管(M0)的漏极耦接，所述运算放大器的输出端与第一PMOS晶体管[0013]在一个实施例中，驱动单元可以包括：第二PMOS晶体管(M1)和第一NMOS晶体管6述经延迟的输入脉冲和暂存的输入脉冲产生[0023]1、第一窄脉冲的脉冲宽度和流过激光二极管的电流幅度均可以分别实现数字化7[0029]图2示意性示出了利用根据本发明一种实施方式的驱动电路来驱动外部器件的电[0030]图3示意性示出了利用根据本发明另一种实施方式的驱动电路来驱动外部器件的[0031]图4示意性示出了利用根据本发明一种实施方式的驱动电路来驱动外部器件的电[0034]图7示意性示出了流过激光二极管的峰值电流随参考电压的变化的仿真波形图；和8描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的[0044]图2示意性示出了利用根据本发明一种实施方式的驱动电路200来驱动外部器件[0045]窄脉冲产生器210被配置为基于输入脉冲20产生第一窄脉冲22，第一窄脉冲22的驱动单元230与窄脉冲产生器210和电压调节器220相耦接，并被配置为基于第一窄脉冲22和电压调节器220的输出电压来形成第二窄脉冲24。第二窄脉冲24适于驱动外部的开关管9[0046]图3示意性示出了利用根据本发明另一种实施方式的驱动电路300来驱动外部器[0047]窄脉冲产生器210被配置为基于输入脉冲20产生第一窄脉冲22，第一窄脉冲22的参考电压VREF或者控制电压。电压跟随器224的输入端与电压型数模转换器222的输出端耦冲22通过前置驱动单元232输出至末级驱动器234。末级驱动器234的供电电压通过电压跟随器224提供，而电压跟随器224的输入电压来自电压型数模转换器222产生的参考电压相放大器的驱动能力的大致3至5倍。前置驱动单元232的输出端的反相器尺寸(放大能力)[0053]图4示意性示出了利用根据本发明一种实施方式的驱动电路400来驱动外部器件[0057]在一个实施例中，运算放大器A1的单位增益带宽的取值范围可以在1MHz至1G为接收电压调节器的输出电压(E点)。NMOS晶体管M2的源极接地。PMOS晶体管M1的漏极与[0060]参考图4描述其工作原理。电压型数模转换器222被配置为接收电压DAC数控输入窄脉冲产生器210通过调整电流型数模转换器I0的输出电流，可以调节电流控制延迟单元(D点)的变化而变化的第二窄脉冲(C点)，用于驱动与其耦接的MOSFET管242和作为负载的电流和电压差(VREF-Vth)呈指数关系增长；当参考电压VREF大于阈值电压Vth几十毫伏(mV)件为驱动电路400被输入一个输入脉冲20，同时电压DAC数控输入的码值是变化的多个值。输入脉冲20的电压(即图4中的A点处的电压VA)的波形如图5中波形51所示，VA的波形的脉冲宽度为10ns。电压DAC数控输入的码值从000000到111111变化，从而电压型数模转换器的波形53)和激光二极管LD的电流ILD的波[0077]输入脉冲20的电压VA的电压波形的脉冲宽度为10ns，经过窄脉冲产生器210后产[0078]窄脉冲产生器210的输出电压的电压VB经过前置驱动单元232和末级驱动器234后[0079]电压VC控制着MOSFET管242的栅极，从而控制着MOSFET管242的导通和关断，在MOSFET管242导通时在激光二极管LD中形成电流ILD，电流ILD的电流波形随着参考电压VD的[0081]图7示意性示出了激光二极管LD的峰值电流随参考电压VD变化的仿真结果。在参MOSFET管的漏极-源极电压VDS等于过驱动电压(VR考电压VD从0.95V变化至6.2V的区间内，MOSFET管输出电[0091]1、第一窄脉冲的脉冲宽度和流过激光二极管的电流幅度均可以分别实现数字化和方法可以使用计算机可执行指令和/或包含在处理器控制代码中来实现，例如在诸如