CN111354625A 多层结构的制备方法 （南亚科技股份有限公司）

该第一金属前驱物相互反应以在该图案层上形2将一第一反应物引入该反应器中，其中该第一反应物与该第一金属前驱物相互反应，将一第二金属前驱物引入该反应器中，其中该第二金属前将一第二反应物引入该反应器中，其中该第二反应物与该第二金属前驱物相互反应，6.如权利要求1所述的制备方法，其中该第二金属前驱物包括一含铪化合物或一含锆7.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一反应物与第二反应物包括一含氧化合物8.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一反应物与该第二反应物包括一含氧及氮将一第一反应物引入该反应器中，其中该第一反应物与该第一金属前驱物相互反应，3将一第二金属前驱物引入该反应器中，其中该第二金属前将一第二反应物引入该反应器中，其中该第二反应物与该第二金属前驱物相互反应，13.如权利要求12所述的制备方法，其中在该第一反应物引入步骤中被引入的该反应14.如权利要求12所述的制备方法，其中在该第一反应物引入步骤中被引入的该反应16.如权利要求11所述的制备方法，其中该第二金属前驱物包括一含铪化合物或一含17.如权利要求11所述的制备方法，其中该第一反应物与第二反应物包括一含氧化合18.如权利要求11所述的制备方法，其中该第一反应物与该第二反应物包括一含氧及20.如权利要求11所述的制备方法，其中该图案层由将一光刻胶层暴露在一图案化辐4[0001]本公开主张2018/12/20申请的美国临时申请案第62/782,693号及2019/03/25的以湿式热氧化法(wetthermaloxidation)或者是在氧气环境下温度850℃到1000℃之间学气相沉积法的一些缺点是在控制层厚度是困难的，且其结果缺乏膜的高均匀性(film[0005]本公开的一实施例提供一种多层结构的制备方法，包括在一反应器中设置一基[0006]依据本公开的一些实施例，该制备方法还包括重复该第一金属前驱物引入步骤、5[0009]依据本公开的一些实施例，该第一金属前驱物包括一含硅化合物(silicon(Si)-[0010]依据本公开的一些实施例，该第二金属前驱物包括一含铪化合物(hafnium(Hf)-containingcompound)或一含锆化合物(zirconium[0011]依据本公开的一些实施例，该第一反应物与第二反应物包括一含氧化合物[0014]依据本公开的一些实施例，该图案层是由将一光刻胶层暴露在[0016]依据本公开的一些实施例，该制备方法还包括重复该第一金属前驱物引入步骤、[0020]依据本公开的一些实施例，该第二金属前驱物包括一含铪化合物或一含锆化合6[0024]依据本公开的一些实施例，该图案层是由将一光刻胶层暴露在[0025]由于在多层结构的制备期间，使用抽吸装置(pumpdevices)抽[0027]参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内[0031]图4为依据本公开一些实施例于一反应器中的制备期间的一多层结构的剖视示意[0032]图5为依据本公开一些实施例于一反应器中的制备期间的一多层结构的剖视示意[0033]图6为依据本公开一些实施例于一反应器中的制备期间的一多层结构的剖视示意[0034]图7为依据本公开一些实施例于一反应器中的制备期间的一多层结构的剖视示意[0036]图9为依据本公开一些实施例于一反应器中的制备期间的一多层结构的剖视示意[0037]图10为依据本公开一些实施例于一反应器中的制备期间的一多层结构的剖视示[0038]图11为依据本公开一些实施例于一反应器中的制备期间的一多层结构的剖视示7[0039]图12为依据本公开一些实施例于一反应器中的制备期间的一多层结构的剖视示8[0098]本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施[0101]本文中使用的术语仅是为了实现描述特定实施例的目的，而非意欲限制本下文中另作明确指示。将进一步理解，当术语“包括(comprises)”及/或“包括9于制备期间的多层结构的剖视示意图。如图1所示，一种多层结构的制备方法包括下列步第一金属前驱物(firstmetalprecursor)是被引入到反应器中，其中第一金属前驱物是吸附在图案层上(步骤S120)。通过抽出一第一过量金属前驱物(firstexcessmetalprecursor)，以将第一过量金属前驱物从反应器清除(步骤S130)。一第一反应物(first将第二过量金属前驱物从反应器清除(步骤S170)。一第二反应物(secondreactant)被引二含金属层(secondmetal-conta一碳硬遮罩层(carbonhardmasklayer)121以及一氮氧化硅层(siliconoxynitride)亦可已直接形成在基底112上。图案化阻剂层114以形成具有多个阻剂特征(resistfeatures)126的一图案层124，而阻剂特征126可当成抗蚀刻特征(etch-resistantfeatures)，经由蚀刻置于多个阻剂特征126之间的膜层115的已暴露部分，将一图案胶层116为对光敏感的一正型光刻胶(positivephotoresist)或一负型光刻胶(negativephotoresist)。一正型光刻胶在其暴露在光的部分是变成可溶解于一光刻胶显影剂(diazonaphthoquinone，DNQ)及酚醛树脂(novolacresin)，或者SU-8，其为一环氧基[0105]在一些实施例中，阻剂层114可被应用来当成在浸涂法(dipcoating)或旋涂法的2000至6500rpm的旋转速度。阻剂涂布(resistcoating)继续在软烤工艺(softbakeprocess)之后，而软烤工艺是对旋涂阻剂层(spin-coatedresistlayer)加热，使溶剂剂层114以减少剪应力(shearstress)，而剪应力在旋涂期间被引入的。软烤(soft罩20的一辐射源119所提供。遮罩20可为一平板(plate)21，而平板21具有通孔22(如图所(intersectinglinesorarcs)的一辐射图案(radiationpattern)。遮罩20可由所属技[0107]在一些实施例中，光刻胶层116可由SU-8所制，其为一粘性聚合物(viscous束源(electronbeamsource)。电子束光刻技术(Electronbeamlithography)典型地依知的电子束光刻技术与材料已被使用。在一些实施例中，光刻胶层116可由光敏感材料所收具有300nm到450nm波长的光。在一些实施例中，光刻胶层116可由以DNQ与酚醛树脂(novolacresin)的混合物为基础的一正型光刻胶所制。对于如此的光刻胶的一是合的辐学反应，其中光刻胶层116的未暴露或已暴露部分取决于是否阻剂是否为一正型或负型阻monohydrate，Na2CO3.H2O)或碳酸钾(potassiumcarbonate，K2CO3)、氢氧化钠(sodiumand-bleeddeveloping)，其pH值设定在约10.5。亦可以沉浸(immersion)或喷涂(spraying)所选择的显影剂显影所述阻剂层114。在显影之后，冲洗并弄干具有阻剂特征硅化合物(silicon-containingcompound)，例如双(二乙基氨基)硅烷(BDEAS)、硅烷一金属前驱物40加热或蒸发。举例来说，第一金属前驱物40可经由一载送气体(carrier前驱物40是吸附在图案层124上，以形成一第一前驱物吸附层(firstprecursorabsorptionlayer)128，如图4所示。一第一过量金属前驱物42是由一抽吸装置(pump氨(hydrazine，NH2NH2)、氨(ammonia，NH3)、其烷基或芳香基衍生物(alkyloraryl驱物44在吸附第一含金属层130上，以形成一第二前驱物吸附层(secondprecursorabsorptionlayer)132，如图6所示。一第二过量金属前驱物(secondexcessmetal出。理应注意的是，所属技术领域中技术人员将察知温度、压力、载送气体流量(flow54可包含如同在图5中包含在第一反应物5含氧的第二反应物54可与第二金属前驱物44相互反应，以在第一含金属层130上形成一第第二金属前驱物44中的一金属相同。举例来说，第二含金属层134可为一含铪层(Hf-containinglayer)或一含锆层(Zr-containinglaye器30中清除，亦加强反应表面的前驱物化合物的吸收，且可获得多层结构100的期望厚度使用在制备多层结构100的第一反应物引入步骤中的反应物，可与使在第二反应物引入步层221以及一氮氧化硅层223。类似于图3的图案层124，形成具有阻剂特征226的一图案层224，其中阻剂特征226可当成抗蚀刻特征，经由蚀刻穿经置于多个阻剂特征226之间的层224亦可由在图2中所示的工艺的不同变异一含硅化合物的第三金属前驱物60是吸附在图案层224上，以形成一第三前驱物吸附层出一第三过量反应物(thirdexcessreactant)72，以将所述第三过量反应物72从反应器含氧及氮的化合物，例如一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)、一氧化二氮(N2O)、四氧化二氮一含铪化合物或一含锆化合物的第四金属前驱物64吸附在第三含金属层230上，以形成一金属前驱物(fourthexcessmetalprecursor)66由一抽吸装置35所清除，抽吸装置35将属前驱物64相互反应，以在第三含金属层230上形成一第四含金属层(fourthmetal-的是，所属技术领域中技术人员将察知在反应器30中的温度、压力、载送气体流量(flow[0124]理应注意的是，在一些实施例中，第四反应物74可包含一含氮化合物，例如氮22NH2结构100与200的前驱物40、44、60与64是可个别地馈入到在处理区33中的一汽化器溶剂可选自甲苯(toluene)、乙基苯(ethylbenzene)、二甲苯(xylene)、均三甲苯甲基胺基)铪(tetrakis(ethylmethylamino)hafnium)、其他适合的胺基金属(amino-以从反应器30移除用过的工艺气体与副产品，并在处理区33中维持工艺气体(process端(exhaustports)、节流阀(throttlevalves)以及排出泵(exhaustpumps)接收用过的(wall)以传递一清除气体(purginggas)到反应器30。所述清除气体典型地可朝上从进气端经过多层结构100及200的支撑平板(supportplates)而流向一环形抽吸通道(annular[0127]依据本公开的一些实施例，基底112与212的实例可包括硅基底(siliconsubstrates)、二氧化硅基底(silicasubstrates)、氮化硅基底(siliconnitridesubstrates)、氮氧化硅基底(siliconoxynitridesubstrates)、金属基底(metalsubstrates)、氮化金属基底(metalnitridesubstrates)、钨基底(tungsten而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或达到实质上相同结果的现存或未来发展